日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

多種柔性神經(jīng)形態(tài)晶體管的研究進展

MEMS ? 來源:麥姆斯咨詢 ? 作者:麥姆斯咨詢 ? 2022-08-15 10:07 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

生物感知系統(tǒng)具有高并行、高容錯、自適應和低功耗等獨特優(yōu)點。采用神經(jīng)形態(tài)器件實現(xiàn)生物感知功能的仿生,在腦機接口、智能感知、生物假體等領域具有重大應用前景。然而,傳統(tǒng)剛性神經(jīng)形態(tài)晶體管很難實現(xiàn)彎曲變形以及和人體密切貼合,限制了神經(jīng)形態(tài)器件應用范圍。所以,具有良好彎曲特性的柔性神經(jīng)形態(tài)晶體管的研究成為了最近的研究重點。

據(jù)麥姆斯咨詢報道,近期,來自南京大學電子科學與工程學院的研究人員概述了多種柔性神經(jīng)形態(tài)晶體管的研究進展,包括器件結(jié)構(gòu)、工作原理和基本功能以及上述柔性神經(jīng)形態(tài)晶體管在仿生感知領域中的應用,并對上述研究領域進行了總結(jié)和簡單展望,相關(guān)論文發(fā)表于《物理學報》期刊。

表1 不同類型柔性突觸晶體管比較

9caf17aa-1c2d-11ed-ba43-dac502259ad0.png


柔性電解質(zhì)柵突觸晶體管

電解質(zhì)柵晶體管(electrolyte-gate transistor,EGT)具有低工作電壓和與突觸、神經(jīng)元類似的動力學行為等優(yōu)點,在神經(jīng)形態(tài)電子學中引起了極大的關(guān)注。有研究人員制備了以殼聚糖/氧化石墨烯復合薄膜為柵介質(zhì)、銦鎵鋅氧(IGZO)為溝道的自支撐神經(jīng)形態(tài)晶體管,在設計智能警報系統(tǒng)和人工眼睛方面具有較大的應用潛力。

9cc1a12c-1c2d-11ed-ba43-dac502259ad0.png


(a)自支撐光電神經(jīng)形態(tài)晶體管示意圖;(b)光刺激角膜傷害感受器示意圖;(c) IGZO晶體管中光學響應的能帶圖

柔性鐵電突觸晶體管

柔性鐵電場效應晶體管(ferroelectric fieldeffect transistor,F(xiàn)eFET)具有無損讀出、低功耗和高運行速度等優(yōu)點,在非易失性存儲、人工突觸等領域得到廣泛應用。

有研究人員設計了基于自支撐鐵電有機神經(jīng)形態(tài)晶體管(ferroelectric organic neuromorphic transistors,F(xiàn)ONTs)的超薄人工突觸,該器件以P(VDF-TrFE)薄膜為柵介質(zhì)、并五苯為溝道,總厚度只有500nm左右。通過簡單的干剝離和粘貼方法,制備的器件可以穩(wěn)定地轉(zhuǎn)移到各種不平整的襯底上。另外,通過精確調(diào)節(jié)P(VDF-TrFE)的剩余極化,成功地模擬了EPSC、LTP、LTD、STDP等重要的突觸性能,并且FONTs在施加6000次突觸前脈沖依然能獲得穩(wěn)定的LTP、LTD轉(zhuǎn)換,展現(xiàn)出在可穿戴智能電子領域的巨大應用潛力。

9ced8cb0-1c2d-11ed-ba43-dac502259ad0.png


(a)以 P(VDF-TrFE) 薄膜為柵介質(zhì)的自支撐有機神經(jīng)形態(tài)晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖;(b)貼合在大腦形狀模型(上圖)和彎曲半徑為50μm的FONTs(下圖)照片

柔性浮柵突觸晶體管

浮柵場效應晶體管具有和傳統(tǒng)場效應晶體管相似的器件結(jié)構(gòu),區(qū)別在于浮柵場效應晶體管的柵介質(zhì)中間夾了一層存儲功能層,稱之為“浮柵”。在編程過程中,當柵極電壓足夠大并且隧穿層足夠薄時,可以通過量子隧穿效應或熱發(fā)射將電荷注入到浮柵上。由于電荷阻擋層和隧穿層的存在,浮柵中的電荷可以被非易失的存儲,進而對溝道電導進行非易失性的調(diào)制。浮柵晶體管能夠?qū)系离妼нM行調(diào)制并且長期保持的能力,可以用來有效地記錄突觸權(quán)重,因此成為最流行的突觸結(jié)構(gòu)之一。

