功率器件靜態(tài)參數(shù)系統(tǒng)測試項目和指標
參數(shù)指標
| 項目 | 參數(shù) | |
| 集電極-發(fā)射極 | Z大電壓. | 3000V |
| Z大電流 | 1000A | |
| 精度 | 0.10% | |
| 漏電流測試量程 | 1uA~100mA | |
| 柵極-發(fā)射極 | Z大電壓. | 300V |
| Z大電流 | 1A(直流)/10A(脈沖) | |
| 精度 | 0.10% | |
| Z小電壓分辨率 | 30uV | |
| Z小電流分辨率 | 10pA |
可測項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces
集電極-發(fā)射極飽和電壓Vce sat
集電極電流Ic，集電極截止電流Ices
柵極漏電流Iges，柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
柵極電阻Rg
電容測量
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)特色：
單臺Z大3000V輸出；
單臺Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大4000A；
10us的超快電流上升沿；
同步測量；
國標全指標的自動化測試
審核編輯 黃昊宇
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
系統(tǒng)測試
+關注
關注
2文章
37瀏覽量
15200 -
功率器件
+關注
關注
43文章
2225瀏覽量
95506
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
「聚焦半導體分立器件綜合測試系統(tǒng)」“測什么？為什么測！用在哪？”「深度解讀」
器件（如 IGBT 模塊），測試其高功率、高頻特性。
新能源行業(yè)：光伏逆變器、儲能系統(tǒng)中的整流二極管、MOSFET，測試耐高壓、低損耗
發(fā)表于 01-29 16:20
分立器件的靜態(tài)參數(shù)要測試哪些？這些參數(shù)對器件有什么影響？
在電子設計中，分立器件（如晶體管、二極管、集成電路等）是構(gòu)成復雜電路的基礎組件。為了確保其性能穩(wěn)定、可靠，必須對其進行靜態(tài)參數(shù)測試。
半導體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)STD2000X使用價值和選型參考
半導體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)在半導體研發(fā)、生產(chǎn)、質(zhì)量控制及應用中具有重要的使用價值和意義，主要體現(xiàn)在以下幾個方面： 1. 技術價值：確保
STD2000X：半導體分立器件靜態(tài)電性測試的全場景解決方案
在半導體設計與制造過程中，器件性能的精確測試是確保產(chǎn)品可靠性與一致性的關鍵環(huán)節(jié)。蘇州永創(chuàng)智能科技有限公司推出的 STD2000X 半導體靜態(tài)電性測試
半導體器件的通用測試項目都有哪些？
隨著新能源汽車、光伏儲能以及工業(yè)電源的迅速發(fā)展，半導體器件在這些領域中的應用也愈發(fā)廣泛，為了提升系統(tǒng)的性能，半導體器件系統(tǒng)正朝著更高效率、更高功率
基于Moku的功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)：精準、高效、經(jīng)濟的一體化測試方案
摘要隨著SiC、GaN等新型功率器件的廣泛應用，功率器件動態(tài)參數(shù)測試對
華科智源IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀
HUSTEC華科智源HUSTEC-1600A-MTIGBT功率器件測試儀一：IGBT功率器件測試
半導體分立器件測試系統(tǒng)的用途及如何選擇合適的半導體分立器件測試系統(tǒng)
? 半導體分立器件測試系統(tǒng)是用于評估二極管、晶體管、晶閘管等獨立功能器件性能的專業(yè)設備。 一、核心功能 ? 參數(shù)
半導體器件CV特性/CV特性測試的定義、測試分析和應用場景
一、基本概念 CV特性 （電容-電壓特性）是指半導體器件在不同偏置電壓下表現(xiàn)出的電容變化規(guī)律，主要用于分析器件的介電特性、載流子分布和界面狀態(tài)。該特性是評估功率器件性能的核心
如何正確選購功率半導體器件靜態(tài)參數(shù)測試機？
主要的功率半導體器件特性分為靜態(tài)特性、動態(tài)特性、開關特性。這些測試中最基本的測試就是靜態(tài)
功率器件測量系統(tǒng)參數(shù)明細
輸出與測量能力，滿足最苛刻的功率器件靜態(tài)、動態(tài)參數(shù)測試需求 選型指南： 應用領域 晶圓級測試(C
發(fā)表于 07-29 16:21
半導體分立器件測試的對象與分類、測試參數(shù)，測試設備的分類與測試能力
半導體分立器件測試是對二極管、晶體管、晶閘管等獨立功能半導體器件的性能參數(shù)進行系統(tǒng)性檢測的過程，旨在評估其電氣特性、可靠性和適用性。以下是主
IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)
HUSTEC華科智源 HUSTEC-1600A-MT IGBT功率器件測試儀 一：IGBT功率器件測試
晶體管參數(shù)測試系統(tǒng)/測試儀主要功能，應用場景
晶體管參數(shù)測試系統(tǒng)是用于評估半導體分立器件電氣性能的專業(yè)儀器設備，其核心功能是對晶體管的靜態(tài)/動態(tài)參數(shù)
功率器件靜態(tài)參數(shù)有哪些？怎樣去測量？用什么設備更好？
功率器件靜態(tài)參數(shù)分類與解析 功率器件的靜態(tài)
評論