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層狀過(guò)渡金屬氧化物的快速儲(chǔ)鈉性能

清新電源 ? 來(lái)源:清新電源 ? 2023-01-11 09:30 ? 次閱讀
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研究背景

受鋰資源和成本的限制,近年來(lái),以鈉離子電池(SIB)為代表的儲(chǔ)能技術(shù)因其經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì)和良好的電化學(xué)性能得到了迅速發(fā)展。然而,現(xiàn)有的SIB不能滿足快速連續(xù)的高倍率循環(huán)運(yùn)行。從材料的角度來(lái)看,問(wèn)題主要在于缺乏高性能的電極材料以及電池循環(huán)時(shí)Na+擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)與原子結(jié)構(gòu)之間的機(jī)制不明確。

在現(xiàn)有的SIB正極中,具有典型二維Na+擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)的NaxTMO2(TM=過(guò)渡金屬)等層狀氧化物因其優(yōu)異的電化學(xué)活性、高能量密度和低成本而成為未來(lái)的候選材料。Na+擴(kuò)散速率與Na+/空位有序性密切相關(guān),但尋找一個(gè)合適的材料體系來(lái)分析Na+/空位有序性在P2型層狀氧化物中的影響是一個(gè)重大挑戰(zhàn)。

成果簡(jiǎn)介

鑒于此,中山大學(xué)盧俠教授(通訊作者)等人通過(guò)對(duì)P2-Na2/3Ni1/ 3Mn2/3O2和P2-Na2/3Ni0.3Mn0.7O2的對(duì)比研究,首次證明了Na+/空位有序性對(duì)Na+遷移率的影響。在P2型Na2/3Ni1/3Mn2/3O2中,Na+/空位的層內(nèi)有序排列加速了Na+的遷移。相關(guān)成果以“Slight compositional variation-induced structural disorder-to-order transition enables fast Na storage in layered transition metal oxides”為題發(fā)表在Nat. Commun.上。

研究亮點(diǎn)

1、快速Na+擴(kuò)散與Na+/空位有序性密切相關(guān),也是P2相具有優(yōu)異倍率性能的原因;

2、闡明了面內(nèi)Na+/空位有序化對(duì)其在P2型層狀氧化物中的擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)的影響。

圖文介紹

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1 (a)在950℃燒結(jié)15h后的P2-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2和P2-Na2/3Ni0.3Mn0.7O2 XRD譜圖;(b)P2-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2和P2-Na2/3Ni0.3Mn0.7O2樣品的NPD圖;(c)P2-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2和(d)P2-Na2/3Ni0.3Mn0.7O2材料的NPD圖。

圖1a所示,將Ni/Mn比值由1/2變?yōu)?/7,面內(nèi)Na+/空位有序排列被打亂。采用中子粉末衍射(NPD)技術(shù)可以更有效地檢測(cè)Ni-Mn的層內(nèi)有序性(圖1b)。NPD圖顯示,紅色陰影中的衍射峰來(lái)自Na平面內(nèi)的Na LZZ有序排列,而黃色陰影中的衍射峰屬于TM層內(nèi)的Ni-Mn蜂窩有序排列。精細(xì)NPD圖顯示,制備的P2樣品呈現(xiàn)P6322空間群,具有明顯的TM蜂窩狀有序排列(圖1c,d)。

上述表明,P2-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2為具有層內(nèi)TM蜂窩排序的面內(nèi)Na+/空位排序,而P2-Na2/3Ni0.3Mn0.7O2的面內(nèi)Na+/空位有序化破壞,而沒(méi)有改變TM蜂窩有序化。

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圖2 (a)P2-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2和(b)P2-Na2/3Ni0.3Mn0.7O2沿[001]方向的SAED圖,以及沿[001]方向的相應(yīng)STEM-HAADF圖像。2.0~4.0 V內(nèi)不同掃描速率下,P2-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2和P2-Na2/3Ni0.3Mn0.7O2樣品的(c)拉曼光譜、(d)倍率性能和(e,f)CV曲線。

