意法半導(dǎo)體和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司宣布，射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型芯片制造成功?；谶@一成果，意法半導(dǎo)體和MACOM將繼續(xù)攜手，深化合作。

數(shù)字社交媒體、視頻通話和移動設(shè)備上的互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用正在增加對高性能5G/6G無線網(wǎng)絡(luò)的需求，以提供足夠的網(wǎng)絡(luò)覆蓋和服務(wù)質(zhì)量。在新冠疫情期間，這種趨勢愈演愈烈，因此，運營商正在推動5G/6G的推廣，以應(yīng)對這種指數(shù)級增長的數(shù)據(jù)消費趨勢。

射頻硅基氮化鎵可為5G和6G移動基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用帶來巨大的發(fā)展?jié)摿?。初代射頻功率放大器（PA）主要是采用存在已久的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）射頻功率技術(shù)，而GaN（氮化鎵）可以給這些射頻功率放大器帶來更好的射頻特性和更高的輸出功率。此外，雖然GaN既可以在硅片上制造，也可以在碳化硅（SiC）晶圓上制造，但射頻碳化硅基氮化鎵（RF GaN-on-SiC）終究不是一種主流半導(dǎo)體制造工藝，且還要考慮和高功率應(yīng)用爭奪SiC晶圓，這些都可能會導(dǎo)致其成本更加昂貴。而意法半導(dǎo)體和MACOM正在開發(fā)的射頻硅基氮化鎵技術(shù)可以集成到標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工業(yè)中，在實現(xiàn)具有競爭力的性能的同時，也有望帶來巨大的規(guī)模經(jīng)濟效益。

意法半導(dǎo)體制造的射頻硅基氮化鎵原型晶圓和相關(guān)器件已達到成本和性能目標(biāo)，完全能夠與市場上現(xiàn)有的LDMOS和GaN-on-SiC技術(shù)展開有效競爭。現(xiàn)在，這些原型即將進入下一個重要階段——認證測試和量產(chǎn)。意法半導(dǎo)體計劃將在 2022年實現(xiàn)這一新的里程碑。為取得這一進展，意法半導(dǎo)體和MACOM已著手研究如何加大投入力度，以加快先進的射頻硅基氮化鎵產(chǎn)品上市。

意法半導(dǎo)體功率晶體管子產(chǎn)品部總經(jīng)理兼執(zhí)行副總裁 Edoardo Merli表示：

我們相信，這項技術(shù)的性能水平和工藝成熟度現(xiàn)已達到可以挑戰(zhàn)現(xiàn)有的LDMOS和射頻GaN-on-SiC的程度。我們可以為無線基礎(chǔ)設(shè)施等大規(guī)模應(yīng)用帶來成本效益和供應(yīng)鏈優(yōu)勢。射頻硅基氮化鎵產(chǎn)品的商業(yè)化是我們與MACOM合作的下一個重要目標(biāo)，隨著合作項目不斷取得進展，我們期待著釋放這一激動人心的技術(shù)的全部潛力。

MACOM 總裁兼首席執(zhí)行官 Stephen G. Daly表示：

我們推進硅基氮化鎵技術(shù)商業(yè)化和量產(chǎn)工作繼續(xù)取得良好進展。我們與意法半導(dǎo)體的合作是我們射頻功率戰(zhàn)略的重要組成部分，相信我們可以在硅基氮化鎵技術(shù)可以發(fā)揮優(yōu)勢的目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域贏得市場份額。