隨著USB-C接口和PD快充在手機(jī)以及電腦上的普及，充電器產(chǎn)品性能也不斷提高，從單口發(fā)展到多口，氮化鎵技術(shù)的成熟等，65W快充產(chǎn)品的性能提高，體積卻在進(jìn)一步縮小。效率提升的快充產(chǎn)品深得用戶喜愛(ài)，它還能支持多個(gè)設(shè)備同時(shí)充電，65W快充逐漸成為市場(chǎng)的香餑餑。根據(jù)某款國(guó)內(nèi)知名品牌的65W快充實(shí)測(cè)結(jié)果顯示，采用65W快充給其一款旗艦機(jī)充電，半小時(shí)充到35%，一小時(shí)充三分之二，近兩小時(shí)可充滿。

據(jù)了解，市場(chǎng)上的65W快充產(chǎn)品可能的BOM表有電源控制芯片、升降壓轉(zhuǎn)換器、快充協(xié)議芯片、變壓器、光耦、二極管、三極管、MOS管、整流橋、電阻、電感、電容、LED燈、保險(xiǎn)絲、散熱片、變壓器等。

65W快充內(nèi)部驅(qū)動(dòng)板功能圖

目前，市面上的很多主流65W快充產(chǎn)品兼容最新的PD3.0/QC3.0快充，支持100-240V寬幅電壓，過(guò)流、過(guò)載、過(guò)壓、溫度保護(hù)，這對(duì)分立器件產(chǎn)品的要求也是非常高的。如65W快充產(chǎn)品對(duì)這個(gè)開(kāi)關(guān)管的低檔要求是：30V/ 30A/10mΩ/ ，合科泰可用于VBUS開(kāi)關(guān)N-MOS管封裝是PDFN5X6和PDFN3333。65W快充產(chǎn)品對(duì)這個(gè)開(kāi)關(guān)管的低檔要求是：P-MOS/ -30V/-30A / 15mΩ/ ，合科泰現(xiàn)有產(chǎn)品采用PDFN333封裝的VBUS開(kāi)關(guān)P-MOS管。

65W快充產(chǎn)品具備非常好的性能，它對(duì)整流橋、次級(jí)同步整流MOS以及開(kāi)關(guān)MOS等產(chǎn)品的要求如下所示：

一、整流橋堆在65W快充產(chǎn)品應(yīng)用中的要求：
1、耐壓：600V~1000V之間，主流是1000V，
2、電流：>3A，主流是6A，
3、壓降：<1 V，越小越好，
4、封裝體積：主流是MBS/MBF，
5、熱功耗：與導(dǎo)阻有關(guān)，與封裝有關(guān)，
6、結(jié)電容Cj：<12pF，越小越好，

二、次級(jí)同步整流MOS在65W快充產(chǎn)品應(yīng)用中的要求：
1、N-MOS，
2、耐壓：60V~150V之間，主流是100V，
3、電流：>40A，越大越好，
4、導(dǎo)阻：<15mΩ，越小越好，主流在4~8mΩ之間，
5、熱功耗：與導(dǎo)阻有關(guān)，與封裝有關(guān)，
6、開(kāi)關(guān)速度快：越快越好，滿足工作頻率150KHz以上，
7、封裝體積：主流是PDFN3333/SOP8/PDFN5X6，

三、開(kāi)關(guān)MOS在65W快充產(chǎn)品應(yīng)用中的要求：
1、N-MOS，
2、耐壓：600V~700V之間，主流是650V，
3、電流：>10A，越大越好，
4、導(dǎo)阻：<500mΩ，越小越好，
5、熱功耗：與導(dǎo)阻有關(guān)，與封裝有關(guān)，
6、開(kāi)關(guān)速度快，越快越好，滿足工作頻率150KHz以上，
7、封裝體積：主流是TO-252，QFN6*8mm，

65W快充驅(qū)動(dòng)板各功能模塊所用到的分立器件
整流電路：整流橋或4*整流二極管
PFC升壓電路：開(kāi)關(guān)二級(jí)管、整流管、開(kāi)關(guān)管N-MOS
初級(jí)高頻轉(zhuǎn)換電路：整流管、開(kāi)關(guān)二級(jí)管、穩(wěn)壓管、開(kāi)關(guān)管N-MOS
次級(jí)同步整流電路：整流管N-MOS、肖特基二極管、LT431
協(xié)議輸出電路：VBUS開(kāi)關(guān)管MOS

合科泰熱銷型號(hào)

合科泰可選型號(hào)

審核編輯 ：李倩