Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212?8S 封裝，導通電阻低至 0.95 mΩ，優(yōu)異的 FOM 僅為 29.8mΩ*nC

Vishay 推出多功能新型 30 V n 溝道 TrenchFET第五代功率 MOSFET，提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效。

Vishay SiliconixSiSS52DN采用熱增強型 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK1212-8S 封裝，10 V 條件下導通電阻僅為 0.95 mΩ，比上一代產(chǎn)品低 5 %。此外， 4.5 V 條件下器件導通電阻為 1.5 mΩ，而 4.5 V 條件下導通電阻與柵極電荷乘積，即 MOSFET 開關應用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為 29.8 mΩ*nC，是市場上優(yōu)值系數(shù)最低的產(chǎn)品之一。

SiSS52DN的 FOM 比上一代器件低 29%，從而降低導通和開關損耗，節(jié)省功率轉換應用的能源。SiSS52DN適用于同步整流、同步降壓轉換器、DC/DC 轉換器、開關柜拓撲結構、OR-ring FET 低邊開關，以及服務器、通信和 RF 設備電源的負載切換。MOSFET 可提高隔離和非隔離拓撲結構的性能，簡化設計人員兩種電路的器件選擇。 器件經(jīng)過 100 % RG和 UIS 測試，符合 RoHS 標準，無鹵素。

原文標題：新型 30V N溝道 MOSFET 提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效

文章出處：【微信公眾號：Vishay威世科技】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。

責任編輯：haq