韓國公司研發(fā)出先進的石墨烯EUV薄膜
據(jù)韓媒BusinessKorea報道，一家小型韓國公司開發(fā)了一種石墨烯EUV薄膜，有望顯著提高荷蘭半導體設備公司ASML的極紫外（EUV）光刻設備的良率。
11月14日，半導體和顯示材料開發(fā)商石墨烯實驗室宣布，公司已經開發(fā)出用石墨烯制造小于5納米的EUV薄膜的技術，并準備批量生產新的EUV薄膜。
光罩薄膜(Pellicle)是用于保護EUV工藝中使用的掩模的一種關鍵制品，它對于5納米或以下的超微制造工藝至關重要，這也是一種需要定期更換的消耗品。據(jù)介紹，該EUV薄膜可保護光掩模表面免受空氣中分子或污染物的影響，由于EUV設備的光源波長較短，因此EUV薄膜需要變薄以增加透光率。
硅以前已被用于制造EUV薄膜，石墨烯實驗室CEO Kwon Yong-deok表示，石墨烯比硅更薄、更透明，石墨烯制的EUV薄膜將作為使用EUV光刻設備良率的助推器。
報道指出，全球EUV薄膜市場預計將在2024年達到1萬億韓元?！?a href="http://m.sdkjxy.cn/tags/三星/" target="_blank">三星電子，臺積電和英特爾是石墨烯實驗室的潛在客戶。”Kwon表示。
審核編輯 ：李倩
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