內(nèi)存模塊其實(shí)也就是裝有集成電路存儲器的PCB。從筆記本電腦、膝上型電腦到服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心,它們適用于各種計(jì)算應(yīng)用。
內(nèi)存模塊標(biāo)準(zhǔn)已歷經(jīng)幾代變革,就是為了滿足高速、數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用不斷增長的需求。與早期專為滿足系統(tǒng)要求而設(shè)計(jì)的內(nèi)存模塊不同,今天我們有了JEDEC等組織定義的標(biāo)準(zhǔn),而根據(jù)這些標(biāo)準(zhǔn)制造的內(nèi)存模塊適用于任何系統(tǒng),可與每個標(biāo)準(zhǔn)中提到的規(guī)范相匹配。
SIMM與DIMM
目前市面上的內(nèi)存模塊大致可分為單列直插式內(nèi)存模塊(SIMM)和雙列直插式內(nèi)存模塊(DIMM)兩種。SIMM是最早用于PC的多芯片內(nèi)存模塊之一,通常有30個針腳和70個針腳,以及32位數(shù)據(jù)路徑。
但是,它們很快就被DIMM所取代,與SIMM的冗余觸點(diǎn)相比,具有64位數(shù)據(jù)路徑的DIMM在兩側(cè)有獨(dú)立的電觸點(diǎn),因此一個DIMM能夠取代兩個串行安裝的SIMM。
DIMM的分類
RIMM,也稱為Rambus內(nèi)嵌式內(nèi)存模塊,是早期的一種DIMM,使用184針腳的外形尺寸提供16位的帶寬。隨著對高速和低延遲設(shè)備的需求增加,SIMM和 RIMM都被現(xiàn)代的DIMM淘汰了。
為了支持各種應(yīng)用,引入了與DDR等高級內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)相關(guān)的不同類型的DIMM。小型DIMM或SO-DIMM的尺寸只有常規(guī)DIMM的一半,但額定功率和額定電壓卻幾乎相等,一直是筆記本電腦等緊湊型計(jì)算產(chǎn)品的首選。
在DRAM和內(nèi)存控制器之間具有硬件寄存器的內(nèi)存模塊稱為帶寄存器的存儲器或緩存存儲器。當(dāng)DIMM作為帶寄存器的模塊制造時,被稱為RDIMM,而無緩存或非寄存器版本則稱為UDIMM。RDIMM價格偏高,因此通常只用于服務(wù)器等關(guān)鍵應(yīng)用。
內(nèi)存模塊的DDR標(biāo)準(zhǔn)
內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)定義了內(nèi)存模塊的性能。從開始的SDR(單數(shù)據(jù)速率RAM)到最近的DDR(雙數(shù)據(jù)速率),內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)一直與時俱進(jìn)。
由于能夠通過時鐘的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù),因此人們引入了雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DDR-SDRAM),其速度是SDRAM的兩倍,提高了數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣群托省?/p>
在之前的文章中,我們討論了DDR標(biāo)準(zhǔn)的演變發(fā)展以及最新的DDR5的特性。DDR5帶寬更高,可達(dá)6400MHz,性能優(yōu)于數(shù)據(jù)速度為3200MT/s的現(xiàn)有 DDR4。DDR5和SO-DIMM的結(jié)合為筆記本電腦、迷你電腦、NAS和工業(yè)電腦的高級版本帶來了新的機(jī)遇。
內(nèi)存模塊的終端應(yīng)用
