Other Parts Discussed in Post： BQ25703A

TI shanghai FAE： Eric Xiong

超級電容由于其充電次數(shù)，更好的瞬態(tài)性能，更簡單的充電管理以及更少的環(huán)境污染，在很多應用中越來越受歡迎。多個電容單體（2.7V）串聯(lián)往往需要buck-boost充電拓撲來實現(xiàn)電源的充電管理。BQ25703A是一種集快速充電、電源路徑管理、保護功能于一體的單芯片方案。本文討論了在實際應用中的一些注意事項。

1. 典型充電電路和充電曲線：

圖1 典型應用電路

圖2 典型的充電曲線

圖3 配置和軟件設置

2. 加速充電過程

與鋰電池的預充電過程不同，超級電容可以直接快速充電，從而減少充電時間，可以采取如下兩種方式來減小芯片自帶的預充過程，

使用更低的檢流電阻Rsr=2mOhm.

默認是10 mOhm，相當于提升5倍的預充電流。

圖 4 20s 快速充電充滿

2去使能LDO 模式

為了保證芯片的最小工作電壓，在預充過程充，BATFET處于LDO模式下，采用旁路模式也能加快充電速度，但會犧牲一部分系統(tǒng)電壓范圍。

圖 5 LDO 使能模式

圖6 LDO旁路模式

3. 兼容0.5A小電流USB輸入

當輸入電源的電流能力有限，而充電電流很高時會有拉低輸入電壓的風險，需要動態(tài)的配置充電電流，防止系統(tǒng)電壓過低導致的系統(tǒng)崩潰。BQ25703A的DPM模式能靈活地設置輸入功率限制，動態(tài)地的分配實時的充電電流，保證輸入電壓恒定。

圖 7 無DPM模式

圖8 DPM模式

4. 被動均衡功能

為了防止單體過充或者欠充，需要加入主動或者被動均衡，在保證功耗的基礎上，被動均衡的電路簡單，成本更低。

圖9 電阻被動均衡

5. 硬件過充保護

當軟件崩潰或者程序錯誤設置時，需要硬件的保護來防止電壓過沖而引起的危險。使用內(nèi)部比較器并結合芯片本身的HIZ模式可以強制保護充電電壓低于設置的安全門限值。

6. 綜述

綜上，BQ25703A可以作為多節(jié)的超級電容的升降壓充電方案，自帶power path 功能和DPM功能，軟件配置靈活，硬件保護功能齊全。

審核編輯：金巧