雖然1947年由貝爾實(shí)驗(yàn)室的J.Bardeen、W.H.Brattain和W.Shockley等科學(xué)....

單個(gè)pn結(jié)只具有單向?qū)щ娀蛘?、檢波作用,兩個(gè)密切有機(jī)結(jié)合的pn結(jié),則可形成具有放大作用的npn或p....

當(dāng)p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體緊密結(jié)合時(shí),就將形成p結(jié)。pn結(jié)具有正反向不對(duì)稱是電性,因此可以用作整流二極....

集成電路中常用的有源器件有 npn和pnp雙極型晶體管、NMOS和 PMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、肖特基金屬....

半導(dǎo)體中的載流子在熱平衡條件下的熱運(yùn)動(dòng)沒(méi)有確定的方向性,因此,在沒(méi)有外場(chǎng)作用時(shí)，凈電流為零;在有外電....

半導(dǎo)體具有價(jià)帶全滿、導(dǎo)帶全空的能帶結(jié)構(gòu),但這只是在絕對(duì)溫度為零度時(shí)才嚴(yán)格成立。在室溫下，仍有少量的電....

沒(méi)有任何雜質(zhì)原子和結(jié)構(gòu)缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體，在這種完美的半導(dǎo)體中，電子要么存在于導(dǎo)帶中,要么存....

不同的能帶結(jié)構(gòu)決定了絕緣體、半導(dǎo)體和導(dǎo)體等材料具有不同的電學(xué)性質(zhì)。對(duì)于不同半導(dǎo)體，能帶結(jié)構(gòu)差異必然導(dǎo)....

半導(dǎo)體材料按其化學(xué)組分,可分為無(wú)機(jī)半導(dǎo)體和有機(jī)半導(dǎo)體。目前應(yīng)用于微電子和光電子產(chǎn)業(yè)的大多數(shù)都是無(wú)機(jī)半....

集成電路單元器件持續(xù)微小型化，是靠從微米到納米不斷創(chuàng)新的微細(xì)加工工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)的。

集成電路現(xiàn)今所達(dá)到的技術(shù)高度是當(dāng)初人們難以想象的。在發(fā)明集成電路的1958年.全世界半導(dǎo)體廠生產(chǎn)的晶....

1947年12月16 日美國(guó)貝爾(Bell)實(shí)驗(yàn)室的J.Bardeen(1908-1991)和W,B....

第一次對(duì)非平面襯底上的光刻曝光的詳細(xì)研究出現(xiàn)在20世紀(jì)80年代后期,Matsuzawa等人72]采用....

圖9-5展示了使用Kirchhof方法與嚴(yán)格的電磁場(chǎng)(EMF)仿真進(jìn)行掩模建模所得結(jié)果之間的區(qū)別。K....

光與掩?；蚓A的形貌特征的相互作用可以用麥克斯韋(Maxwell)方程組來(lái)描述。通常,掩模和晶圓上的....

在前面的部分中,使用標(biāo)量模型描述了成像過(guò)程,但其中不包括任何偏振現(xiàn)象，而高數(shù)值孔徑系統(tǒng)的應(yīng)用引入了幾....

雙色調(diào)顯影（DTD）最早是由Asano提出的。DTD通過(guò)兩次單獨(dú)的顯影去除最高和最低曝光劑量區(qū)域的光....

有一些光學(xué)分辨率增強(qiáng)技術(shù)是非常依賴于圖形特征的。例如，可以通過(guò)合適方向的二極照明來(lái)增強(qiáng)密集線空?qǐng)D形的....

目前，基于模型的 OPC已成為先進(jìn)半導(dǎo)體制造的標(biāo)準(zhǔn)程序。圖4-15 表明現(xiàn)代 OPC模型包含了考慮光....

通過(guò)觀察偏移、輔助圖形、襯線和其他掩模校正方法對(duì)光刻成像的影響，可以建立用作掩模版圖校正的規(guī)則。

可靠性的定義是系統(tǒng)或元器件在規(guī)定的條件下和規(guī)定的時(shí)間內(nèi)，完成規(guī)定的功能的能力 (the abilit....

氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜。

現(xiàn)有的晶體管都是基于 PN 結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)而構(gòu)建的。在未來(lái)的幾年里，隨著CMOS制造技術(shù)的進(jìn)步，器....

CIS 英文全名 CMOS （Complementary Metal-Oxide Semicondu....

本節(jié)將介紹 CMOS 超大規(guī)模集成電路制造工藝流程的基礎(chǔ)知識(shí)，重點(diǎn)將放在工藝流程的概要和不同工藝步驟....

在高k金屬柵之外，另一種等效擴(kuò)充的方法是增加通過(guò)器件溝道的電子或空穴的遷移率。表2.5列舉了一些提高....

源漏區(qū)的單晶硅和柵極上的多晶硅即使在摻雜后仍然具有較高的電阻率，自對(duì)準(zhǔn)硅化物(salicide)工藝....

源漏擴(kuò)展結(jié)構(gòu)（Source/Drain Extension,SDE）在控制 MOS 器件的短溝道效應(yīng)....

為了有效抑制短溝道效應(yīng)，提高柵控能力，隨著MOS結(jié)構(gòu)的尺寸不斷降低，就需要相對(duì)應(yīng)的提高柵電極電容。提....

隨著集成電路技術(shù)節(jié)點(diǎn)的不斷減小以及互連布線密度的急劇增加，互連系統(tǒng)中電阻、電容帶來(lái)的 RC耦合寄生效....