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NP1208MR 12V p通道增強模式MOSFET

微雨問海棠 ? 來源:微雨問海棠 ? 作者:微雨問海棠 ? 2022-07-05 15:39 ? 次閱讀
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描述

NP1208MR采用了先進的溝槽技術(shù)

提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和

工作電壓低至1.8V。這

該器件適用于作為負載開關(guān)或PWM

應(yīng)用程序。

一般特征

?VDS = -12v, id = -8a

RDS(上)(Typ) = 14.8Ω@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 20.3Ω@VGS = -2.5 v

?高功率和電流處理能力

?獲得無鉛產(chǎn)品

?表面安裝包

應(yīng)用程序

?PWM程序

?負荷開關(guān)

?SOT-23-3L

pYYBAGLD6iGAOiSVAABjIW4vt7w468.png

訂購信息

pYYBAGLD6kOAHGQAAAA3blaljh4044.png

絕對最大額定值(除非另有說明,TA=25℃)

pYYBAGLD6mOAfyp8AACWcQ1jm6g986.png

電特性(除非另有說明,TA=25℃)

poYBAGLD6oKAXguXAAIWpshgaWA925.png

熱特性

pYYBAGLD6pqAYy-dAABslTJZU70682.png

A.將設(shè)備安裝在1in2上測量RθJA的值

FR-4板與2oz。銅,在靜止的空氣環(huán)境中與

TA = 25°C。在任何給定的應(yīng)用程序中的值取決于用戶的特定板設(shè)計。

B.功率損耗PD是基于TJ(MAX)=150℃,采用≤10s的結(jié)環(huán)境熱阻。

C.重復(fù)額定值,脈寬受結(jié)溫TJ(MAX)=150°C限制。額定值是基于低頻率和職責

審核編輯 黃昊宇

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