關(guān)鍵要點

?在重負載時，如果trr較長，則超前臂關(guān)斷時，寄生雙極晶體管可能會誤導(dǎo)通，從而損壞MOSFET。

?在PSFB電路中，在反向恢復(fù)期間體二極管的偏置電壓幾乎為0V，因此電荷釋放速度變慢，最終導(dǎo)致trr變長。

?在PSFB電路中使用trr小的MOSFET很重要。

?即使是快速恢復(fù)型SJ MOSFET，其性能也會因制造商和產(chǎn)品系列而異，因此在選擇時需要充分確認。

在重負載時，如果MOSFET的體二極管的反向恢復(fù)時間trr較長，且有電流殘留，則在超前臂的MOSFET關(guān)斷時，寄生雙極晶體管可能會誤導(dǎo)通，從而損壞MOSFET。這種問題發(fā)生在由關(guān)斷時產(chǎn)生的對漏源電容CDS的充電電流而使寄生雙極晶體管自發(fā)地導(dǎo)通（誤導(dǎo)通）、瞬間流過大電流時。

在逆變器電路等電路中，在正向電流流過MOSFET的體二極管的狀態(tài)下，通過施加高反向偏置電壓，強制使體二極管中的電荷（Qrr）被快速釋放。這種放電所需時間為trr，因此最終會導(dǎo)致trr變短。

而在PSFB電路中，在反向恢復(fù)期間施加到體二極管的偏置電壓幾乎為0V，這會使電荷釋放速度變慢，最終導(dǎo)致trr變長。下圖為超前臂MOSFET的VDS、ID和反向恢復(fù)電流示意圖。

當trr變長時，反向恢復(fù)所產(chǎn)生的電流會發(fā)生變化，如圖中紅色虛線所示。也就是說，當關(guān)斷時，MOSFET中有電荷殘存，這使得電流更容易流動，使寄生雙極晶體管更容易誤導(dǎo)通。

t0～t1：從MOSFET的輸出電容放電，正向電流開始流過體二極管。

t1～t3：體二極管導(dǎo)通的時間段。

t1～t5：MOSFET導(dǎo)通，處于導(dǎo)通狀態(tài)的時間段。

t3～t4：體二極管流過反向恢復(fù)電流的時間段。trr越長，這個時間段就越長。

t5～t6：MOSFET關(guān)斷。這時，如果trr過長，則寄生雙極晶體管更容易誤導(dǎo)通，導(dǎo)致?lián)p壞MOSFET。

因此，在PSFB電路中，需要使用trr小的MOSFET。簡言之，trr越小越有效。市場上有一些低trr的快速恢復(fù)SJ MOSFET，但制造商和產(chǎn)品系列不同，trr及其相關(guān)參數(shù)也存在差異，因此，在選擇時需要進行充分確認。

即使是滯后臂的MOSFET，在關(guān)斷時也可能引起寄生雙極晶體管的誤導(dǎo)通。但是，正如通過PSFB電路的工作所解釋說明的，由于與超前臂相比，ID為正的時間段較長，因此不容易受到trr的影響，滯后臂不容易因寄生雙極晶體管的誤導(dǎo)通而導(dǎo)致MOSFET損壞。與超前臂一樣，這里也給出了反向恢復(fù)電流的示意圖。

t0～t1：從MOSFET的輸出電容放電，正向電流開始流過體二極管。

t0～t2：體二極管導(dǎo)通的時間段。

t1～t4：MOSFET導(dǎo)通，處于導(dǎo)通狀態(tài)的時間段。

t2～t3：體二極管流過反向恢復(fù)電流的時間段。trr越長，這個時間段就越長。

t4～t5：MOSFET關(guān)斷。與超前臂相比，不易受反向恢復(fù)的影響，因此寄生雙極晶體管不易發(fā)生誤導(dǎo)通。

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