從選定區(qū)域電子衍射(SAED)圖中,可以在原子水平上捕捉到P2-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2中Na+LZZ的排列(圖2a)。而在P2-Na2/3Ni0.3Mn0.7O2中發(fā)現(xiàn)了只有Ni-Mn有序結(jié)構(gòu)(圖2b),用白色圈中的弱SAED點(diǎn)表示。通過(guò)拉曼光譜研究了Na+在P2-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2和P2-Na2/3Ni0.3Mn0.7O2中的空間分布,如圖2c所示。

對(duì)于P63/mmc空間群(通常為P2型層狀氧化物),拉曼活躍模式有A1g、E2g和E1g,其中A1g和E1g模式僅與氧振動(dòng)相關(guān)(O位:4f),E2g模式與Na+的振動(dòng)有關(guān)(Na位:2b, 2d)。根據(jù)拉曼結(jié)果,460 cm-1處的拉曼峰為E2g模式,在576 cm?1處的另一個(gè)是NaxCoO2A1g模式。在~640 cm?1處也發(fā)現(xiàn)了增寬的肩峰,這可能與Na離子無(wú)序分布或可能的亞晶格形成有關(guān)。

圖2d所示,在0.2 C (30 mA g?1)、1.0 C(78 mA h g?1)和5.0 C(35.4 mA h g?1)時(shí),Na+/空位有序的P2-Na2/3Ni0.3Mn0.7O2正極的倍率性能明顯低于Na+/空位有序的P2-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2。

圖2e,f所示,在不同掃速下進(jìn)行CV測(cè)試,得到相同條件下Na+的表觀化學(xué)擴(kuò)散系數(shù)。通過(guò)Randles-Sevcik方程擬合,P2-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2的平均斜率是P2-Na2/3Ni0.3Mn0.7O2的2倍左右,這意味著隨著Na LZZ有序度的消失,Na+擴(kuò)散系數(shù)顯著降低。

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圖3 P2-和P3-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2晶型中Na+擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)的比較。(a)不同溫度燒結(jié)Na2/3Ni1/3Mn2/3O2前驅(qū)體的XRD譜圖;(b)從BVEL映射P2-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2中Na+擴(kuò)散軌跡;P2-和P3-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2正極在(c)2.0-4.0 V和(d)2.0-4.3 V之間的倍率性能;(e)P3-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2電極的CV曲線;(f)峰值電流對(duì)P3-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2電極掃描速率平方根(v1/2)的函數(shù)。

為了減少Na組成變化對(duì)其空間順序的影響,進(jìn)一步采用相同的化學(xué)計(jì)量學(xué)P3-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2層狀正極來(lái)研究Na+動(dòng)力學(xué)。P3型層狀氧化物中不存在Na+LZZ有序性,這為闡明Na+有序性和擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)之間的關(guān)系提供了一個(gè)理想的平臺(tái)。P2-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2和P3-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2材料分別在950℃和700℃通過(guò)簡(jiǎn)單固相反應(yīng)成功制備(圖3a)。

從XRD圖譜上看,在P2相存在超結(jié)構(gòu),P3相中不存在,表明P2相Na平面中存在Na+LZZ有序。P2-Na2/ 3Ni1/3Mn2/3O2的BVEL計(jì)算揭示了一個(gè)可能的Na+擴(kuò)散途徑(圖3b)。

為了了解潛在的差異,首先考察了P2-和P3-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2半電池在2-4.0 V電壓范圍內(nèi)的倍率性能(圖3c)。P2-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2在0.2 C時(shí)輸出89.9 mA h g?1(30 mA g?1),在2.0 C時(shí)輸出81.4 mA h g?1,在10.0 C時(shí)輸出69.1 mA h g?1。而P3-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2相的倍率性能明顯低于P2相。此外,雖然在更高的電壓下發(fā)生了連續(xù)相變過(guò)程(如P2-O2和P3-O3轉(zhuǎn)變),但如圖3d所示,在2.0-4.3 V電壓范圍內(nèi),P2-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2的整體倍率性能仍明顯優(yōu)于P3。

為了更好地理解這種差異,圖3e、f展示了P2和P3電極不同掃描速率下的CV曲線和擬合結(jié)果。P2-和P3-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2中的兩個(gè)與掃描速率存在依賴性的負(fù)極CV峰(a和b)可用于分析Na+提取動(dòng)力學(xué)。P2-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2相的平均斜率約為P3相的1.7倍,說(shuō)明P2相的Na+擴(kuò)散系數(shù)明顯高于P3相。

