日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

基于有機場效應(yīng)晶體管(OFET)的生物傳感器

微流控 ? 來源:麥姆斯咨詢 ? 作者:麥姆斯咨詢 ? 2022-05-11 09:21 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

通過對腫瘤標志物的濃度進行測定,能夠在一定程度上達到減輕患者痛苦和精神負擔的目的,從而使癌癥早期患者得到及時有效的治療,提高其存活率和治愈率。

在各種超低豐度生物分子的識別中,晶體管單分子水平檢測(SiMoT)平臺已經(jīng)引起了相當多的關(guān)注,但復(fù)雜的標記和測試過程限制了其進一步應(yīng)用。近年來,基于有機場效應(yīng)晶體管(OFET)的生物傳感器由于其簡便的制造工藝、快速的響應(yīng)時間、低樣本量和廣泛的檢測范圍,成為構(gòu)建先進的無標簽SiMoT平臺的良好候選者。

然而,大多數(shù)基于OFET的生物傳感器的靈敏度在納米(nM)和皮米(pM)之間,不能滿足對超低豐度蛋白的檢測要求。此外,在復(fù)雜溶液介質(zhì)中僅憑單一腫瘤標志物對癌癥進行早期診斷是不夠充分的,容易受到假陽性信號的干擾,影響檢測結(jié)果的準確性。因此,通過簡便快捷的傳感表面功能化策略來對癌癥相關(guān)的低豐度腫瘤標志物進行快速、準確地檢出,是提高OFETs生物傳感器檢測性能的關(guān)鍵。

據(jù)麥姆斯咨詢報道,近期,天津大學(xué)胡文平教授團隊利用含羧基的柱狀[5]芳烴(DMP[5]-COOH)作為信號放大器,制備了一種基于OFET的SiMoT平臺,并將其用于高效固定抗體作為敏感探針,構(gòu)建了無標記的SiMoT平臺,結(jié)果表明,隨著DMP[5]-COOH的引入,傳感器的靈敏度大大提高,檢測限可達4.75阿米(aM)。

ceffe2fe-d0c7-11ec-bce3-dac502259ad0.png

圖 基于OFET的SiMoT平臺構(gòu)建原理圖

步驟1:將PDBT-co-TT/DMP[5]-COOH作為電荷傳輸層涂覆在OTS修飾的沉積Au源極和漏極SiO?/Si襯底上;步驟2:將抗體固定為檢測腫瘤生物標志物的敏感探針;第三步:抗體-抗原識別。

另外,通過將OFETs傳感陣列化分不同的檢測區(qū)域,可對不同腫瘤標志物甲胎蛋白抗原、癌胚抗原和前列腺抗原進行同步檢測和交叉分析,從而獲得充足的診斷數(shù)據(jù),以期提高檢測的準確性和可靠性,有利于推動其臨床實用化進程。該成果發(fā)表在分析化學(xué)領(lǐng)域TOP學(xué)術(shù)期刊Analytical Chemistry上,并被選作封面文章。

論文以天津大學(xué)為第一完成單位,在讀博士生孫辰芳為第一作者,在讀博士生馮光源為共同第一作者,胡文平教授、雷圣賓教授和程姍姍副教授為共同通訊作者。

總體來看,該研究使OFET與生物醫(yī)學(xué)的聯(lián)系更加緊密,獲得了大規(guī)模的生物活性數(shù)據(jù),可以極大地推動傳感技術(shù)進入臨床診斷。此外,開發(fā)新的抗體固定方法,建立抗污染和非特異性吸附的自封閉空間,提高生物傳感器的壽命,還需要充分利用基于OFET的SiMoT平臺進行真實樣品分析。

論文鏈接:

https://doi.org/10.1021/acs.analchem.2c00897

審核編輯 :李倩

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    78

    文章

    10443

    瀏覽量

    148707
  • 生物傳感器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    12

    文章

    404

    瀏覽量

    38646

原文標題:有機場效應(yīng)晶體管生物傳感平臺,用于早期癌癥診斷

文章出處:【微信號:Micro-Fluidics,微信公眾號:微流控】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    2N7002K N溝道增強型場效應(yīng)晶體管:特性與應(yīng)用解析

    2N7002K N溝道增強型場效應(yīng)晶體管:特性與應(yīng)用解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域,場效應(yīng)晶體管是不可或缺的元件。今天我們來深入了解一下安森美(onsemi)的2N7002K N溝道增強型場效應(yīng)晶體管,看看
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:30 ?553次閱讀

    Onsemi 2N7002W N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管的特性與應(yīng)用解析

    Onsemi 2N7002W N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管的特性與應(yīng)用解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域,場效應(yīng)晶體管是一種至關(guān)重要的元件,廣泛應(yīng)用于各種電路中。今天,我們來深入了解 Onsemi 公司
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:30 ?540次閱讀

    探索BSS123 N溝道邏輯電平增強型場效應(yīng)晶體管

    探索BSS123 N溝道邏輯電平增強型場效應(yīng)晶體管 在電子設(shè)計領(lǐng)域,場效應(yīng)晶體管(FET)是至關(guān)重要的元件,它們廣泛應(yīng)用于各種電路中。今天我們要深入了解的是安森美(onsemi)的BSS123 N
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:30 ?535次閱讀

    玩轉(zhuǎn)N溝道邏輯電平增強型場效應(yīng)晶體管BSS138

    玩轉(zhuǎn)N溝道邏輯電平增強型場效應(yīng)晶體管BSS138 在電子設(shè)計領(lǐng)域,場效應(yīng)晶體管的選擇和應(yīng)用至關(guān)重要。今天,我們就來深入探討 onsemi 公司的 N 溝道邏輯電平增強型場效應(yīng)晶體管 BSS138
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:20 ?441次閱讀