SIMMS和RIMMS用于早期的計(jì)算機(jī)和桌面激光打印機(jī)。隨著技術(shù)的進(jìn)步,DIMM逐漸成為個人電腦、筆記本電腦、工作站甚至服務(wù)器中的主要內(nèi)存模塊。與DDR標(biāo)準(zhǔn)相結(jié)合后,DIMM匹配下一代計(jì)算設(shè)備的能力將不斷提高。
每一代DDR都定義了帶寬的改進(jìn)、低延遲的數(shù)據(jù)速度和增強(qiáng)的性能。不可否認(rèn),DDR4被用于高速SSD、服務(wù)器、筆記本電腦、臺式機(jī)和消費(fèi)設(shè)備,而DDR5的推出則是為了滿足帶寬密集型云和企業(yè)數(shù)據(jù)中心應(yīng)用、高端服務(wù)器解決方案和下一代計(jì)算系統(tǒng)的更高速度需求。
如前所述,SO-DIMM是DIMM的低配版本,非常適合用于微型設(shè)備、時尚的筆記本電腦和超級本。最先進(jìn)的DDR5 SO-DIMM模塊不僅用于移動設(shè)備,還用于NAS等存儲設(shè)備,甚至用于工業(yè)PC。
現(xiàn)代內(nèi)存模塊可以被視為人工智能、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IIoT)、5G等大多數(shù)先進(jìn)技術(shù)的基本組成部分,可以實(shí)現(xiàn)高速服務(wù)器解決方案,并在超高速計(jì)算領(lǐng)域占據(jù)優(yōu)勢。
安費(fèi)諾解決方案
安費(fèi)諾是提供多種內(nèi)存模塊連接器的先驅(qū)。從DDR2 SO-DIMM內(nèi)存模塊插槽到DDR3和DDR4插槽,再從DDR4超薄型標(biāo)準(zhǔn)版本到DDR4 SO-DIMM移動設(shè)備版本的幾代標(biāo)準(zhǔn),我們針對此類標(biāo)準(zhǔn)開發(fā)的合適解決方案品質(zhì)優(yōu)異,有目共睹。
如今,我們提供最先進(jìn)的連接器,可通過DDR5標(biāo)準(zhǔn)和SO-DIMM內(nèi)存模塊插槽支持最新更新的DDR5。
責(zé)任編輯:haq
-
連接器
+關(guān)注
關(guān)注
105文章
16404瀏覽量
147951 -
內(nèi)存
+關(guān)注
關(guān)注
9文章
3238瀏覽量
76529
原文標(biāo)題:?從類型到選型:聊聊內(nèi)存模塊連接器那些事兒
文章出處:【微信號:Amphenol ICC,微信公眾號:ACS 安費(fèi)諾信息通信】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
深入解析TPS51116EVM評估模塊:DDR內(nèi)存供電的理想之選
ICSSSTUF32866E:DDR2內(nèi)存模塊的理想配置緩沖器
探索ICSSSTUA32864B:DDR2內(nèi)存模塊的理想配置寄存器緩沖器
MAX6604:DDR內(nèi)存模塊高精度溫度監(jiān)測的理想之選
德州儀器PTHxx060Y模塊:DDR/QDR內(nèi)存總線終端的理想之選
德州儀器PTH系列DDR/QDR內(nèi)存總線端接模塊解析
74SSTUB32868:DDR2注冊DIMM的理想緩沖器
74SSTUB32868A:DDR2 DIMM應(yīng)用中的高性能緩沖器
TI SN74SSQEA32882:DDR3/DDR3L注冊式DIMM的理想時鐘驅(qū)動器
74SSTUB32868:DDR2 注冊 DIMM 中的關(guān)鍵利器
Amphenol ICC DDR5 SO - DIMM連接器:高速高密度的理想之選
N34C04 EEPROM:DDR4 DIMM的理想SPD解決方案
TE Connectivity DDR5 DIMM插槽技術(shù)解析與應(yīng)用指南
TPS53830:專為DDR5內(nèi)存模塊設(shè)計(jì)的高集成度數(shù)字降壓轉(zhuǎn)換器
雷卯TVS和fuse助力DDR5 R-DIMM模組滿足JEDEC新靜電要求
DIMM的分類以及內(nèi)存模塊的DDR標(biāo)準(zhǔn)
評論