9d217e80-1c2d-11ed-ba43-dac502259ad0.png


基于MoS2的光電雙調(diào)控的柔性人工異突觸示意圖

仿生感知應用

使用神經(jīng)形態(tài)器件構(gòu)建人工神經(jīng)系統(tǒng)可以有力地推動腦機接口、智能感知、生物假體等領域的發(fā)展。而構(gòu)建人工神經(jīng)系統(tǒng)需要開發(fā)能夠?qū)崟r感知外界刺激、對傳感信息進行處理和存儲,并做出反應的智能仿生感知系統(tǒng)。

研究人員報告了一種高集成密度、對光具有非凡靈敏度的32 × 32柔性傳感器陣列,光電傳感器同時充當光感受器和生物突觸,可以直接響應光刺激并進行預處理,碳納米管(carbon nanotubes,CNTs)和鈣鈦礦CsPbBr3(CPB)量子點(quantum dot,QD)組成的溝道在光生載流子的分離和傳輸中起關(guān)鍵作用,實現(xiàn)了高響應度(5.1 × 10?A/W)和超高比檢測率(2×101? Jones)。

9d4b5048-1c2d-11ed-ba43-dac502259ad0.png

(a)以CNTs/CsPbBr3-QDs為溝道的光電晶體管示意圖;(b)當觀察到陌生和熟悉的面孔時, 人類視覺系統(tǒng)印象的示意圖;(c)不同訓練脈沖數(shù)的訓練權(quán)重結(jié)果;(d)模擬人臉的學習過程

總體而言,目前對于柔性神經(jīng)形態(tài)晶體管的研究仍然局限在單個器件或小規(guī)模陣列,開發(fā)大規(guī)模集成的類腦芯片來處理實際的人工智能任務仍然是個挑戰(zhàn),這對器件的一致性、可靠性、可擴展性都提出了更高的要求。此外,由于生物神經(jīng)網(wǎng)絡是一個高度復雜的三維網(wǎng)絡,因此,類腦芯片要實現(xiàn)類似生物神經(jīng)網(wǎng)絡的復雜度,可能需要三維集成技術(shù)。具有良好可彎曲特性的柔性神經(jīng)形態(tài)器件為未來智能感知、神經(jīng)修復、軟機器人等領域的發(fā)展帶來了新的機遇。目前的仿生感知系統(tǒng)還處在比較原始的實驗室研究階段,還只能初步模擬生物對外界環(huán)境的傳感和響應過程,未來還需要進一步優(yōu)化神經(jīng)形態(tài)器件特性并尋找能夠?qū)崿F(xiàn)多感知融合與集成的技術(shù)方案,從而實現(xiàn)超低功耗智能感知系統(tǒng)的實際應用。

論文鏈接:
http://dx.doi.org/10.7498/aps.71.20220308

審核編輯 :李倩

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    78

    文章

    10443

    瀏覽量

    148696
  • 電解質(zhì)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    6

    文章

    840

    瀏覽量

    21528
  • 仿生
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    36

    瀏覽量

    8610

原文標題:柔性神經(jīng)形態(tài)晶體管及其仿生感知應用

文章出處:【微信號:MEMSensor,微信公眾號:MEMS】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    半導體晶體管的發(fā)明歷史

    1947年12月16 日美國貝爾(Bell)實驗室的J.Bardeen(1908-1991)和W,Brattain(1902一1987)研究成功一種嶄新的電子器件----半導體晶體管。
    的頭像 發(fā)表于 03-31 14:49 ?399次閱讀
    半導體<b class='flag-5'>晶體管</b>的發(fā)明歷史

    晶體管入門:BJT 與 MOSFET 的控制差異#晶體管 #BJT #MOSFET? #場效應 #電子放大

    晶體管
    安泰小課堂
    發(fā)布于 :2025年12月05日 17:20:57

    MUN5136數(shù)字晶體管技術(shù)解析與應用指南

    onsemi MUN5136數(shù)字晶體管旨在取代單個器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡。這些數(shù)字晶體管包含一個晶體管和一個單片偏置網(wǎng)絡,單片偏置網(wǎng)絡由兩個電阻器組成,一個是串聯(lián)基極電阻器,另一個是基極-發(fā)射極
    的頭像 發(fā)表于 11-24 16:27 ?978次閱讀
    MUN5136數(shù)字<b class='flag-5'>晶體管</b>技術(shù)解析與應用指南

    電壓選擇晶體管應用電路第二期

    電壓選擇晶體管應用電路第二期 以前發(fā)表過關(guān)于電壓選擇晶體管的結(jié)構(gòu)和原理的文章,這一期我將介紹一下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示: 當輸入電壓Vin等于電壓選擇晶體管QS的柵極控制電壓時
    發(fā)表于 11-17 07:42

