今天咱們分享一下，芯片加工中涉及的7nnm，14nm制程工藝，到底是怎么定義的。

芯片中的7nm、14nm指的是芯片的工藝制程，納米大家都學(xué)過(guò)，是長(zhǎng)度單位，1納米=10的負(fù)9次方米，nm前邊的數(shù)字越小所代表芯片加工工藝水平越高，芯片的性能越好。

那么芯片的工藝制程又怎么理解呢？聽(tīng)我慢慢道來(lái)。

一顆CPU芯片，原材料最初是從二氧化硅（沙子）中提煉出來(lái)的，提純加工，切割，再刻上幾十億甚至上百億顆晶體管，再封測(cè)就就形成了芯片，芯片對(duì)數(shù)據(jù)的處理能力、高速運(yùn)算本質(zhì)上就是通過(guò)這些晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)的，晶體管越多那么計(jì)算能力、運(yùn)行速度、性能也就越強(qiáng)勁，功耗也會(huì)增加。

現(xiàn)在芯片的性能要求不斷提高，而人們?cè)谠黾泳w管數(shù)量的同時(shí)又不想讓芯片增大，那就只能是縮小mos管的體積，這樣才能在芯片的體積不變的前提下，最終產(chǎn)品的尺寸不會(huì)增加。簡(jiǎn)單地比喻就是如果你買(mǎi)了電視，告訴你性能提升一倍，體積也增加一倍，你肯定不會(huì)同意的！

XX nm指的是CPU的上形成的互補(bǔ)氧化物金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（前面提到的說(shuō)的mos管）柵極的寬度，也被稱為柵長(zhǎng)。

電流從Source(源極)流入Drain(漏級(jí))，Gate(柵極)相當(dāng)于閘門(mén)，通過(guò)加在閘門(mén)上的電壓來(lái)控制兩端源極和漏級(jí)的通斷，通了電路就會(huì)有電流流過(guò)，形成回路。而柵極的寬度則決定了電流通過(guò)時(shí)的損耗，表現(xiàn)出來(lái)就是產(chǎn)品發(fā)熱和功耗，寬度越窄，需要的控制電壓越低，功耗越低。而柵極的最小寬度(柵長(zhǎng))，就是XX nm工藝中的數(shù)值。

芯片發(fā)展到今天，已經(jīng)發(fā)達(dá)到比拇指還小的芯片里就集成了數(shù)以億計(jì)個(gè)晶體管。蘋(píng)果A10 Fusion芯片上，用的是臺(tái)積電16nm的制造工藝，集成了大約33億個(gè)晶體管。




審核編輯：劉清