China Central FAE Sam Zhang

隨著越來越多的工業(yè)應(yīng)用對產(chǎn)品的可靠性和安全性要求越來越高，我們在做產(chǎn)品設(shè)計的時候不僅要正確的實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品功能，同時也需要通過一些功能安全認(rèn)證，比如家電行業(yè)的IEC60730等或者ISO13849等。一般的系統(tǒng)故障可以通過設(shè)計的迭代和嚴(yán)格測試來避免，但是硬件的隨機(jī)失效理論上是無法完全消除的，所以要想提高硬件隨機(jī)失效的診斷覆蓋率，就需要軟硬件診斷機(jī)制來保障。

作為系統(tǒng)的核心控制部分，MCU主平臺的診斷機(jī)制就是最關(guān)鍵的部分。針對一般通用的MCU，以Piccolo C2000系列為例，硬件上提供了一些診斷或者校驗(yàn)機(jī)制，如下所示：

同時TI也提供了一些軟件診斷方案，如MSP430 IEC60730 Software Package和C2000 SafeTI 60730 SW Packages軟件庫等，可以提供很多的診斷測試功能，例如CPU、時鐘、外設(shè)、RAM等的診斷，已經(jīng)可以滿足一部分的需求。如下圖所示為C2000 SafeTI 60730 SW Packages中的功能和資源消耗。

然而在實(shí)際的應(yīng)用中，有些安全標(biāo)準(zhǔn)要求對RAM進(jìn)行周期性的在線診斷，同時不能影響程序的正常運(yùn)行。但是程序在運(yùn)行過程中存儲在RAM中的數(shù)據(jù)會實(shí)時的變化，而RAM的診斷往往會破壞這些存儲的數(shù)據(jù)，比如電機(jī)控制類的實(shí)時性要求較高的場合。所以在沒有ECC的情況下，如何對RAM進(jìn)行實(shí)時在線的診斷是一個值得討論的問題。

下面以電機(jī)控制為例，討論硬件校驗(yàn)的實(shí)現(xiàn)，尤其是RAM在線檢測的過程。

1. 系統(tǒng)軟件流程

非破壞性的診斷可以放在背景循環(huán)里面進(jìn)行，這些軟件診斷不會對實(shí)時性中斷造成影響，例如看門狗測試，內(nèi)部晶振測試，F(xiàn)LASH CRC校驗(yàn)，靜態(tài)變量RAM CRC校驗(yàn)，堆棧溢出判斷，以及GPIO口診斷等。另外一些破壞性的或者對實(shí)時控制有影響的診斷，可以放到主中斷中進(jìn)行，如RAM March校驗(yàn)，ALU診斷以及CPU寄存器診斷等。具體流程圖如下所示：

2. RAM診斷的方法

以C2000 SafeTI 60730 SW Packages為例，主要提供了兩種RAM檢測方式。

一種是CRC檢測STL_CRC_TEST_testRam，此功能用于測試RAM的位錯誤。該測試以0和1的交替模式填充被測RAM區(qū)域，并使用PSA計算RAM的CRC。對于給定的RAM存儲器區(qū)域，如果RAM存儲器中沒有任何stuck bit，則CRC值應(yīng)始終相同。并行串行分析器（PSA）是c28x器件中的一個模塊，可用于生成40位給定存儲區(qū)域上的CRC。 PSA多項式為Y = x40 + x21 + x19 + x2 + 1。PSA通過監(jiān)視數(shù)據(jù)讀取數(shù)據(jù)總線（DRDB）來計算CRC值。 一旦激活就會監(jiān)控Data Read Data Bus （DRDB），當(dāng)CPU通過DRDB讀取數(shù)據(jù)時，PSA每個時鐘周期會為DRDB上的數(shù)據(jù)生成一個CRC。由于此測試具有破壞性，因此需要將要測試的RAM內(nèi)容保存到單獨(dú)的RAM位置。

