三星率先實現(xiàn)3nm制程工藝量產，或將趕超臺積電
三星與臺積電同為全球頂尖晶圓代工大廠，近幾年三星的各種評價卻開始落后于臺積電，差距也被逐漸拉大，不過三星沒有放棄，還是宣稱要超越臺積電。
據(jù)媒體報道稱，三星的3nm工藝已經能夠實現(xiàn)量產了，而臺積電的3nm工藝還得等到今年下半年才能量產，并且三星稱之前飽受詬病的良率問題也已得到解決。
美國總統(tǒng)近日參觀了三星的全球唯一能夠進行3nm工藝量產的晶圓代工廠，三星為了在晶圓代工行業(yè)趕超臺積電，投入了大量資金進行高端制程的研發(fā)。
據(jù)了解，本次三星量產的3nm工藝采用了GAA晶體管技術，能夠取代以往的FinFET晶體管技術，與未采用GAA技術的7nm制程工藝相比，3nm GAA制程工藝的性能提高了35%，功耗降低了50%，而且本次臺積電的3nm工藝不會采用GAA技術，因此在3nm制程工藝這一塊，三星很有可能超越臺積電。
綜合整理自 芯查查 快科技 王石頭科技
審核編輯 黃昊宇
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發(fā)表于 09-02 11:26
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