日本將斥資24億美元與美國建立聯(lián)合芯片研究中心
日本計劃新增3500億日元（23.8億美元）預算，與美國開展下一代半導體開發(fā)研究合作。
據(jù)《日經(jīng)亞洲評論》報道，該聯(lián)合研究中心將于今年年底成立，目標是在本世紀后半期開發(fā)并具備大規(guī)模生產(chǎn)2納米先進半導體的能力。參與的日本企業(yè)和其他細節(jié)將于本月公布，東京大學、日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所、理研研究所、美國和歐洲的企業(yè)和研究機構(gòu)將參加此次活動。
據(jù)悉，這筆支出包括在本財年的第二次補充預算中，其中還將包括4500億日元用于將先進芯片生產(chǎn)中心引進日本，包括去年追加預算中的6170億日元在內(nèi)，這項工作的支出將超過1萬億日元。日本政府已經(jīng)批準了對臺積電、鎧俠和美光在日本建立工廠的補貼，這些工廠生產(chǎn)數(shù)據(jù)中心、人工智能和其他尖端技術(shù)所需的芯片。
另外，日本本財年第二次補充預算中的3700億日元將用于確保半導體制造所需的關(guān)鍵材料。
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