在金譽半導體的產(chǎn)品列表中，每個產(chǎn)品都有很多參數(shù)，密密麻麻的參數(shù)不清楚究竟表達了什么意思，那今天來看看MOS管的產(chǎn)品參數(shù)分別是什么含義呢？

中文部分的不用過多解釋，接觸過半導體行業(yè)的人一般都能理解，所以今天著重解釋一下英文部分的參數(shù)含義（金譽半導體官網(wǎng)目前只展示了部分重要參數(shù)）。

Vds

也就是電壓，這是MOS管極限參數(shù)表示MOS管漏極與源極之間的最大電壓值。值得注意的是，該參數(shù)與結(jié)溫有關(guān)，通常結(jié)溫越高，該值最大。

Rds(on)

漏源導電阻，表示MOS管在一定條件下導通時，泄漏極之間的導通電阻。這個參數(shù)和MOS管結(jié)溫，驅(qū)動電壓Vgs相關(guān)。在一定范圍內(nèi)，結(jié)溫越高，Rds驅(qū)動電壓越高，Rds越小。

Id

漏極電流通常有幾種不同的描述方法。根據(jù)工作電流的形式，連續(xù)泄漏電流和一定脈寬的脈沖泄漏電流(Pulsed drain current)。這個參數(shù)同樣是MOS管一個極限參數(shù)，但這個最大電流值并不意味著泄漏電流可以在運行過程中達到這個值。這意味著當殼體溫度在一定值時，如果MOS管如果工作電流為上述最大泄漏電流，結(jié)溫將達到最大值。因此，該參數(shù)還與設(shè)備包裝和環(huán)境溫度有關(guān)。

Vgs

這也是柵源最大的驅(qū)動電壓MOS管極限參數(shù)表示MOS管一旦驅(qū)動電壓超過這個極限值，即使在很短的時間內(nèi)，也會對柵極氧化層造成永久性傷。一般來說，只要驅(qū)動電壓不超過極限，就不會有問題。然而，在某些特殊情況下，由于寄生參數(shù)的存在，它將是正確的Vgs需要特別注意電壓的不可預測影響

Idm

最大脈沖DS電流.它會隨著溫度的升高而降低，反映抗沖擊性，這也與脈沖時間有關(guān)

Pd

最大耗散功率

Tj

最大工作溫度通常為150度和175度

Tstg

最大存儲溫度

Iar

雪崩電流

gfs

跨導，是指泄漏電極輸出電流與柵源電壓變化之比，是柵源電壓控制泄漏電流的能力。

Qg

在驅(qū)動信號的作用下，柵極電壓從0V上升至終止電壓(如15V)所需的充電電荷。也就是說，MOS管驅(qū)動電路從截止狀態(tài)到完全導通狀態(tài)所需的電荷是評估MOS管驅(qū)動電路驅(qū)動能力的主要參數(shù)。

Qgs

G總充電電量

Ear

重復雪崩擊穿能量

Eas

重復雪崩擊穿能量

BVdss

雪崩擊穿電壓

Idss

IDSS表示泄漏電流，柵極電壓VGS=0、VDS一定值時漏源，mA級

Igss

IGSS表示柵極驅(qū)動漏電流，越小越好，對系統(tǒng)效率影響較小，uA級的電流

Qgd

柵漏充電(考慮到Miller效應)電量

Td(on)

延遲時間，從輸入GS電壓上升到 10%，開始到 VDS 下降到其幅值 90%。

Tr

上升時間，輸出電壓 VDS 時間從90%下降到10%。

Td(off)

關(guān)閉延遲時間，從輸入GS電壓下降到 90%到 VDS 上升到其關(guān)斷電壓時 10%的時間。

Tf

下降時間，輸出電壓VDS時間從10%上升到90%

Ciss

輸入電容，Ciss=Cgd Cgs. 短接泄漏源，用交流信號測量的柵極與源極之間的電容為輸入電容。Ciss由柵漏電容Cgd和柵源電容Cgs并聯(lián)而成。

Coss

輸出電容，Coss=Cds Cgd. 用交流信號測量的泄漏極與源極之間的電容器短接柵源。Coss由漏源電容Cds并聯(lián)網(wǎng)源電容。

Crss

反向傳輸電容，Crss=Cgc.在源極接地的情況下，測量漏極與柵極之間的電容相當于反向傳輸電容（Cgd越低越好）

最大額定參數(shù)

最大額確定參數(shù)，所有數(shù)值取得條件(Ta=25℃)

以上就是MOS管的各項參數(shù)所表示的含義，你們了解了嗎？如有遺漏，歡迎在評論區(qū)補充噢~

審核編輯：湯梓紅