Ansys憑借實現(xiàn)靈活的功耗/性能權(quán)衡,通過臺積電N3E工藝技術(shù)創(chuàng)新型FINFLEX架構(gòu)認證
主要亮點
Ansys Redhawk-SC與Ansys Totem電源完整性平臺榮獲臺積電N3E工藝技術(shù)的FINFLEX架構(gòu)認證
此外,該認證也可擴展到臺積電N4工藝技術(shù)
Ansys宣布Ansys電源完整性解決方案榮獲臺積電FINFLEX創(chuàng)新架構(gòu)以及N4工藝技術(shù)認證,持續(xù)深化與臺積電的長期技術(shù)合作。憑借臺積電FINFLEX架構(gòu),Ansys RedHawk-SC和Totem的客戶能夠在性能-功耗方面進行精細的權(quán)衡,從而在不影響性能的情況下降低芯片功耗水平。這對于減少機器學習、5G移動和高性能計算(HPC)等眾多半導體應用對環(huán)境的影響至關(guān)重要。此次最新合作,建立在最近Ansys平臺獲得的臺積電N3E工藝認證的基礎上。
臺積電設計基礎架構(gòu)管理事業(yè)部主管Dan Kochpatcharin表示:“我們的FINFLEX創(chuàng)新技術(shù)具有無與倫比的靈活性,提供了顯著的芯片設計優(yōu)勢與靈活性,可以優(yōu)化高性能、低功耗或?qū)崿F(xiàn)兩者之間的最佳平衡。我們與Ansys在臺積電3nm工藝技術(shù)方面的最新合作,讓雙方客戶可以輕松發(fā)揮FINFLEX技術(shù)的優(yōu)勢,并對RedHawk-SC和Totem提供的電源完整性和可靠性簽核驗證結(jié)果充滿信心。
臺積電的FINFLEX架構(gòu)使Ansys RedHawk-SC和Totem客戶能夠做出精細的速度-功耗權(quán)衡,在不犧牲性能的情況下減少芯片的功耗
基于臺積電N3E工藝技術(shù),臺積電FinFlex架構(gòu)可為芯片設計人員提供三種面向標準單元實現(xiàn)方案的FIN配置選項:第一種可提供最高性能和最快時鐘頻率;第二種可提供平衡的效率和性能;第三種可實現(xiàn)超級功耗效率并具有最低漏電和最高密度。利用這樣的配置選項,芯片設計人員通過使用同一套設計工具集,就可以為芯片上的各個關(guān)鍵功能塊選擇最佳的速度-性能選項。
Ansys副總裁兼半導體、電子和光學事業(yè)部總經(jīng)理John Lee表示:“Ansys開發(fā)的多物理場仿真與分析工具軟件集成平臺,將電源管理作為重點,以最大限度降低半導體的設計和運營成本。我們與臺積電持續(xù)合作,共同推動未來技術(shù)可持續(xù)發(fā)展的目標,讓雙方客戶能夠在提升芯片性能的同時降低功耗。”
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原文標題:Ansys多物理場解決方案榮獲臺積電N4工藝技術(shù)和FINFLEX?架構(gòu)認證
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