集成光子制備工藝的研究
摘要
本文主要研究集成光子的制備工藝?；贗II-V半導(dǎo)體的器件， 這項(xiàng)工作涵蓋了一系列III-V材料以及各種各樣的設(shè)備。 最初，設(shè)計(jì)，制造和光學(xué)表征研究了鋁砷化鎵波導(dǎo)增強(qiáng)光學(xué)非線性相互作用。 基于我們的研究結(jié)果，我們提出了一種新型的AlGaAs集成非線性光學(xué)波導(dǎo)。波導(dǎo)是集成光子器件中極具吸引力的元件，因?yàn)樗鼈兛刂乒饩€的空間、光譜和色散特性。
集成光子學(xué)
光子學(xué)，也被稱為光學(xué)，是生成的科學(xué)和工程，應(yīng)用光子的控制和檢測(cè); 例如制造業(yè)、成像、下一代顯示、國(guó)防技術(shù)、生物識(shí)別安全、傳感、圖像處理、照明、通信、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、天文學(xué)計(jì)算等等。
審核編輯：符乾江
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
數(shù)據(jù)集成
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
63瀏覽量
9531 -
系統(tǒng)集成
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
84瀏覽量
11926
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
芯片制造核心工藝的類型介紹
IC芯片半導(dǎo)體工藝制造技術(shù)作為集成電路產(chǎn)業(yè)的核心支撐，其發(fā)展始終圍繞高性能器件研發(fā)與工藝精度提升展開(kāi)，形成涵蓋硅片制備、氧化、光刻等關(guān)鍵環(huán)節(jié)的完整技術(shù)體系。
少模光纖制備工藝：從材料到成纖的全鏈條解析
少模光纖的性能高度依賴其折射率分布與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。目前，行業(yè)主流制備工藝包括管內(nèi)化學(xué)氣相沉積法(MCVD)、微波等離子體化學(xué)氣相沉積法(PCVD)等。本文將深入解析少模光纖的制備流程，并對(duì)比不同工
頻率可調(diào)諧光子集成外腔激光器
^[40]^ （需電子束光刻工藝）或MEMS-VCSELs ^[41,42]^ ，并輔以額外的線性化技術(shù)。
II. 光子集成芯片設(shè)計(jì)與表征
本研究實(shí)現(xiàn)了一種激光器，其外腔基于SiN光子集成
發(fā)表于 03-16 17:22
基于溶膠-凝膠法光刻膠的FsLDW微透鏡制備與三維形貌表征
飛秒激光直寫（FsLDW）技術(shù)憑借納米級(jí)分辨率、三維結(jié)構(gòu)加工能力成為微透鏡制備的核心技術(shù)，而溶膠-凝膠基光刻膠兼具有機(jī)材料的設(shè)計(jì)靈活性與無(wú)機(jī)材料的高穩(wěn)定性，是制備高精度微透鏡的理想材料。本研究以溶膠
芯明天壓電納米定位臺(tái)：助力六方氮化硼單光子源研究
光子源的理想基質(zhì)。 想要在六方氮化硼中實(shí)現(xiàn)單光子源的高精度制備、穩(wěn)定篩選與性能調(diào)控，始終繞不開(kāi)微觀尺度精準(zhǔn)操控這一核心需求。芯明天壓電納米定位臺(tái)正是這一研究過(guò)程中的關(guān)鍵設(shè)備，為實(shí)驗(yàn)提供
革新科研智造，引領(lǐng)材料未來(lái)——高通量智能科研制備工作站
的“高通量智能科研制備工作站”，正推動(dòng)一場(chǎng)科研范式的深刻變革。
智能驅(qū)動(dòng)，全程自動(dòng)化， redefine 科研效率
高通量智能科研制備工作站集成智能機(jī)器人控制技術(shù)，具備樣品抓取轉(zhuǎn)移、移液、旋涂、反溶劑萃取
發(fā)表于 09-27 14:17
先進(jìn)PIC光子集成工藝
摘要 光子芯片集成封裝是一種極具潛力的技術(shù)，它將光學(xué)元件集成到器件中，實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸、 寬帶寬、低延遲和高能效，有望突破傳統(tǒng)電子元件技術(shù)的局限。尤其是近年來(lái)，高性能半導(dǎo) 體、量子計(jì)算和數(shù)
「封裝技術(shù)」PIC光子集成封裝-從樣機(jī)到量產(chǎn)
翻譯自 Lee Carroll在 2016年發(fā)表的文章 摘要 晶圓廠提供的光子集成電路PIC的多項(xiàng)目晶圓（MPW）服務(wù)，使得研究人員和中小型企業(yè)（SMEs）能夠低成本完成硅光子芯片的設(shè)計(jì)和制造。盡管
超景深顯微鏡觀測(cè)：異溫軋制制備鈦-鋁-鎂復(fù)合板的組織性能研究
/鎂、鈦/鎂/鋁三層復(fù)合板的制備工藝與組織性能，結(jié)合超景深顯微鏡揭示復(fù)合機(jī)理。光子灣科技的超景深顯微鏡憑借高分辨率三維成像能力，可為復(fù)合板界面微觀形貌、斷口特征的
泡沫銅：獨(dú)特性能、制備工藝與性能研究中的微觀洞察
作為一種輕質(zhì)、強(qiáng)度高、導(dǎo)電性好的材料，泡沫銅被廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，例如電子技術(shù)、航空航天、能源儲(chǔ)存等。它的獨(dú)特性能使得人們對(duì)它的關(guān)注和研究不斷增加。為了更好地利用這些材料，深入了解其制造工藝、結(jié)構(gòu)
共聚焦顯微技術(shù)驅(qū)動(dòng)的超疏水表面工業(yè)化制備——表面粗糙度偏度調(diào)控新策略
表面粗糙度的偏度（Rsk?），在工業(yè)金屬箔上成功制備了高性能超疏水涂層。研究結(jié)合光子灣3D共聚焦顯微鏡的高精度三維形貌分析技術(shù)
基于碳納米材料的TPU導(dǎo)電長(zhǎng)絲制備與性能研究
、金屬材料與復(fù)合材料等各領(lǐng)域的研究開(kāi)發(fā)、工藝優(yōu)化與質(zhì)量監(jiān)控.基于碳納米材料的TPU導(dǎo)電長(zhǎng)絲制備與性能研究【江南大學(xué)趙樹(shù)強(qiáng)】基于碳納米材料的TPU導(dǎo)電長(zhǎng)絲
分子束外延技術(shù)的原理及制備過(guò)程
高質(zhì)量的材料制備是一切器件研究的核心與基礎(chǔ),本篇文章主要講述MBE的原理及制備過(guò)程?
詳解原子層沉積薄膜制備技術(shù)
CVD 技術(shù)是一種在真空環(huán)境中通過(guò)襯底表面化學(xué)反應(yīng)來(lái)進(jìn)行薄膜生長(zhǎng)的過(guò)程，較短的工藝時(shí)間以及所制備薄膜的高致密性，使 CVD 技術(shù)被越來(lái)越多地應(yīng)用于薄膜封裝工藝中無(wú)機(jī)阻擋層的制備。
晶圓制備工藝與清洗工藝介紹
晶圓制備是材料科學(xué)、熱力學(xué)與精密控制的綜合體現(xiàn)，每一環(huán)節(jié)均凝聚著工程技術(shù)的極致追求。而晶圓清洗本質(zhì)是半導(dǎo)體工業(yè)與污染物持續(xù)博弈的縮影，每一次工藝革新都在突破物理極限。
評(píng)論