PRISEMI芯導(dǎo)低電容、小封裝成為ESD保護(hù)器件未來發(fā)展趨勢(shì)
近年,市場(chǎng)對(duì)于防雷及ESD靜電保護(hù)組件的需求,大致可分為兩大發(fā)展方向。一是越來越低的等效電容,這是由于近年各項(xiàng)傳輸port的加速發(fā)展,帶動(dòng)帶寬越來越大且速度越來越快,例如USB 3.0的數(shù)據(jù)傳輸速度達(dá)到5Gbps,比現(xiàn)有的USB 2.0快上十倍;Thunderbolt的數(shù)據(jù)傳輸速度更高達(dá)10Gbps,使得客戶端對(duì)于ESD靜電保護(hù)組件的等效電容要求越來越嚴(yán)苛。對(duì)于保護(hù)組件廠商而言,如何降低等效電容已成為主要產(chǎn)品的技術(shù)發(fā)展方向。
另一主要趨勢(shì)則是小型化封裝。面向小型化封裝的趨勢(shì),防雷擊和ESD靜電保護(hù)組件小型化的趨勢(shì)也越來越明顯。特別是超極本、平板計(jì)算機(jī)及智能手機(jī)等產(chǎn)品蓬勃發(fā)展,更顯得客戶端對(duì)此需求越來越殷切。如SOT-26的需求慢慢轉(zhuǎn)至SOT-363,甚至SOT563等封裝產(chǎn)品。此外,從手機(jī)客戶的材料清單(BOM)中可看到由DFN1006封裝轉(zhuǎn)至更小的DFN0603封裝的需求,這些都顯示小型化的封裝趨勢(shì)。
Prisemi推出的電容值<0.5pf的低電容ESD產(chǎn)品,是市場(chǎng)上的主流低電容ESD保護(hù)產(chǎn)品,后續(xù)將推出電容值<0.1pf的ESD產(chǎn)品。
針對(duì)小型化趨勢(shì),Prisemi近期推出了DFN0603封裝的全系列ESD保護(hù)器件,該封裝尺寸僅為0.6 x 0.3 x 0.3毫米,比使用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)DFN1006及SOD923封裝的同類產(chǎn)品節(jié)省約66%的電路板空間。此外,DFN0603封裝更比同類型封裝薄25%,在離板厚度上占盡優(yōu)勢(shì)。

審核編輯 黃昊宇
-
ESD
+關(guān)注
關(guān)注
50文章
2428瀏覽量
180458 -
電容
+關(guān)注
關(guān)注
100文章
6530瀏覽量
160199 -
保護(hù)器件
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
352瀏覽量
14322
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
SGM12UB1D2:超低壓電容單通道ESD保護(hù)器件解析
SGM18CB1B3:高性能低電容ESD保護(hù)器件解析
SGM18UB1E1:18V超低電容單通道ESD保護(hù)器件解析
SGM05HU1AW:5V單向ESD和浪涌保護(hù)器件解析
探秘SGM15CB1A4:低電容ESD保護(hù)的理想之選
SGM15UB1E2:超低壓電容單通道ESD保護(hù)器件詳解
SGM05UB1B3:超低壓電容單通道ESD保護(hù)器件的深度解析
SGM05FB2E2:高性能ESD保護(hù)器件的設(shè)計(jì)與應(yīng)用解析
SGM12CB1A5:低電容單通道ESD保護(hù)器件解析
深入解析SGM05CB1A7低電容單通道ESD保護(hù)器件
SGM05CB1A8:低電容單通道ESD保護(hù)器件的全方位解析
SGM05CB1A4:低電容單通道ESD保護(hù)器件的技術(shù)剖析與應(yīng)用指南
ESD保護(hù)器件LESD5Z5.0C系列規(guī)格書
物聯(lián)網(wǎng)未來發(fā)展趨勢(shì)如何?
晶揚(yáng)電子超低電容ESD保護(hù)器件TT0501SZ產(chǎn)品介紹
PRISEMI芯導(dǎo)低電容小封裝成為ESD保護(hù)器件未來發(fā)展趨勢(shì)
評(píng)論