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如何設(shè)計(jì)出性能更佳的電路

analog_devices ? 來(lái)源:亞德諾半導(dǎo)體 ? 作者:亞德諾半導(dǎo)體 ? 2021-10-22 10:13 ? 次閱讀
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模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器信號(hào)通道的核心元件,在工業(yè)、儀器儀表、醫(yī)療、消費(fèi)電子通信和汽車系統(tǒng)等多個(gè)領(lǐng)域都有應(yīng)用。雖然模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器實(shí)現(xiàn)的功能簡(jiǎn)單,但是想要真正的用好用精,必須要對(duì)其參數(shù)規(guī)格以及結(jié)構(gòu)原理有足夠的了解。為此,ADI特推出《ADI精密模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器技術(shù)介紹視頻課程》,從以下三大方面助您設(shè)計(jì)出性能更佳的電路!

01基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)

CMOS開(kāi)關(guān)組成

以及相關(guān)參數(shù)

02導(dǎo)通電阻關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)

03開(kāi)關(guān)電容與泄露電容與漏電流相關(guān)

主講內(nèi)容

1StudyCMOS開(kāi)關(guān)的基本結(jié)構(gòu)

對(duì)于一個(gè)理想的開(kāi)關(guān)器件而言,它的導(dǎo)通電阻應(yīng)該為零,關(guān)斷電阻無(wú)限大,輸入泄漏為零,延時(shí)為零,可以輕松處理大信號(hào)和高共模電壓,但是如果使用CMOS技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)的話,則會(huì)存在一些影響達(dá)到理想開(kāi)關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的限制,因此,我們需要詳細(xì)了解CMOS中的關(guān)鍵技術(shù)規(guī)格,以更好的克服這些影響。本節(jié)課程將就CMOS開(kāi)關(guān)的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu),性能曲線等多個(gè)方面展開(kāi)闡述,幫您更好的在設(shè)計(jì)中選用CMOS開(kāi)關(guān)。

2StudyRon開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻

Ron開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻對(duì)于開(kāi)關(guān)性能的影響較大,對(duì)Ron進(jìn)行影響的因素也較多,比如電源電壓、溫度、輸入信號(hào)電壓等等,這些影響都會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)的直流精度出現(xiàn)誤差,甚至導(dǎo)致交流失真。同樣的,在多路復(fù)用器中,Ron匹配度/Ron平坦度也是一個(gè)需要考慮的重要規(guī)格,本節(jié)視頻將就以上參數(shù)做詳細(xì)解讀,幫您更好的在設(shè)計(jì)中選用CMOS開(kāi)關(guān)。

責(zé)任編輯:haq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的基礎(chǔ)架構(gòu)及相關(guān)參數(shù)解析→

文章出處:【微信號(hào):analog_devices,微信公眾號(hào):analog_devices】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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