一枚封裝好的芯片，內(nèi)部有數(shù)十或者數(shù)百億晶體管組成的集成電路。當(dāng)我們?cè)陲@微鏡下放大，可以看到內(nèi)部像一座城市一樣復(fù)雜，集成電路是一種微型電子器件或者部件，其采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需要的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互聯(lián)一起，制作在一小塊或者幾小塊半導(dǎo)體晶片或者介質(zhì)基片上，形成結(jié)構(gòu)上緊密聯(lián)系的、內(nèi)部相關(guān)的電子電路。

集成電路可以做小完全得益于半導(dǎo)體工藝，純硅是半導(dǎo)體，這意味著導(dǎo)電的能力要比絕緣體好，但不如金屬。所以移動(dòng)電荷數(shù)量少是使得硅成為半導(dǎo)體的原因。但是芯片工作卻少不了一個(gè)秘密武器---摻雜。硅有兩種摻雜類型，分別為P型和N型。N型的硅靠電子導(dǎo)電（電子帶負(fù)電），P型的硅靠空穴導(dǎo)電（有大量帶正電的空穴）。

led驅(qū)動(dòng)芯片結(jié)構(gòu)及其工作原理

基于開關(guān)電源芯片的市場(chǎng)需要，一款LED照明驅(qū)動(dòng)芯片，基于0.5μm CMOS標(biāo)準(zhǔn)工藝設(shè)計(jì)出的一種不隨溫度、電源電壓以及工藝變化的高電源抑制比的基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu)。該芯片采用脈頻調(diào)制方式，通過設(shè)計(jì)電阻-電容網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)電路的固定關(guān)斷時(shí)間功能，這種電路結(jié)構(gòu)避免了采用斜坡補(bǔ)償技術(shù)，在實(shí)現(xiàn)電路的PFM調(diào)制的同時(shí)也簡(jiǎn)化了電路結(jié)構(gòu)，提高了芯片效率。該芯片內(nèi)部包括振蕩器、PFM控制電路、基準(zhǔn)電壓源、偏置電路、RS觸發(fā)器、過壓、欠壓保護(hù)電路及驅(qū)動(dòng)電路等核心模塊。

LED驅(qū)動(dòng)芯片工作時(shí)，該芯片通過一個(gè)功率MOSFET和一采樣電阻來將負(fù)載變化情況反饋到芯片內(nèi)部。反饋信號(hào)先經(jīng)過低通濾波器，把高頻開關(guān)噪音濾掉，再以電流形式輸入到Current COMP模塊進(jìn)行調(diào)節(jié)，以產(chǎn)生控制R-S觸發(fā)器R端的信號(hào)，然后和Oscillator PFM Regulator模塊產(chǎn)生的S端信號(hào)共同控制驅(qū)動(dòng)電路，后驅(qū)動(dòng)功率MOFFET來實(shí)現(xiàn)電路的PFM調(diào)節(jié)。

除此之外，Error AMP模塊、AMP模塊及Voltage COMP三模塊則構(gòu)成過流保護(hù)電路，當(dāng)流過外部電路的電流過大時(shí)，通過外部電阻的電流檢測(cè)，并使反饋電壓與恒定基準(zhǔn)電壓作比較，再將兩者差值比較放大，以產(chǎn)生控制RS鎖存器CtR端的信號(hào)，并強(qiáng)制關(guān)斷功率管。這種前饋保護(hù)模式可有效降低電流過大時(shí)燒毀功率管和LED燈的風(fēng)險(xiǎn)，可對(duì)電路起到可靠的保護(hù)作用。而Low Voltage Lockout保護(hù)模塊可在輸入電壓低于正常工作電壓2.5V情況下強(qiáng)制關(guān)斷芯片，從而防止芯片在低電壓下工作，提高電源的利用效率。

銀聯(lián)寶，通芯社綜合整理

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