功率器件的開(kāi)關(guān)過(guò)程是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程，無(wú)論是MOS還是IGBT，在使用中或多或少都會(huì)遇到震蕩現(xiàn)象。

總結(jié)說(shuō)來(lái)：

①在MOS開(kāi)關(guān)過(guò)程中，如果柵極電阻較小，發(fā)生了柵極電壓震蕩，多半是因?yàn)镸OS源極寄生電感太大導(dǎo)致。根據(jù)U=L*di/dt，我們可以知道，柵極電阻小，開(kāi)通速度快，即di/dt大，如果L(寄生電感)也大，在寄生電感上產(chǎn)生的電壓更大。這種震蕩的特點(diǎn)是柵極電壓有過(guò)沖現(xiàn)象，超過(guò)米勒平臺(tái)電壓后下降，在米勒平臺(tái)附近產(chǎn)生柵極電壓震蕩。

②如果柵極電阻較大，柵極電壓升到米勒平臺(tái)后發(fā)生跌落并引起米勒平臺(tái)附近的震蕩，多半是因?yàn)镈S電壓變化太快，米勒電容較大導(dǎo)致。根據(jù)I=C*dv/dt，米勒電容充放電會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很大的電流，快速抽走柵極電容上的電荷，柵極電壓跌落引起震蕩。

③在半橋電路中，如果是感性負(fù)載，反向恢復(fù)電流是一個(gè)不可忽視的、可能造成柵極波形震蕩的原因。反向恢復(fù)電流會(huì)使DS電壓急劇上升。因此選MOS時(shí)要關(guān)注一下器件的反向恢復(fù)時(shí)間。下圖是IGBT的驅(qū)動(dòng)，原理和MOS一樣：

如下仿真，U1是一個(gè)容值隨電壓變化的電容。該電容是模擬Cgd，增加該電容以及去掉該電容可模擬兩種不同容值的Cgd對(duì)柵極電壓的影響。

以下為對(duì)比結(jié)果，同一個(gè)柵極電阻，可看到Cgd較大時(shí)會(huì)引發(fā)震蕩：

在看一下寄生電感的影響，對(duì)比一下100pH和1nH的區(qū)別：

可以看到由于寄生電感導(dǎo)致的米勒平臺(tái)震蕩的特點(diǎn)是電壓過(guò)沖，并且寄生電感越大震蕩幅度越大。

審核編輯：郭婷