DS31256的內(nèi)部測試寄存器
本應用筆記列出了DS31256 HDLC控制器的內(nèi)部測試寄存器，并解釋了用戶應避免使用這些寄存器的原因。
概述
DS31256 HDLC控制器有一些寄存器僅供內(nèi)部測試使用（見表1）。用戶應避免使用它們。
| 地址 （h） | 值 （h） |
| 0050（測試寄存器） | 0000 |
| 04F0 至 04FF | 0000 |
| 07FD 至 07FF | 0000 |
| 08FD 至 08FF | 0000 |
| 09F8 至 09FF | 0000 |
DS31256中的所有測試寄存器均為16位，在硬件或軟件復位時設置為0。數(shù)據(jù)手冊中僅顯示地址為0050的測試寄存器的說明。所有其他測試寄存器均為隱藏寄存器，僅用于內(nèi)部測試（數(shù)據(jù)手冊中未顯示）。
| 偏移量/地址 | 縮寫 | 注冊名稱 | 數(shù)據(jù)表部分 |
| 0050 | 測試 | 測試寄存器 | 5.4 |
工廠測試（FT）模式使用測試寄存器位0將DS31256置于測試模式。對于正常的設備操作，每當寫入此寄存器時，此位應設置為 0。設置此位會將 RAM 置于低功耗待機模式。
位 1 至 15 僅供內(nèi)部（達拉斯半導體）測試使用，不供用戶測試模式控制使用。這些位的值應始終為 0。如果這些位中的任何一個設置為 1，則設備無法正常工作。
結論
本應用筆記列出了DS31256的內(nèi)部測試寄存器，并解釋了用戶應避免使用這些寄存器的原因。
審核編輯：郭婷
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