2021年11月，Qorvo收購領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商 United Silicon Carbide (UnitedSiC)。對 UnitedSiC 的收購，使 Qorvo 將業(yè)務(wù)擴展到電動汽車(EV)、工業(yè)電源、電路保護、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源等快速增長的市場。本文匯總了一系列高質(zhì)量博客，幫助您克服設(shè)計挑戰(zhàn)，讓您在下一次電源設(shè)計中充分發(fā)揮 SiC 器件的潛力。以下為博客摘要，長按識別圖片二維碼可深入了解詳情。

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打造理想半導(dǎo)體開關(guān)所面臨的挑戰(zhàn)

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自 1958 年 IBM 設(shè)計出首個管狀“開關(guān)模式電源”以來，打造無傳導(dǎo)和開關(guān)損耗的理想開關(guān)一直是電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計者的夢想。如今，各項開關(guān)技術(shù)的通態(tài)損耗都有了明顯降低；采用最新的寬帶隙半導(dǎo)體的產(chǎn)品，在 750V 額定電壓下的電阻已能達到小于 6 毫歐的水平。目前這項技術(shù)還未達到其物理極限，預(yù)計在不久的將來，該阻值還會進一步降低。

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從SiC FET中榨取性能

“性能”是一個很主觀的詞，它可以有各種不同的衡量方式。不過，在電源轉(zhuǎn)換這一語境下，性能主要歸結(jié)為兩個互為相關(guān)的值：效率和成本。眾所周知，硅作為一種半導(dǎo)體開關(guān)材料，在傳導(dǎo)和動態(tài)損耗方面都已接近其性能極限。于是，性能更佳的碳化硅和氮化鎵寬帶隙技術(shù)越來越多地進入了人們的考量范圍。

03

更豐富的SiC FET選擇，帶來更靈活的經(jīng)濟高效解決方案

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人生在于取舍，有時，這種取舍往往會讓我們難以定奪。涉及到金錢時，這種取舍又會出現(xiàn)一個新的維度——如果我購買一輛電動汽車，能收回額外的成本嗎？要多久收回？減少二氧化碳排放的價值在哪里？哪款車型的二手價值最高？其中的決定因素或許頗為主觀，且在不斷變化。不過，若要為電動汽車電源轉(zhuǎn)換器選擇半導(dǎo)體，你或許會希望用更科學(xué)的方法來判斷。

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SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度的變化–對比方法亦有門道

比較不同 SiC 開關(guān)的數(shù)據(jù)表是一件難事——SiC MOSFET 可能具有較低的導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)，但這也同時表明，其相比于 UnitedSiC FET 的損耗更高，且整體效率不足。

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使用共源共柵拓撲消除半導(dǎo)體開關(guān)中的米勒效應(yīng)

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任何東西都打破不了物理定律。電阻器會將電能轉(zhuǎn)為熱能耗散，同時降低電壓；電容器需要時間來儲存和釋放電荷；電感器需要時間來產(chǎn)生和消除電磁場。SiC 共源共柵拓撲能夠解決米勒電容問題，同時輕松實現(xiàn)柵極驅(qū)動、常關(guān)運行和高性能體二極管。

Qorvo收購

https://www.qorvo.com/newsroom/news/2021/qorvo-acquires-unitedsic-leading-provider-of-silicon-carbide-power-semiconductors