作者：TI 工程師 Eric Xiong

超級電容由于其充電次數(shù)，更好的瞬態(tài)性能，更簡單的充電管理以及更少的環(huán)境污染，在很多應(yīng)用中越來越受歡迎。多個電容單體（2.7V）串聯(lián)往往需要buck-boost充電拓?fù)鋪韺?shí)現(xiàn)電源的充電管理。BQ25703A是一種集快速充電、電源路徑管理、保護(hù)功能于一體的單芯片方案。本文討論了在實(shí)際應(yīng)用中的一些注意事項。

1.典型充電電路和充電曲線：

2.加速充電過程

與鋰電池的預(yù)充電過程不同，超級電容可以直接快速充電，從而減少充電時間，可以采取如下兩種方式來減小芯片自帶的預(yù)充過程，

使用更低的檢流電阻Rsr=2mOhm.

默認(rèn)是10 mOhm，相當(dāng)于提升5倍的預(yù)充電流。

2去使能LDO模式

為了保證芯片的最小工作電壓，在預(yù)充過程充，BATFET處于LDO模式下，采用旁路模式也能加快充電速度，但會犧牲一部分系統(tǒng)電壓范圍。

3.兼容0.5A小電流USB輸入

當(dāng)輸入電源的電流能力有限，而充電電流很高時會有拉低輸入電壓的風(fēng)險，需要動態(tài)的配置充電電流，防止系統(tǒng)電壓過低導(dǎo)致的系統(tǒng)崩潰。BQ25703A的DPM模式能靈活地設(shè)置輸入功率限制，動態(tài)地的分配實(shí)時的充電電流，保證輸入電壓恒定。

4.被動均衡功能

為了防止單體過充或者欠充，需要加入主動或者被動均衡，在保證功耗的基礎(chǔ)上，被動均衡的電路簡單，成本更低。

5.硬件過充保護(hù)

當(dāng)軟件崩潰或者程序錯誤設(shè)置時，需要硬件的保護(hù)來防止電壓過沖而引起的危險。使用內(nèi)部比較器并結(jié)合芯片本身的HIZ模式可以強(qiáng)制保護(hù)充電電壓低于設(shè)置的安全門限值。

6.綜述

綜上，BQ25703A可以作為多節(jié)的超級電容的升降壓充電方案，自帶power path 功能和DPM功能，軟件配置靈活，硬件保護(hù)功能齊全。

審核編輯：何安