    深入解析BSS138K:N溝道邏輯電平增強型場效應(yīng)晶體管

    深入解析BSS138K:N溝道邏輯電平增強型場效應(yīng)晶體管 在電子設(shè)計的廣闊領(lǐng)域中,場效應(yīng)晶體管(FET)是至關(guān)重要的元件之一。今天,我們將深入探討安森美(onsemi)的BSS138K——一款N溝道
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:20 ?403次閱讀

    深入解析 onsemi BSS84 P 溝道增強型場效應(yīng)晶體管

    深入解析 onsemi BSS84 P 溝道增強型場效應(yīng)晶體管 在電子設(shè)計領(lǐng)域,場效應(yīng)晶體管(FET)是不可或缺的基礎(chǔ)元件。今天,我們就來深入探討 onsemi 公司的 BSS84 P 溝道增強型
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:10 ?511次閱讀

    深入解析 onsemi FDT457N N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管

    深入解析 onsemi FDT457N N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管 在電子設(shè)計領(lǐng)域,場效應(yīng)晶體管(FET)是不可或缺的基礎(chǔ)元件,廣泛應(yīng)用于各種電路中。今天,我們來深入探討 onsemi 公司
    的頭像 發(fā)表于 04-20 15:15 ?155次閱讀

    Onsemi BS170和MMBF170場效應(yīng)晶體管深度解析

    Onsemi BS170和MMBF170場效應(yīng)晶體管深度解析 一、引言 在電子設(shè)計領(lǐng)域,場效應(yīng)晶體管(FET)是一種至關(guān)重要的元件,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。Onsemi的BS170和MMBF170
    的頭像 發(fā)表于 04-20 14:15 ?159次閱讀

    深入解析 NDS0605 P 溝道增強型場效應(yīng)晶體管

    深入解析 NDS0605 P 溝道增強型場效應(yīng)晶體管 引言 在電子設(shè)計領(lǐng)域,場效應(yīng)晶體管(FET)是不可或缺的基礎(chǔ)元件。今天,我們要深入探討的是 onsemi 公司生產(chǎn)的 NDS0605 P 溝道
    的頭像 發(fā)表于 04-20 11:30 ?179次閱讀

    安森美NDS355AN場效應(yīng)晶體管:小封裝大性能

    安森美NDS355AN場效應(yīng)晶體管:小封裝大性能 在電子設(shè)計的世界里,高性能、小尺寸的電子元件一直是工程師們追求的目標。今天我們就來深入了解一下安森美(onsemi)推出的N-溝道、邏輯電平、增強型
    的頭像 發(fā)表于 04-20 11:10 ?170次閱讀

    深入解析NDS331N:N溝道邏輯電平增強型場效應(yīng)晶體管

    深入解析NDS331N:N溝道邏輯電平增強型場效應(yīng)晶體管 在電子設(shè)計領(lǐng)域,場效應(yīng)晶體管(FET)是至關(guān)重要的元件,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。今天,我們將深入探討一款高性能的N溝道邏輯電平增強型
    的頭像 發(fā)表于 04-20 11:10 ?197次閱讀

    深入解析NDT014 N溝道增強型場效應(yīng)晶體管

    深入解析NDT014 N溝道增強型場效應(yīng)晶體管 在電子設(shè)計領(lǐng)域,場效應(yīng)晶體管(FET)是不可或缺的元件,尤其是在低電壓應(yīng)用中。今天,我們將深入探討安森美(onsemi)的NDT014 N溝道增強型
    的頭像 發(fā)表于 04-20 10:50 ?198次閱讀

    onsemi 的 NDS9945 雙 N 通道增強型場效應(yīng)晶體管技術(shù)解析

    onsemi 的 NDS9945 雙 N 通道增強型場效應(yīng)晶體管技術(shù)解析 在電子工程領(lǐng)域,高性能的場效應(yīng)晶體管是眾多電路設(shè)計的核心元件。今天我們要詳細介紹 onsemi 公司的 NDS9945 雙
    的頭像 發(fā)表于 04-20 10:45 ?206次閱讀

    無結(jié)場效應(yīng)晶體管器件的發(fā)展歷程

    2010年,愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結(jié)場效應(yīng)晶體管,器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示。從此,半導(dǎo)體界興起了一股研究無結(jié)場效應(yīng)晶體管的熱潮,每年的國際
    的頭像 發(fā)表于 05-19 16:08 ?1183次閱讀
    無結(jié)<b class='flag-5'>場效應(yīng)晶體管</b>器件的發(fā)展歷程

    無結(jié)場效應(yīng)晶體管詳解

    當代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有一個 PN結(jié),隧道穿透
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:32 ?1660次閱讀
    無結(jié)<b class='flag-5'>場效應(yīng)晶體管</b>詳解
    雷波县| 鲁甸县| 剑阁县| 安仁县| 普兰店市| 深圳市| 简阳市| 金坛市| 南充市| 镇坪县| 衡水市| 高青县| 西华县| 云龙县| 北安市| 威信县| 阳新县| 固原市| 射洪县| 邓州市| 安龙县| 厦门市| 青浦区| 广河县| 杨浦区| 茶陵县| 德江县| 西吉县| 碌曲县| 拜城县| 崇文区| 汪清县| 天全县| 纳雍县| 新乡市| 习水县| 方山县| 任丘市| 北辰区| 枣强县| 历史|