Prisemi芯導小型化功率器件系列全面上線

芯導電子針對手環(huán)/手表等應(yīng)用推出一系列小型化的功率器件,既可以滿足工程師高性能要求，又滿足了更小的封裝需求，研發(fā)再也不用擔心器件放不下啦。

小型化功率器件-TVS

TVS(Transient Voltage Suppressor)二極管，又稱為瞬態(tài)抑制二極管，是普遍使用的一種新型高效電路保護器件，它具有極快的響應(yīng)時間（亞納秒級）和相當高的浪涌吸收能力。當它的兩端經(jīng)受瞬間的高能量沖擊時，TVS能以極高的速度把兩端間的阻抗值由高阻抗變?yōu)榈妥杩?，以吸收一個瞬間大電流，把它的兩端電壓箝制在一個預定的數(shù)值上，從而保護后面的電路元件不受瞬態(tài)高壓尖峰脈沖的沖擊。

在選用TVS時，應(yīng)考慮以下幾個主要因素：

→ 若TVS有可能承受來自兩個方向的尖峰脈沖電壓(浪涌電壓)沖擊時，應(yīng)當選用雙極性的，否則可選用單極性。

→ 所選用TVS的Vc值應(yīng)低于被保護元件的最高電壓。Vc是二極管在截止狀態(tài)的電壓，也就是在ESD沖擊狀態(tài)時通過TVS的電壓，它不能大于被保護回路的可承受極限電壓，否則器件面臨被損壞的危險。

→ TVS在正常工作狀態(tài)下不要處于擊穿狀態(tài)，最好處于VR以下，應(yīng)綜合考慮VR和VC兩方面的要求來選擇適當?shù)腡VS。

如下圖的0201 TVS，DFN0603封裝，結(jié)構(gòu)參數(shù)如下：

更多產(chǎn)品型號可參考如下數(shù)據(jù)：

小型化功率器件-MOSFET

MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。

一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source（源極）和drain（耗盡層）是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

場效應(yīng)管分為PMOS管和NMOS管，屬于絕緣柵場效應(yīng)管。

如下圖的0402 MOS，DFN1006-3L封裝，結(jié)構(gòu)參數(shù)如下：

更多產(chǎn)品型號可參考如下數(shù)據(jù)（單擊圖片可放大）：

小型化功率器件-三極管

三極管，全稱應(yīng)為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關(guān)。

晶體三極管具有電流放大作用，其實質(zhì)是三極管能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。這是三極管最基本的和最重要的特性。我們將ΔIc/ΔIb的比值稱為晶體三極管的電流放大倍數(shù)，用符號“β”表示。電流放大倍數(shù)對于某一只三極管來說是一個定值，但隨著三極管工作時基極電流的變化也會有一定的改變。

如下圖的0402 三極管，DFN1006-3L封裝，結(jié)構(gòu)參數(shù)如下：

更多產(chǎn)品型號可參考如下數(shù)據(jù)（單擊圖片可放大）：

審核編輯：湯梓紅