    晶體管的定義,晶體管測量參數(shù)和參數(shù)測量儀器

    晶體管是一種以半導體材料為基礎的電子元件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓和信號調(diào)制等多種功能?。其核心是通過控制輸入電流或電壓來調(diào)節(jié)輸出電流,實現(xiàn)信號放大或電路開關(guān)功能?。 基本定義 晶體管泛指
    的頭像 發(fā)表于 10-24 12:20 ?755次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>的定義,<b class='flag-5'>晶體管</b>測量參數(shù)和參數(shù)測量儀器

    晶體管的基本結(jié)構(gòu)和發(fā)展歷程

    隨著集成電路科學與工程的持續(xù)發(fā)展,當前集成電路已涵蓋二極、晶體管、非易失性存儲器件、功率器件、光子器件、電阻與電容器件、傳感器件共 7 個大族,衍生出 100 多種不同類型的器件,推動集成電路技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 09-22 10:53 ?2021次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>的基本結(jié)構(gòu)和發(fā)展歷程

    0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管 skyworksinc

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,0.45-6.0
    發(fā)表于 09-18 18:33
    0.45-6.0 GHz 低噪聲<b class='flag-5'>晶體管</b> skyworksinc

    【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗】+神經(jīng)形態(tài)計算、類腦芯片

    幾年神經(jīng)元計算及類腦芯片的重大進展。 一、云端使用的神經(jīng)形態(tài)計算與類腦芯片 神經(jīng)形態(tài)計算旨在設計
    發(fā)表于 09-17 16:43

    多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu) 為滿足多進制邏輯運算的需要,設計了一款多值電場型電壓選擇晶體管。控制二進制電路通斷需要二進制邏輯門電路,實際上是對電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進制邏輯門電路通常比較復雜
    發(fā)表于 09-15 15:31

    晶體管光耦的工作原理

    晶體管光耦(PhotoTransistorCoupler)是一種將發(fā)光器件和光敏器件組合在一起的半導體器件,用于實現(xiàn)電路之間的電氣隔離,同時傳遞信號或功率。晶體管光耦的工作原理基于光電效應和半導體
    的頭像 發(fā)表于 06-20 15:15 ?1221次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>光耦的工作原理

    下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了!

    心存疑慮,根據(jù)imec在2025年VSLI研討會上的最新聲明,這家研究巨頭開發(fā)了一種全新的尖端叉片晶體管設計方法,解決了制造難題,這將推動晶體管的未來持續(xù)發(fā)展。 叉片晶體管(Forks
    發(fā)表于 06-20 10:40

    薄膜晶體管技術(shù)架構(gòu)與主流工藝路線

    導語薄膜晶體管(TFT)作為平板顯示技術(shù)的核心驅(qū)動元件,通過材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化,實現(xiàn)了從傳統(tǒng)非晶硅向氧化物半導體、柔性電子的技術(shù)跨越。本文將聚焦于薄膜晶體管制造技術(shù)與前沿發(fā)展。
    的頭像 發(fā)表于 05-27 09:51 ?3332次閱讀
    薄膜<b class='flag-5'>晶體管</b>技術(shù)架構(gòu)與主流工藝路線

    無結(jié)場效應晶體管器件的發(fā)展歷程

    2010年,愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結(jié)場效應晶體管,器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示。從此,半導體界興起了一股研究無結(jié)場效應晶體管的熱潮
    的頭像 發(fā)表于 05-19 16:08 ?1178次閱讀
    無結(jié)場效應<b class='flag-5'>晶體管</b>器件的發(fā)展歷程

    無結(jié)場效應晶體管詳解

    當代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場效應晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有一個 PN結(jié),隧道穿透
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:32 ?1658次閱讀
    無結(jié)場效應<b class='flag-5'>晶體管</b>詳解

    什么是晶體管?你了解多少?知道怎樣工作的嗎?

    晶體管(Transistor)是一種?半導體器件?,用于?放大電信號?、?控制電流?或作為?電子開關(guān)?。它是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件,幾乎所有電子設備(從手機到超級計算機)都依賴晶體管實現(xiàn)功能。以下
    的頭像 發(fā)表于 05-16 10:02 ?5343次閱讀
    大庆市| 榕江县| 海口市| 肃宁县| 田阳县| 晋城| 包头市| 兴海县| 马山县| 津市市| 盐城市| 香河县| 梧州市| 长阳| 河源市| 长春市| 沅陵县| 乌海市| 井研县| 门源| 河北区| 永康市| 潮州市| 永安市| 汉阴县| 汉寿县| 柞水县| 乳源| 沭阳县| 临泉县| 仁化县| 金溪县| 莲花县| 万盛区| 永胜县| 缙云县| 吴堡县| 南雄市| 保定市| 松滋市| 拉孜县|