碳化硅正被用于多種電力應用。ROHM 與意法半導體之間的協(xié)議將增加其在行業(yè)中的廣泛采用。

汽車和工業(yè)市場都在加速采用SiC 材料的能源解決方案。制造碳化硅 (SiC) 晶圓的過程比制造硅晶圓要復雜得多，而且隨著對 SiC 器件的需求不斷增加，制造它們的公司必須確定 SiC 晶圓的來源。

例如，羅姆和意法半導體最近簽署了一項多年協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，SiCrystal（羅姆集團的一部分）將向意法半導體提供價值超過 1.2 億美元的 150 毫米 SiC 晶圓。SiCrystal 將為意法半導體提供單晶碳化硅晶圓襯底（圖 1）。

為什么這個這么重要？因為 SiC 的特性特別適用于電動汽車、快速充電站、可再生能源和各種工業(yè)應用中使用的各種功率元件和設(shè)備。

圖 1：碳化硅晶圓（圖片：意法半導體）

碳化硅在能源方面具有許多優(yōu)勢，這就是為什么它與它的表親 GaN 一樣，一直是并將成為新電力電子產(chǎn)品開發(fā)的關(guān)注焦點。

它們是主要的寬帶隙（WBG）半導體材料。SiC 可以承受更高的電壓，比典型的硅高 10 倍。這意味著在高壓電子應用中使用的串聯(lián)組件更少，從而降低了復雜性和系統(tǒng)成本。

SiC（肖特基勢壘二極管 (SBD) 已經(jīng)在半導體行業(yè)中取代硅。GaN 可能成為特定市場的有力競爭者。采用 SBD 的逆變器顯著降低了恢復損耗，從而提高了效率。電源設(shè)計必須牢記幾個要求，包括空間和重量，這與效率一起發(fā)揮著重要作用。

SiC SBD 越來越多地應用于開關(guān)模式電源中的功率因數(shù)校正 (PFC) 電路和次級側(cè)橋式整流器。ROHM SiC SBD 產(chǎn)品組合包括 600-V 和 1,200-V 模塊，電流額定值范圍為 5 A 至 40 A。

傳統(tǒng)電力電子設(shè)備的效率沒有充分利用半導體的全部質(zhì)量，以熱量的形式損失了大約 15% 的效率。由于其物理特性，SiC 半導體材料具有滿足這些市場趨勢要求的巨大潛力。較低的損耗對應于較低的熱量產(chǎn)生，這反映在更直接、更便宜、更小和更輕的冷卻系統(tǒng)中，因此更高的功率密度。低開關(guān)損耗允許提高開關(guān)頻率并減小組件尺寸。尺寸的減小或多或少與頻率的增加成正比。

SiCrystal GmbH 全球銷售和營銷負責人 Markus Kr?mer 表示：“基于電動汽車的應用場景，汽車制造商對電力電子系統(tǒng)提出了各種要求。其中包括對溫度變化的抵抗力、抗振性、不同溫度下的操作可靠性以及長壽命。

“此外，集成系統(tǒng)對高功率密度的要求已經(jīng)被汽車制造商認為是不言而喻的。此外，整個系統(tǒng)成本以及產(chǎn)品設(shè)計階段的工作量都必須保持在較低水平，同時還必須保證產(chǎn)品質(zhì)量和操作安全。所有這些要點以及我們目前認識到未來幾年對 SiC 產(chǎn)品的強勁需求增長這一事實強調(diào)了我們需要為客戶提供高質(zhì)量的基板。該協(xié)議證實，從 SiC 基板到組件和模塊的成熟供應鏈至關(guān)重要?！?/p>

隨著時間的推移，我們所知道的硅可能會逐漸被淘汰。與硅相比，SiC 顯然具有許多優(yōu)勢，但在成本和生產(chǎn)工藝方面仍需要改進。市場需要高效的設(shè)備，能夠處理高電壓和電流，并且能夠在比硅高得多的溫度下工作。新興產(chǎn)業(yè)對 SiC 和 GaN 有著強烈的需求。

從 2019 年到 2025 年，全球碳化硅市場預計將以 15.7% 的復合年增長率增長。該產(chǎn)品在電力電子設(shè)備中的使用越來越多，尤其是在電動汽車中，預計將保持更顯著的增長。

“到 2020 年 1 月，SiC 的市場規(guī)模約為 4.08 億歐元，”Kr?mer 說?！拔覀冾A計市場將進一步提振；因此，對 SiC 的擴展做出了很大貢獻。此外，我們相信 8 英寸市場將隨著 SiC 市場的增長而加速發(fā)展?！?/p>

審核編輯 黃昊宇