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NP3415EVR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET

微雨問(wèn)海棠 ? 來(lái)源:微雨問(wèn)海棠 ? 作者:微雨問(wèn)海棠 ? 2022-07-06 16:10 ? 次閱讀
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描述

NP3415EVR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)

提供卓越的RDS(ON)

?V

,低柵極電荷和

工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備

適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM

應(yīng)用程序。

一般特征

DS = -20 v, ID

R

= 4

DS(上)(Typ) = 38 mΩ@VGS = -2.5 v

R DS(上)(Typ) = 46米Ω@VGS

?高功率和電流處理能力

= -4.5 v

?獲得無(wú)鉛產(chǎn)品

?表面安裝包

?ESD額定電壓:2500V HBM

應(yīng)用程序

?PWM程序

?負(fù)荷開關(guān)

?SOT-23

poYBAGLFQtmAIbKsAACEX8lYGsc132.png

訂購(gòu)信息

poYBAGLFQvOAC3T5AAA3D-DiZVY245.png

絕對(duì)最大額定值(除非另有說(shuō)明,TA=25℃)

poYBAGLFQxGABLd8AACiIANPgZE474.png

pYYBAGLFQyOARAhPAABV5NMG3pw752.png

熱特性

pYYBAGLFQzuAMyyrAABRbeuCUvw633.png

注:

a. TC = 25℃。

b.表面安裝在1“x 1”FR4單板上。

c.t = 5秒。

d.穩(wěn)態(tài)條件下的最大值為175°C/W。

電特性(除非另有說(shuō)明,TA=25℃)

poYBAGLFQ1-AfyM2AAHgCoG37gc237.png


審核編輯 黃昊宇

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