季豐最新引進(jìn)GK-HTRB-C16/CH8機(jī)臺(tái)，新機(jī)臺(tái)的能力完全滿足大部分功率器件HTRB測試的要求，功率可靠性測試的產(chǎn)能將大幅提高，有需要的客戶可以聯(lián)系我們的銷售。新引進(jìn)的設(shè)備的適用范圍，符合標(biāo)準(zhǔn)，技術(shù)特點(diǎn)如下:

適用范圍

?系統(tǒng)能滿足各種封裝形式的Si/SiC/GaN 材料的 IGBT /DIODE /MOSFET /HEMT /BJT /SCR 等器件的HTRB 試驗(yàn)。

符合標(biāo)準(zhǔn)

?試驗(yàn)線路及試驗(yàn)方法滿足JESD22-101、MIL-STD-750 Method 1038及AEC-Q101、GJB128A 等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)要求。

技術(shù)特點(diǎn)

?數(shù)據(jù)庫加載導(dǎo)入，自動(dòng)完成試驗(yàn)過程，方便操作使用;

?被試器件DUT老化電源采用分區(qū)統(tǒng)一供給，程控方式;

?實(shí)時(shí)監(jiān)控每個(gè)器件的漏電流IR，可輸出試驗(yàn)報(bào)表并描繪出 完整的變化曲線;

?系統(tǒng)具有數(shù)據(jù)自動(dòng)備份功能，意外斷電數(shù)據(jù)不會(huì)丟失;

?可根據(jù)用戶的需求，定制各種老化板及測試程序

HTRB：設(shè)備能力

HTRB介紹：

HTRB是分立器件可靠性最重要的一個(gè)試驗(yàn)項(xiàng)目，其目的是暴露時(shí)間、應(yīng)力相關(guān)的缺陷，這些缺陷通常是鈍化層的可移動(dòng)離子或溫度驅(qū)動(dòng)的雜質(zhì)。半導(dǎo)體器件對雜質(zhì)高度敏感，制造過程中有可能引入雜質(zhì)。雜質(zhì)在強(qiáng)電場作用下會(huì)呈現(xiàn)加速移動(dòng)或擴(kuò)散現(xiàn)象，最終雜質(zhì)將擴(kuò)散至半導(dǎo)體內(nèi)部導(dǎo)致失效。同樣的晶片表面鈍化層損壞后，雜質(zhì)可能遷移到晶片內(nèi)部導(dǎo)致失效，HTRB試驗(yàn)可以使這些失效加速呈現(xiàn)，排查出異常器件。

基本半導(dǎo)體碳化硅二級(jí)管的HTRB實(shí)驗(yàn)溫度為175℃，高于一般測試標(biāo)準(zhǔn)的150℃。器件175℃的環(huán)境溫箱里被施加80%的反壓，會(huì)出現(xiàn)漏電現(xiàn)象。如果在1000小時(shí)內(nèi)漏電參數(shù)未超出規(guī)格底線，且保持穩(wěn)定不發(fā)生變化，說明器件設(shè)計(jì)和封裝組合符合標(biāo)準(zhǔn)。

原文標(biāo)題：季豐新增加HTRB機(jī)臺(tái)了

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審核編輯：湯梓紅