前段時間，Soitec宣布8英寸SiC量產(chǎn)，而且還投資23億建線（。點這里。），更為關(guān)鍵的是他們號稱能讓單塊SiC晶錠產(chǎn)量增加10倍，使SiC MOSFET芯片尺寸縮小5-15%。

很多人都很好奇Soitec的技術(shù)細(xì)節(jié)，最近，“行家說三代半”拿到了他們的技術(shù)文獻(xiàn)，今天就給大家分享一下。

插播：7月7日，欣銳科技、英飛凌、Wolfspeed、三菱電機、芯干線、百識電子和恒普科技等企業(yè)“大咖”，將參與“新能源趨勢下第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化發(fā)展論壇”，發(fā)布最新技術(shù)報告，報名點文末“閱讀原文”。

SiC功率器件已成為廣泛應(yīng)用的突破性技術(shù)，風(fēng)靡汽車牽引逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、車載充電器或充電站等領(lǐng)域。

但是目前，4H-SiC材料質(zhì)量和供應(yīng)限制了碳化硅在汽車等領(lǐng)域的爆發(fā)，因為這些領(lǐng)域?qū)μ蓟枰r底的質(zhì)量要求非常高，而目前業(yè)界還很難提供近乎無缺陷的襯底晶圓。

Soite認(rèn)為，他們通過Smart Cut技術(shù)，制造的SmartSiC襯底，具有非常高的質(zhì)量，能夠優(yōu)化器件良率。

SmartSiC的制作步驟如下，這種方式的好處可以參考之前的報道：

圖1:SmartSiC 襯底制造工藝

SmartSiC襯底概念圖如下：

圖2： SmartSiC襯底

目前，Soitec已經(jīng)展示了SmartSiC開發(fā)樣品，并可用于器件評估。

4H-SiC 襯底（左）和 SmartSiC襯底（右）

根據(jù)文獻(xiàn)，Soitec通過多晶SiC襯底的開發(fā)，制作了電阻率低至 5mΩ.cm或更小的碳化硅晶片。從整個堆棧來看，對應(yīng)的垂直電阻為0.22mΩ.cm2（或更小）。

350μm的SmartSiC電阻率與100μm的 4H SiC相當(dāng)，比常規(guī)180μm的碳化硅襯底的電阻率降低了35%。

此外，多晶SiC襯底的另一個好處是能夠提高材料的機械性能，從而使磨削下的變形可以忽略不計。與Bulk SiC 參考相比，優(yōu)化的多晶SiC磨削至180μm變形得到改善。

同時，Soitec還證明了SmartSiC襯底比供體晶圓更低的晶體缺陷率。

顯微鏡和 AFM 圖像顯示，SmartSiC的 TED、TSD 和 BPB都得到了明顯的優(yōu)化。

通過對比可以發(fā)現(xiàn)，Smart Cut 不會引入新的晶體缺陷。

為此，該公司認(rèn)為，他們的SmartSiC在功率器件應(yīng)用方面具有巨大潛力，不僅可以提高性能，而且可以提高可制造性。

原文標(biāo)題：電阻率降低35%！Soitec公布碳化硅技術(shù)細(xì)節(jié)

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