在NAND閃存的應(yīng)用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無(wú)法再使用。因此，如果只寫入和擦除某些塊，則這些特定塊的P/E周期將迅速消耗，備用塊將很快耗盡，從而導(dǎo)致NAND閃存提前失效。

磨損均衡有三種類型：動(dòng)態(tài)、靜態(tài)和全局。動(dòng)態(tài)磨損均衡僅處理可用空間，并確保寫入行為僅發(fā)生在同一空間中擦除計(jì)數(shù)較低的塊中。靜態(tài)磨損均衡考慮了整個(gè)閃存芯片，包括空白區(qū)域和已寫入的塊。此技術(shù)將數(shù)據(jù)從擦除次數(shù)較少的塊移動(dòng)到其他塊，以便可以保留寫入時(shí)間較短的塊以供將來(lái)使用。最后，還有全局磨損均衡，其中與靜態(tài)磨損均衡的最大區(qū)別在于其范圍擴(kuò)展到整個(gè)設(shè)備，而靜態(tài)磨損均衡僅適用于單個(gè)閃存芯片。這可確保寫入行為發(fā)生在整個(gè)設(shè)備中寫入頻率較低的塊中。

NAND 閃存控制器的供應(yīng)商在開發(fā)時(shí)必須考慮 NAND 的這一特性。因此，磨損均衡旨在允許NAND閃存在整個(gè)模塊使用過(guò)程中均勻分布，以便所有模塊的P / E周期隨著相同的數(shù)據(jù)而上升。該技術(shù)允許在產(chǎn)品達(dá)到其生命周期之前徹底使用所有模塊，從而延長(zhǎng)NAND閃存的使用壽命。因此，磨損均衡技術(shù)可以提高NAND閃存產(chǎn)品的可靠性和耐用性。

審核編輯：郭婷