河北穩(wěn)控科技VM系列振弦采集模塊的激勵(lì)方法

振弦采集模塊的激勵(lì)方法

通過(guò)修改寄存器 EX_METH.[3:0]來(lái)完成激勵(lì)方法的選擇， EX_METH[4]用于設(shè)置是否忽略傳感器的接入檢測(cè)而強(qiáng)制發(fā)送激勵(lì)信號(hào)。

振弦采集模塊的激勵(lì)方法

振弦采集模塊的激勵(lì)方法

高壓脈沖激勵(lì)法
高壓脈沖激勵(lì)法 HPM（ High Voltage Pulse Excitation Method）。 向振弦傳感器發(fā)送單個(gè)瞬時(shí)高壓脈沖信號(hào)，使鋼弦產(chǎn)生自主振動(dòng)的方法。在高壓脈沖激勵(lì)法中， 以 VSEN 為電壓源， 將低電壓抬升至高壓（ 一般 100V~200V 之間）， 泵壓后的高壓值及向傳感器釋放的電量與泵壓持續(xù)時(shí)長(zhǎng)、泵壓源電壓等參數(shù)有關(guān)。
VMXXX 可產(chǎn)生 30~180V 的高壓脈沖激勵(lì)信號(hào)，較高的 VSEN 電壓可以獲得較高的高壓值。

振弦采集模塊的激勵(lì)方法

使用 80V~180V 的高壓脈沖激勵(lì)信號(hào)均能使振弦良好起振， 為不影響傳感器壽命， 在滿足測(cè)量需求前提下， 應(yīng)盡量利用 HP_EXP 寄存器使高壓激勵(lì)信號(hào)維持在一個(gè)盡量低的電壓值， 高電壓有可能燒毀傳感器線圈。
高壓激勵(lì)時(shí)激勵(lì)電壓除受到期望電壓參數(shù)限制外，根據(jù)實(shí)時(shí)線圈電阻阻值大小還會(huì)進(jìn)行進(jìn)一步的一定的限制
（ 1）強(qiáng)制激勵(lì)時(shí)，若外接線圈電阻不在正常范圍內(nèi)，限制為最高 50V；
（ 2）正常連接傳感器時(shí)，線圈電阻越小時(shí)限制的電壓越低；
線圈電阻 限制電壓 線圈電阻 限制電壓
50Ω 75V 200Ω 140V
100Ω 100V 500Ω 180V
150 120V 600 180V
無(wú)論是高壓脈沖激勵(lì)還是低壓掃頻激勵(lì)， 最近一次傳感器激勵(lì)時(shí)加載到傳感器上的實(shí)際電壓值均可通過(guò)讀取寄存器 VSEN_RT 獲取， 單位為 0.01V。

振弦采集模塊的激勵(lì)方法

低壓掃頻激勵(lì)法
低壓掃頻 LSM（ Low Voltage Sweeping Method）是指使用一個(gè)與振弦傳感器鋼弦頻率相近的周期性信號(hào)，使鋼弦產(chǎn)生自振。低壓掃頻時(shí)， VSEN 電壓即是掃頻電壓。
與低壓掃頻有關(guān)的寄存器有起始頻率寄存器（ FS_FMIN）、 終止頻率寄存器（ FS_FMAX）、頻率步進(jìn)寄存器（ FS_STEP） 以及單步掃頻信號(hào)周期數(shù)量寄存器（ FS_SCNT）。

振弦采集模塊的激勵(lì)方法

振弦采集模塊的激勵(lì)方法

審核編輯黃昊宇