濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制，使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代，但是它在尺寸較大的非關鍵層清洗中依然發(fā)揮著重要的作用。尤其是在對氧化物去除殘留與表皮剝離的刻蝕中，比干法刻蝕更為有效和經(jīng)濟。濕法刻蝕的對象主要有氧化硅、氮化硅、單晶硅或多晶硅等。濕法刻蝕氧化硅通常采用氫氟酸（HF）為主要化學載體。為了提高選擇性，工藝中采用氟化銨緩沖的稀氫氟酸。為了保持 pH 值穩(wěn)定，可以加入少量的強酸或其他元素。摻雜的氧化硅比純氧化硅更容易腐蝕。濕法化學剝離( Wet Removal）主要是為了去除光刻膠和硬掩模（氮化硅）。熱磷酸 （H3PO4）是濕法化學剝離去除氮化硅的主要化學液，對于氧化硅有較好的選擇比。在進行這類化學剝離工藝前，需要將附在表面的氧化硅用 HF 酸進行預處理，以便將氮化硅均勻地清除掉。

濕法清洗與濕法刻蝕類似，主要是通過化學反應去除硅片表面的污染物，包括顆粒、有機物、金屬和氧化物。主流的濕法清洗就是濕化學法。雖然干法清洗可以替代很多濕法清洗，但是目前尚未找到可以完全取代濕法清洗的方法。濕法清洗常用的化學品有硫酸、鹽酸、氫氟酸、磷酸、過氧化氫、氫氧化銨、氟化銨等，在實際應用中視需要以一種或多種化學品按照一定比例與去離子水調(diào)配組成清洗液，如 SC1、SC2、DHF、BHF 等。

清洗常用于氧化膜沉積前工藝，因為氧化膜的制備必領在絕對清潔的硅片表面上進行。常見的硅片清洗流程見下表 。

1970 年，由美國無線電公司的 W. Kern 和D.Puotinen 提出了 RCA 濕法清洗方法。在這種方法中，1號清洗液(RCA1 或 SC1）是堿性溶液，能去除表面顆粒物和有機物質(zhì)；2號清洗液（RCA2 或 SC2）是酸性溶液，能去除表面金屬污染物和顆粒。近年來，清洗技術在霧化蒸汽清洗( Vapor Clean)、超聲波輔助清洗等新技術支撐下，在高端芯片制造工藝中獲得了更廣泛的應用。

審核編輯 ：李倩