賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問時間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫訪問速度，并在其整個工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。具有控制器的典型NV-SRAM接口如圖1所示。

圖1.帶微控制器的NV-SRAM接口

高速SRAM單元提供了非常高速的讀寫訪問，并且可以像標(biāo)準(zhǔn)SRAM中一樣無限次地寫入或讀取NV-SRAM。

如果斷電則利用存儲在與NV-SRAM的VCAP引腳相連的小電容器中的電荷將SRAM中保存的數(shù)據(jù)傳輸?shù)脚c每個SRAM單元集成的非易失性元件。

NV-SRAM VCAP引腳上需要的電容器只有幾十μF，典型值為68 μF（有關(guān)VCAP的允許范圍，并在上電期間通過內(nèi)部充電電路進(jìn)行充電。

VCAP上存儲的電荷足以在掉電期間將SRAM數(shù)據(jù)復(fù)制到非易失性元件（稱為存儲操作）。

此存儲操作對應(yīng)用程序是透明的，因?yàn)楫?dāng)VCC電源在閾值水平（VSWITCH）以下故障時會自動執(zhí)行該存儲操作。

數(shù)據(jù)從SRAM到集成非易失性元件的并行傳輸意味著存儲（將SRAM數(shù)據(jù)傳輸?shù)椒且资栽┧ㄙM(fèi)的時間等于一次EEPROM寫（字節(jié)寫或頁寫）操作。

上電時非易失性數(shù)據(jù)會自動傳送回SRAM，這稱為RECALL操作。這使NV-SRAM成為真正的非易失性存儲器，可以在斷電時將數(shù)據(jù)保存在其非易失性元素中，而無需任何外部電源備份，例如電池或Supercaps。

NV-SRAM中的STORE和RECALL操作也可以通過軟件命令按需執(zhí)行。 NV-SRAM具有許多其他功能，新應(yīng)用程序可以使用這些功能。

與其他現(xiàn)有電路解決方案相比，賽普拉斯的NV-SRAM提供了最快，最可靠的非易失性解決方案。

審核編輯：劉清