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如何提高器件和系統(tǒng)的功率密度

科技綠洲 ? 來源:英飛凌工業(yè)半導體 ? 作者:英飛凌工業(yè)半導體 ? 2022-05-31 09:47 ? 次閱讀
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功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導體重要的設計目標。我們一路追求單位芯片面積的輸出電流能力,實現方法是:

1.減小導通損耗和動態(tài)損耗

2.減小寄生電感,發(fā)揮芯片的開關速度

3.提高允許的最高工作結溫

4.降低結到殼的熱阻Rthjc

芯片技術的發(fā)展方向是降低導通損耗和動態(tài)損耗。封裝的發(fā)展方向減小寄生電感,允許芯片快速開關而不震蕩;提高封裝工藝的可靠性,提高功率周次和溫度周次,就是說提高器件結溫的同時也要保證器件的壽命,同時要提高散熱能力,降低結到殼的熱阻Rthjc。

poYBAGKVc1aAGrpIAAAUmpfecrg004.png

在式子中可以看出,技術的進步提高了Tvj,降低了Rthjc,這樣就允許器件承受更大的損耗Vce*Ic,也就是說允許芯片上的發(fā)熱量更大。

下面做一個有趣的對比,與太陽比功率密度。

英飛凌出場的是明星產品:

EconoDUAL?3,FF900R12ME7_B11,

900A 1200V IGBT7。

FF900R12ME7_B11的功率密度

第一種工況:

求解FF900R12ME7_B11 IGBT模塊在管殼溫度80度下,芯片的功率密度。把上式變形一下:

poYBAGKVc16ACWS7AAAcpSafH_w750.png

900A 1200V芯片在管殼溫度為80度下,允許的功耗為1549瓦,如果在直流情況下,不考慮動態(tài)開關損耗,Ptot=Vcesat*Ic,由于飽和壓降典型值在1.7V,這時器件集電極電流(沒有開關損耗)為911A左右。

由于900A IGBT芯片面積大約為6cm2,得出功率密度為:2.6*10?W/m2,這時IGBT7的芯片功率密度比火柴火焰高一個數量級,比電熨斗功率密度高9個數量級?。?!

第二種工況短路:

把IGBT接在900V直流母線上,進行第一類短路實驗。短路時母線電壓是900V,在8us內,短路電流可達3200A以上,這時瞬時功率高達P=900V*3200A=2.88MW?。?!

同理算出這時芯片的功率密度高達4.8*10? W/m2,這比太陽表面的功率密度5.0*10?W/m2還高2個數量級?。?!

poYBAGKVc2eAXdXsAAC8zTd7tKU209.png

注:

1.一根火柴的質量約為0.065g,木材的熱值約為1.2×107J/kg,假設火苗截面積100mm2,火柴15秒燒完。

2.人體運動發(fā)熱取中值200W,人體表面積按照許文生氏公式:體表面積(m2)=0.0061×身高(cm)+0.0128×體重(kg)-0.1529

IGBT的溫度

系統(tǒng)設計中IGBT的工作結溫普遍高于水的沸點100℃,設計目標是150℃,瞬態(tài)高達175℃。在氫燃料電池的冷卻水泵中,驅動器中IGBT的冷卻液溫可能是95度,在這樣惡劣工作條件下,也要滿足車輛的行駛公里數和使用年限,對IGBT的可靠性和壽命要求很高

高功率密度的挑戰(zhàn)

由于電力電子系統(tǒng)設計中對功率半導體的工作溫度和功率密度要求非常高,這對于芯片工藝和封裝工藝設計和生產都是很大的挑戰(zhàn)。

焊接層

高溫和大幅的殼溫變化,會造成模塊焊接層的機械疲勞而分離,從而使得結到殼的熱阻Rthjc,增加,進而失效。

綁定線

有了對比才知道IGBT芯片的功率密度如此之高,現在再來研究一下綁定線的設計規(guī)范和電流密度。

在模塊的數據手冊中有一個不太引人注目的參數,模塊引線電阻,即端子到芯片的電阻值RCC’+EE’,這阻值對于小電流模塊看起來損耗不算太大,但這時的綁定線的電流密度高達254A/mm2,遠遠高于家庭配電規(guī)范中銅線的電流密度6A/mm2。如果按照鋁線電流密度2.5A/mm設計900A模塊的引線就需要360mm2,這將是一個截面為60*60mm的鋁排。

如此高密度的電流反復流過綁定線,會造成綁定線機械應力,使得綁定線開裂等機械損傷。

綁定線一頭是連接在IGBT芯片的金屬化層上,這是3.2um厚的AlSiCu材料,這連接點也是容易造成機械疲勞的薄弱環(huán)節(jié),大的結溫變化會造成另一種失效機理是綁定線脫落。

IGC193T120T8RM 200A 1200V

芯片的數據手冊

poYBAGKVc3uAGlM4AABGAkyxgjA187.png

封裝的效率

模塊引線電阻,即端子到芯片的電阻值RCC’+EE’,會造成的損耗,對于中大功率模塊是個不小的數值。

EconoDUAL?3 FF900R12ME7模塊引線電阻,端子到芯片的電阻值0.8mΩ,900A時壓降0.72V,功耗高達648W。

poYBAGKVc4SAGaWkAACMZNy1Ghg183.png

FF900R12ME7電流和引線損耗

如果選擇PrimePACK?封裝,其最大規(guī)格做到了2400A半橋,這樣的模塊引線電阻小很多,原因是端子采用銅排結構。FF900R12IE4,900A 1200V模塊端子到芯片的電阻值0.3mΩ,900A時壓降0.27V,功耗僅243W,只有EconoDUAL?3 FF900R12ME7的38%。

所以選擇器件時,需要考慮不同封裝的特性,以滿足系統(tǒng)需求。

結論:

由此看來高功率密度帶來的主要問題是造成器件的機械疲勞,影響器件壽命,好在這些壽命機理是已知的,是可以用功率周次和溫度周次描述,器件和系統(tǒng)的壽命可以設計的。

為了在風力發(fā)電,電動汽車和機車牽引等負載變化大的應用領域評估器件在系統(tǒng)中的壽命,這就需要進一步了解器件的壽命機制和設計方法,英飛凌提供壽命仿真的收費服務。

審核編輯:彭靜
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