NP50P02QR 20V p通道增強模式MOSFET
描述
NP50P02QR采用了先進的戰(zhàn)壕
技術(shù)和設計，提供優(yōu)秀的RDS(ON)與
門費用低。它可以用于各種各樣的
應用程序。
一般特征
?VDS = -20v, id = -50a
RDS(上)(Typ) = 5.5Ω@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 6.5Ω@VGS = -2.5 v
?用于超低RDS(ON)的高密度電池設計
?充分描述雪崩電壓和電流
?穩(wěn)定性好，均勻性好，EAS高
?優(yōu)秀的包裝，良好的散熱
應用程序
?負荷開關(guān)
包
?PDFN3 * 3-8L
訂購信息
絕對最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)
電特性(除非另有說明，TA=25℃)
注:1:脈沖測試;脈沖寬度≦300ns，占空比≦2%。
2:設計保證，不經(jīng)生產(chǎn)檢驗。
熱特性
審核編輯 黃昊宇
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