5G網絡峰值速率在1Gbit/s左右，為4G網絡速度的10倍，1GB的文件，10秒左右就可以下來，可以說，5G網絡的高速是非常驚人的。與5G網絡適配，對于存儲帶寬的需求在100MB/s左右。

5G下載并不是帶寬要求最高在的應用，相比超高分辨率相機、增強現實/虛擬現實、游戲和8K視頻等新興應用，以8K視頻為例，30幀/s 拍攝對數據存儲帶寬的需求達到1,000MB/s左右，是5G網絡的10倍。因此，對于一款智能手機內部數據存儲產品而言，1,000MB/s將是一個衡量的門檻，只有達到這樣的一個水準，才能夠被稱為未來就緒的存儲產品。

按照判斷：1,000MB/s應該能夠滿足2024年之前，智能手機應用對帶寬存儲新能的需求。

西部數據公司日前發(fā)布了最新的第二代UFS 3.1存儲解決方案——西部數據iNAND MC EU551嵌入式閃存器件就是這樣一款產品。

從性能指標上看，西部數據iNAND MC EU551嵌入式閃存器件的順序讀寫能力為2,000MB/s；順序寫入峰值帶寬為1,550MB/s，遠遠高于1,000MB/s的門檻。

那么，西部數據iNAND MC EU551嵌入式閃存器件在技術上是怎么做到的呢？

西部數據公司中國區(qū)智能終端產品事業(yè)部高級銷售總監(jiān)文芳透露，主要依賴于閃存顆粒、閃存控制器和固件技術的進步。

西部數據公司中國區(qū)智能終端產品事業(yè)部高級銷售總監(jiān)文芳女士

以及西部數據公司產品市場部高級產品市場經理宋學紅先生

以西部數據iNAND MC EU551嵌入式閃存器件所使用的第六代162層3D閃存顆粒為例，它是西部數據與鎧俠10年聯合研發(fā)閃存顆粒的第15代產品，它沒有按照傳統八層交錯式存儲孔陣列設計，而是通過第六代創(chuàng)新架構將橫向單元陣列密度提高了約10%，結合162層堆疊式垂直設計，使每個晶圓的制造位增加了70%；通過陣列CMOS電路布局和四路同時操作，性能可提高近2.4倍，讀取延遲減少約10%，I/O性能也提高了約66%。

有了第六代162層3D閃存顆粒的基礎，配合西部數據獨立研發(fā)的控制器技術和固件設計，在滿足JEDEC UFS 3.1規(guī)范要求的基礎上，借助西部數據第七代Smart SLC Write Booster 技術，西部數據iNAND MC EU551嵌入式閃存器件進一步融合JEDEC標準規(guī)范，實現了前所未有的競爭力。

文芳表示：西部數據iNAND MC EU551嵌入式閃存器件是iNAND系列產品的新成員，十多年來，該系列產品一直深受全球主要智能手機制造商的信任。西部數據持續(xù)深耕移動生態(tài)系統領域，與領先的SoC系統設計人員合作，在智能手機的參考設計中驗證其UFS 3.1解決方案，從而為制造商提供經過測試的解決方案。西部數據iNAND MC EU551 UFS 3.1嵌入式閃存器件樣品現已開始供貨。容量版本有128GB、256GB和512GB三種類型。

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