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光子引線鍵合工藝可以為更多光子電子打開大門

海闊天空的專欄 ? 來源:海闊天空的專欄 ? 作者:海闊天空的專欄 ? 2022-08-25 18:18 ? 次閱讀
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隨著光子學(xué)技術(shù)在行業(yè)中尋求其利基市場,需要克服的一個障礙是可擴(kuò)展的制造工藝。一種稱為光子引線鍵合(PWB)的技術(shù)希望推動光子學(xué)向前發(fā)展。

在過去的幾年中,研究人員在光子封裝和集成方面取得了巨大進(jìn)展。

該技術(shù)的進(jìn)步導(dǎo)致了高度集成的光子集成電路PIC)的制造,同時采用了可擴(kuò)展的微米和納米制造技術(shù),旨在解決與光子芯片間連接相關(guān)的挑戰(zhàn)。

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硅 PIC 的插圖。圖片由Carroll 等人提供

在提供高帶寬、低功耗和小外形尺寸的同時,PIC 可在廣泛的領(lǐng)域中找到應(yīng)用,包括電信、數(shù)據(jù)中心、RF 系統(tǒng)等。

盡管推動創(chuàng)造更多的光子技術(shù),但這項技術(shù)面臨著一些挑戰(zhàn),尤其是在制造方面。

考慮到這一點(diǎn),本文將討論一個主要挑戰(zhàn),即光子引線鍵合,以及它如何在 PIC 開發(fā)中發(fā)揮作用。

克服光子引線鍵合的限制

傳統(tǒng)的光子器件通常通過標(biāo)準(zhǔn)的單模光纖連接。不幸的是,這種用于連接的技術(shù)可能會在強(qiáng)引導(dǎo)片上波導(dǎo)和光纖的光學(xué)模式之間產(chǎn)生不匹配。

更重要的是,可實現(xiàn)的最小互連密度由光纖的橫截面決定,它可能相對大于片上組件的幾何尺寸。

為了克服光子互連中的這些限制,卡爾斯魯厄理工學(xué)院 (KIT) 的研究人員開發(fā)了一種 PWB 技術(shù),該技術(shù)提供了連接和集成光子器件的潛力,以實現(xiàn)靈活和高性能的多芯片系統(tǒng)。

總體而言,該技術(shù)聲稱是光學(xué)模塊工業(yè)生產(chǎn)的不錯選擇。

過去,研究人員使用光子引線鍵合技術(shù)制造了一個400 Gbit/s 的硅光子發(fā)射器模塊,該模塊包括一個由八個激光源組成的陣列,這些激光源為八個硅光子馬赫 - 曾德調(diào)制器 (MZM) 陣列供電。

這項技術(shù)的發(fā)展有助于刺激光子學(xué)研究和設(shè)備創(chuàng)造。希望利用這種 PWB 技術(shù),合作旨在更大規(guī)模地集成它。

協(xié)作為可擴(kuò)展圖片打開了更多大門

PWB 技術(shù)通常針對最先進(jìn)的光子子組件中對低損耗光學(xué)互連不斷增長的需求。

Freedom Photonics希望利用 PWB 技術(shù)促進(jìn)下一代高度集成的光子器件的制造,正在利用 Vanguard Automation 的 SONATA 和 REPRISE 1000 系統(tǒng)。

這兩款設(shè)備使用 3D 納米打印技術(shù)在兩個組件 (PWB) 或刻面附加微透鏡 (FAML) 之間制造波導(dǎo)光學(xué)互連,以使用 2 光子光刻工藝耦合光。

雖然 SONATA 是執(zhí)行 PWB 和 FAML 的結(jié)構(gòu)操作的光刻單元,但 REPRISE 負(fù)責(zé)所有預(yù)處理和后處理步驟,包括分配、去除未曝光的樹脂、清潔和粘合封裝。

光子引線鍵合是如何制成的?

制造商按照分步流程制造光子引線鍵合。此外,制造過程采用基于多光子誘導(dǎo)聚合的三維直接激光寫入(3D DLW)。

光子材料首先安裝在平面顯微鏡蓋玻片或金屬底座上。該底座執(zhí)行機(jī)械接地板、散熱器和電接觸功能。

然后,使用聚合物粘合劑、導(dǎo)電粘合劑或焊接技術(shù)將裸片放置在子底座上。

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光子引線鍵合工藝的典型示例。圖片由Lindenmann 等人提供

此外,通過用超凈丙酮和異丙醇連續(xù)沖洗來清潔子底座和光子組件,以去除有機(jī)殘留物和松散的無機(jī)顆粒。

樣品制備后,將光學(xué)模塊和抗蝕劑材料插入 3D 直接激光寫入光刻系統(tǒng)。此外,光刻膠材料沉積在饋電波導(dǎo)的互連區(qū)域之間。

用于模式識別的相機(jī)和計算機(jī)視覺技術(shù)的組合用于獲得光學(xué)饋電波導(dǎo)的視覺印象。同時,PWB 的形狀適應(yīng)集成波導(dǎo)刻面的實際位置。

基于波導(dǎo)出口的測量坐標(biāo),計算出新興光子線鍵合的結(jié)構(gòu)。然而,計算的結(jié)構(gòu)被轉(zhuǎn)移到由光刻系統(tǒng)連續(xù)尋址的單個點(diǎn)組成的單個寫入行中,以生成機(jī)器可讀的數(shù)據(jù)集。

最后,在顯影浴中去除未聚合的抗蝕劑材料。在制造過程中,不需要高精度的主動對準(zhǔn),因為波導(dǎo)幾何形狀適應(yīng)光子子系統(tǒng)的相對位置。

光子引線鍵合制造的下一步

卡爾斯魯厄理工學(xué)院的研究人員開發(fā)的光子引線鍵合技術(shù)專注于芯片到芯片的光子連接。進(jìn)一步的進(jìn)步是在片上波導(dǎo)和單模光纖之間加入 PWB 接口。

此外,對可以通過雙光子聚合結(jié)構(gòu)化的不同抗蝕劑材料的評估也很重要。

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光子引線鍵合互連的特寫視圖。光子引線鍵合工藝的典型示例。圖片由Lindenmann 等人提供

總而言之,光子引線鍵合技術(shù)熱衷于提供具有高封裝密度和增加光子集成電路設(shè)計靈活性的光子系統(tǒng)。

審核編輯 黃昊宇

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