當(dāng)然也可以使用軟件CRC的方式，使用起來更靈活，并且可以選擇非破壞性的方式來計算CRC，對一些靜態(tài)常量存儲的區(qū)域可以考慮這種CRC方式。另外一點(diǎn)是軟件CRC算法可以更方便的進(jìn)行代碼評估，以滿足不同安全標(biāo)準(zhǔn)的要求。

另一種是MARCH檢測STL_MARCH_TEST_testRam，此功能直接對RAM進(jìn)行32bit的讀寫測試，可以選擇進(jìn)行MarchC 13N或者M(jìn)archC-測試。由于此測試具有破壞性，因此也需要將要測試的RAM內(nèi)容保存到單獨(dú)的RAM位置。

3. RAM在線檢測的實(shí)現(xiàn)

由于需要周期性的RAM檢測，以電機(jī)控制為例，可以將RAM檢測放到主中斷里面執(zhí)行。同時關(guān)鍵是不能影響控制程序的運(yùn)行和實(shí)時性，所以主要考慮兩點(diǎn)：

第一是主中斷時間有限，要盡可能減小RAM檢測的時間，所以可以將RAM分成多個小段進(jìn)行檢測，每段RAM越小，占用中斷的時間越小，但是所有RAM檢測一遍的時間會變長，這個需要綜合考慮。

第二是不能破壞RAM中的變量值，所以在檢測是之前將RAM段中的內(nèi)容保存到專門區(qū)域，戴檢測完成并且通過之后，再將保存好的數(shù)據(jù)恢復(fù)過來，使用memCopy來提高效率。

具體實(shí)現(xiàn)方法如下：

首先定義好各個RAM區(qū)間的地址范圍，可以參考具體的數(shù)據(jù)手冊，如下所示：

然后定義好檢測的范圍和每次檢測的數(shù)據(jù)長度：

注意由于STL_MARCH_TEST_testRam函數(shù)執(zhí)行32位讀/寫測試，而在測試RAM單元陣列時，由于RAM單元的16位體系結(jié)構(gòu)，所以要求起始地址為偶數(shù)，結(jié)束地址為奇數(shù)，可以測試的最大內(nèi)存范圍限制為65535個32位字。所以要求測試長度也需要為奇數(shù)。

在主中斷里面的RAM在線檢測函數(shù)里，首先將要檢測區(qū)域的RAM值保存下來：

if （（gStructSTLMonitor.NowRamAddrStart 》= MARCH_RAM_START）

&& （gStructSTLMonitor.NowRamAddrStart 《= （MARCH_RAM_END-RAM_CHK_NUM）））

{

gStructSTLMonitor.NowRamAddrEnd = gStructSTLMonitor.NowRamAddrStart + RAM_CHK_NUM;

memCopy（（uint16_t *）gStructSTLMonitor.NowRamAddrStart，（uint16_t *）

gStructSTLMonitor.NowRamAddrEnd，（uint16_t *）MARCH_RAM_BK）;

}

然后進(jìn)行檢測：

gStructSTLMonitor.status = STL_MARCH_TEST_testRam（（uint32_t *）

gStructSTLMonitor.NowRamAddrStart，（uint32_t *）gStructSTLMonitor.NowRamAddrEnd）;

if（gStructSTLMonitor.status ！= SIG_RAM_MARCH_TEST）

{

STL_SetFail（）;

}

else

{

memCopy（（uint16_t *）MARCH_RAM_BK，（uint16_t *）（MARCH_RAM_BK + RAM_CHK_NUM），

（uint16_t *）gStructSTLMonitor.NowRamAddrStart）;

gStructSTLMonitor.NowRamAddrStart = gStructSTLMonitor.NowRamAddrEnd + 1;

gStructSTLMonitor.gTestStep++;

}

注意檢測成功之后馬上恢復(fù)當(dāng)前區(qū)域的RAM值，并為下一次檢測做好準(zhǔn)備。如果檢測發(fā)現(xiàn)故障，則進(jìn)入故障處理函數(shù)。

審核編輯：金巧