在電子產(chǎn)品smt貼片加工生產(chǎn)的過(guò)程、使用和維修等環(huán)境中，大量使用容易產(chǎn)生靜電的高分子材料，這無(wú)疑給電子產(chǎn)品的靜電防護(hù)帶來(lái)了更多的問(wèn)題和挑戰(zhàn)，在smt貼片加工中，靜電放電對(duì)電子產(chǎn)品造成的破壞分為兩種類(lèi)型：突發(fā)性損失和潛在性損失。

隨著科技的不斷發(fā)展，靜電的現(xiàn)象已在靜電噴涂、靜電紡織、靜電分選、靜電成像等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。但在另一方面，靜電的產(chǎn)生在許多領(lǐng)域會(huì)帶來(lái)重大的危害和損失。

例如在阿波羅載人宇宙飛船中，由于靜電放電導(dǎo)致爆炸，使三名宇航員喪生。在火藥制造過(guò)程中由于靜電放電(ESD)，造成爆炸傷亡的事故時(shí)有發(fā)生。

在電子工業(yè)中，隨著集成度越來(lái)越高，集成電路的內(nèi)絕緣層越來(lái)越薄，互連導(dǎo)線寬度與間距越來(lái)越小，例如CMOS器件絕緣層的典型厚度約為0．1μm，其相應(yīng)耐擊穿電壓在80-100V；VMOS器件的絕緣層更薄，擊穿電壓在30V。

而在電子產(chǎn)品制造中以及運(yùn)輸、存儲(chǔ)等過(guò)程中所產(chǎn)生的靜電電壓遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)MOS器件的擊穿電壓，往往會(huì)使器件產(chǎn)生硬擊穿或軟擊穿(器件局部損傷)現(xiàn)象，使其失效或嚴(yán)重影響產(chǎn)品的可靠性，smt貼片加工。

為了控制和消除ESD，美國(guó)、西歐和日本等發(fā)達(dá)國(guó)家均制定了國(guó)家、軍用和企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)定。

從靜電敏感元器件的設(shè)計(jì)、制造、購(gòu)買(mǎi)、入庫(kù)、檢驗(yàn)、倉(cāng)儲(chǔ)、裝配、調(diào)試、半成品與成品的包裝、運(yùn)輸?shù)染邢鄳?yīng)規(guī)定，對(duì)靜電防護(hù)器材的制造使用和管理也有較嚴(yán)格的規(guī)章制度要求。

我國(guó)也參照國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)制定了軍用和企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。例如有航天部、機(jī)電部、石油部等標(biāo)準(zhǔn)。

審核編輯：劉清