我國(guó)是世界最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)；隨著電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)崛起；電動(dòng)汽車(chē)已成為汽車(chē)產(chǎn)業(yè)未來(lái)的主要成長(zhǎng)動(dòng)能；新能源汽車(chē)需求帶動(dòng)MOSFET及IGBT持續(xù)增長(zhǎng)；作為其核心部件的IGBT產(chǎn)品具有廣闊的市場(chǎng)前景。

IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?俗稱(chēng)電力電子裝置的“CPU”,采用IGBT進(jìn)行功率變換,能夠提高用電效率和質(zhì)量,具有高效節(jié)能和綠色環(huán)保的特點(diǎn),是解決能源短缺問(wèn)題和降低碳排放的關(guān)鍵支撐技術(shù),被譽(yù)為綠色能源的“核芯”。

目前國(guó)內(nèi)的晶閘管、晶圓片部分二極管、防護(hù)器件等仍以4寸線(xiàn)為主流；平面可控硅芯片、肖特基二極管、IGBT模塊配套用高電壓大通流整流芯片，低電容、低殘壓等保護(hù)器件芯片和部分MOSFET等以6寸線(xiàn)為主流；

電動(dòng)汽車(chē)使用到IGBT的裝置主要有五項(xiàng)(包含逆變器、直流/交流電變流器、車(chē)載充電器、電力監(jiān)控系統(tǒng)以及其他附屬系統(tǒng))，其中，逆變器、直流/交流電變流器以及車(chē)載充電器對(duì)電動(dòng)汽車(chē)性能表現(xiàn)影響最為關(guān)鍵；IGBT是影響電動(dòng)車(chē)性能的關(guān)鍵技術(shù)，其成本占整車(chē)成本的5%左右。

對(duì)于電動(dòng)車(chē)而言，IGBT直接控制驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)直、交流電的轉(zhuǎn)換，決定了車(chē)輛的扭矩和最大輸出功率等。

高功率IGBT是電動(dòng)車(chē)馬達(dá)系統(tǒng)的關(guān)鍵元件及能量耗損之處，一旦馬達(dá)系統(tǒng)效率提升，將能帶動(dòng)電動(dòng)車(chē)速度、降低散熱系統(tǒng)需求并提高電池續(xù)航力；

臺(tái)灣茂矽電子降低晶圓導(dǎo)通電阻，通過(guò)六寸晶圓降低IGBT製造成本并得到較高的良率，并改善電動(dòng)車(chē)關(guān)鍵零組件多得向英飛凌（Infineon）、意法半導(dǎo)體（ST）等國(guó)外大廠(chǎng)購(gòu)買(mǎi)的情形。

目前市面上出現(xiàn)的晶圓直徑主要是150mm、200mm、300mm，分別對(duì)應(yīng)6英寸、8英寸、12英寸的晶圓；國(guó)產(chǎn)芯片在晶圓的產(chǎn)能上，也就是在6寸上有優(yōu)勢(shì)；

全球10大8”晶圓廠(chǎng)約有40座,其中33座在亞洲(臺(tái)灣15座,中國(guó)8座)在2019-2021產(chǎn)能僅擴(kuò)廠(chǎng)5%,仍不足以滿(mǎn)足后續(xù)電動(dòng)車(chē)與工業(yè)控制市場(chǎng),導(dǎo)致IGBT持續(xù)漲價(jià)。

由工采網(wǎng)代理的臺(tái)灣茂矽電子推出的IGBT晶圓 - P81MV022NL0013P是一款1200V、40A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片；1200V壕溝和現(xiàn)場(chǎng)停止技術(shù)；低開(kāi)關(guān)損耗；正溫度系數(shù)；簡(jiǎn)單的平行技術(shù)。

芯片圖：

茂矽電子成立于1987年，晶圓制造長(zhǎng)期聚焦在功率半導(dǎo)體元件及電源管理IC領(lǐng)域，以MOS管、IGBT，模擬芯片、二極管等產(chǎn)品為主，打破國(guó)外壟斷現(xiàn)象。

ISweek工采網(wǎng)與茂矽電子強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，給國(guó)內(nèi)客戶(hù)提供更有效的技術(shù)支持和專(zhuān)業(yè)服務(wù)。