單片2 MHz GaN半橋適合D類音頻
EPC2106是增強(qiáng)型單片 GaN 晶體管半橋，將兩個(gè) eGaN 功率 FET 集成到單個(gè)器件中，從而消除了 PCB 上所需的互連電感和間隙空間。這提高了效率（尤其是在較高頻率下）和功率密度，同時(shí)降低了最終用戶的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的組裝成本。
半橋組件的額定電壓為 100 V，典型 R DS(on) 為 55 mΩ，輸出電容 <600 pF，零反向恢復(fù) (Q RR )，最大脈沖漏極電流為 18 A。高效率并顯著降低 D 類系統(tǒng)中的失真。
該器件采用極小的 1.35 x 1.35-mm 芯片級(jí)封裝，可提高開關(guān)速度和熱性能，從而提高功率密度。為了演示，EPC9106 D 類音頻放大器參考設(shè)計(jì)在功率級(jí)中使用高頻開關(guān)氮化鎵功率晶體管，提供 D 類音頻信號(hào)的精確高功率再現(xiàn)。
審核編輯：劉清
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
pcb
+關(guān)注
關(guān)注
4418文章
23979瀏覽量
426397 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
78文章
10443瀏覽量
148707 -
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
21文章
2386瀏覽量
84652
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
探索LMG2640：650V GaN半橋的卓越性能與應(yīng)用潛力
探索LMG2640：650V GaN半橋的卓越性能與應(yīng)用潛力 在當(dāng)今的電子世界中，高效、緊湊的電源解決方案需求日益增長。氮化鎵（GaN）技術(shù)的出現(xiàn)，為電源設(shè)計(jì)帶來了新的突破。今天，我們
深入剖析LMG2656：650V 230mΩ GaN半橋的卓越性能與應(yīng)用
深入剖析LMG2656：650V 230mΩ GaN半橋的卓越性能與應(yīng)用 在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）技術(shù)憑借其卓越的性能正逐漸嶄露頭角。本文將詳細(xì)介紹德州儀器（TI）的LMG26
TPA3005D2：6W立體聲D類音頻功率放大器的深度解析
6W立體聲D類音頻功率放大器——TPA3005D2。 文件下載： tpa3005d2.pdf 一、產(chǎn)品概述 TPA3005
TPA3124D2：高效D類音頻功率放大器的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
TPA3124D2：高效D類音頻功率放大器的設(shè)計(jì)與應(yīng)用 在音頻設(shè)備的設(shè)計(jì)中，功率放大器是至關(guān)重要的一環(huán)。今天我們要深入探討的是德州儀器（TI
TPA2026D2：高效立體聲D類音頻放大器的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
TPA2026D2：高效立體聲D類音頻放大器的設(shè)計(jì)與應(yīng)用 在音頻放大器的世界里，TI公司的TPA2026
TPA3140D2：高效低 EMI 的 D 類音頻放大器設(shè)計(jì)指南
TPA3140D2：高效低 EMI 的 D 類音頻放大器設(shè)計(jì)指南 在音頻放大器的領(lǐng)域中，D
TPA3128D2和TPA3129D2：高效D類音頻放大器的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
TPA3128D2和TPA3129D2：高效D類音頻放大器的設(shè)計(jì)與應(yīng)用 在音頻放大器領(lǐng)域，
深入解析LM5113-Q1：汽車應(yīng)用的高性能半橋GaN驅(qū)動(dòng)器
深入解析LM5113-Q1：汽車應(yīng)用的高性能半橋GaN驅(qū)動(dòng)器 在電子工程領(lǐng)域，不斷追求高性能、高可靠性的器件是推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步的關(guān)鍵。今天，我們將深入探討一款專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的優(yōu)秀器件
DRV7167A：高性能GaN半橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的卓越之選
DRV7167A：高性能GaN半橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的卓越之選 在電子工程師的日常工作中，尋找一款性能卓越、功能豐富且易于設(shè)計(jì)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器是一項(xiàng)重要任務(wù)。今天，我們就來深入了解一下德州儀器（TI）推出
?STDRIVEG211半橋柵極驅(qū)動(dòng)器深度解析與設(shè)計(jì)指南
，并集成了低壓差穩(wěn)壓器 (LDO)。這使得它們非常適合驅(qū)動(dòng)高速GaN。STDRIVEG211半橋柵極驅(qū)動(dòng)器具有專為硬開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)的電源UVLO、防止交叉導(dǎo)通的互鎖功能以及集成Smart
Texas Instruments LMG2610 GaN半橋IC技術(shù)解析
Texas Instruments LMG2610 GaN半橋IC是一款650V GaN電源FET半橋
200V/4A半橋柵極驅(qū)動(dòng)器適用于大功率通訊電源/D類音頻放器/大功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
欠壓鎖定和輸入直通防止功能特性：l 懸浮電壓高達(dá)200Vl 峰值輸出電流高達(dá)4Al 帶輸入互鎖和死區(qū)時(shí)間l 優(yōu)異的傳輸延遲匹配l 較強(qiáng)的負(fù)瞬態(tài)電壓耐受能力l 更好的抗噪性應(yīng)用：l 大功率通訊電源l 大功率電機(jī)控制器l D 類大功率音頻
發(fā)表于 08-21 15:48
Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)
Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級(jí)是一款90V連續(xù)、100V脈沖、35A半橋功率級(jí)，集成了柵極驅(qū)動(dòng)
Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)
Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級(jí)集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管。93V連續(xù)、100V脈沖、53A
意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，為開發(fā)者帶來更高的設(shè)計(jì)靈活性和更多的功能，提高目標(biāo)應(yīng)用的能效和魯棒性。
評(píng)論