MOS管和IGBT區(qū)別，一看就懂
MOS管即MOSFET，又叫絕緣柵場效應(yīng)管，是場效應(yīng)管的一種類型。MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。
IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。IGBT的電路符號至今并未統(tǒng)一，畫原理圖時一般是借用三極管、MOS管的符號，這時可以從原理圖上標(biāo)注的型號來判斷是IGBT還是MOS管。
這是MOS管和IGBT管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)：
IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。
另外，MOS管和IGBT的選擇可以參考以下幾點：
MOS IBGT
切換功率大于100KHz 切換功率低于25KHz
輸入電壓低于250V 輸入電壓高于1000V
較小的輸出功率的場合 較大輸出功率的場合
電流變化較小的負(fù)載
總的來說，MOSFET優(yōu)點是高頻特性好，工作頻率高，缺點是導(dǎo)通電阻大，在高壓大電流場合功耗較大；IGBT在低頻及較大功率場合下表現(xiàn)卓越，其導(dǎo)通電阻小，耐壓高。
審核編輯：湯梓紅
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