2021年批量出貨1α(1-alpha)工藝產(chǎn)品后，美光今天宣布，采用全球最先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機(jī)制造商、芯片平臺(tái)合作伙伴進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。

美光稱，1β工藝可將能效提高約15％，存儲(chǔ)密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達(dá)16Gb(2GB)。

目前，美光已經(jīng)在LPDDR5X移動(dòng)內(nèi)存上率先應(yīng)用1β工藝，還使用了第二代HKMG(高K金屬柵極)工藝，最高速率8.5Gbps(等效于8500MHz)。

美光稱，新內(nèi)存在性能、密度、能效上都有顯著提升，尤其可以改善拍照啟動(dòng)、夜景模式和人像模式的成像速度和清晰度、無(wú)抖動(dòng)的8K視頻錄制、手機(jī)視頻剪輯等應(yīng)用的體驗(yàn)。

另外，1β LPDDR5X內(nèi)存還支持全新JEDEC增強(qiáng)型動(dòng)態(tài)電壓和頻率調(diào)節(jié)擴(kuò)展核心(eDVFSC)技術(shù)，從而更加節(jié)能。在高達(dá)3200Mbps的雙倍頻率層上添加eDVFSC，可改善節(jié)能控制，基于獨(dú)特的終端用戶模式實(shí)現(xiàn)更低功耗。

美光表示，除了移動(dòng)應(yīng)用，1β內(nèi)存產(chǎn)品還具備低延遲、低功耗、高性能的特點(diǎn)，可滿足智能汽車、數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用所需的快速響應(yīng)、實(shí)時(shí)服務(wù)、個(gè)性化、沉浸式體驗(yàn)。

更多基于1β工藝的內(nèi)存產(chǎn)品，將在明年推出。