不同的Na+擴(kuò)散系數(shù)是由P2-和P3-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2電極中特定的Na+/空位有序性造成的。因此,Na LZZ有序性應(yīng)該是P2相具有優(yōu)異倍率能力的原因。

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圖4 P2/P3-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2層狀氧化物中的Na+動(dòng)力學(xué)。(a,b)P2和P3相NaO6棱柱的晶體環(huán)境;(c)用P2-NaCoO2模型計(jì)算Nae和Naf位的形成能;(d)P2-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2結(jié)構(gòu)中面內(nèi)Na+有序的能量差異;(e)在800 K時(shí),P2-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2中Na+的有序和無(wú)序的均方位移(MSDs); (f) 800 K時(shí)P2-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2中不同Na+占位的Na離子的總MSDs。P2-Na2/3Ni1/ 3Mn2/3O2中Na+的概率密度分布P(r);(g)蜂窩的等值面;(j)具有鏈有序和(k)LZZ有序的P2-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2層狀擴(kuò)散軌跡的遷移能壘;(l)在P2-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2層中的路徑1圖解。

考慮不同的晶格氧堆積順序,計(jì)算了兩個(gè)棱柱位的Na+位置穩(wěn)定性,即P2型層狀氧化物中Naf(2b)位與TMO6八面體共面,Nae(2d)位與相鄰TMO6八面體共邊(圖4a、b)。在實(shí)際模擬中可以簡(jiǎn)化為簡(jiǎn)單的P2-NaxCoO2模型,計(jì)算Nae和Naf位點(diǎn)的總能量,從而比較其穩(wěn)定性。計(jì)算的總能量表明,Nae位位于?168meV/f.u.的低能量位。P2-Na2/3CoO2的結(jié)構(gòu)中存在三種類型的Na+序,即蜂巢型、鏈狀和LZZ型。由圖4d可知,Na+LZZ有序的層內(nèi)形成能低于Na+蜂窩有序和鏈有序。

圖4e顯示了800 K時(shí)P2-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2中Na+在LZZ有序和無(wú)序時(shí)的總均方位移(MSDs)。可以看出,Na+LZZ有序時(shí)的MSDs幾乎是無(wú)序占據(jù)時(shí)的兩倍,這意味著Na原子面內(nèi)部的結(jié)構(gòu)無(wú)序向有序轉(zhuǎn)變后,Na+擴(kuò)散系數(shù)增強(qiáng)。在800 K條件下,P2-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2中,AIMD模擬Na+的MSDs如圖4f所示。

在LZZ有序的結(jié)構(gòu)中,Na+有明顯的遷移,而在其他兩種有序的結(jié)構(gòu)中,Na+沒(méi)有發(fā)生定向移動(dòng)。800 K時(shí)Na+的概率密度分布(P(r))提供了更直觀的結(jié)果,在LZZ有序的結(jié)構(gòu)中Na+擴(kuò)散路徑形成了一個(gè)二維網(wǎng)絡(luò),所有Na+位點(diǎn)通過(guò)圖4i所示的相鄰空位連接。而Na+在蜂窩排列和鏈排列中被固定在能量有利的晶體位置,離子運(yùn)動(dòng)可以忽略。

在有序的P2-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2中進(jìn)行CI-NEB計(jì)算。單空位遷移條件下的5條Na+擴(kuò)散路徑,包括3條單離子遷移路徑(Nae-Nae和Naf-Naf)和2條Na+協(xié)同遷移路徑(路徑3和5)。三次Na+擴(kuò)散(路徑2)的Eact低于單次Na+遷移(圖4k)。因此,LZZ有序相的快速離子擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)可歸因于其特殊的離子占位所導(dǎo)致的多離子協(xié)同遷移。Na2/3Ni0.3Mn0.7O2材料中,當(dāng)Na+LZZ有序被破壞,而保持TM蜂窩有序時(shí),Na+之間的相互作用明顯減弱,內(nèi)在結(jié)構(gòu)約束不能形成有效協(xié)同的Na+擴(kuò)散。

總結(jié)與展望

本工作對(duì)鈉離子電池中高能量密度P型層狀氧化物正極的擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)進(jìn)行了全面的研究,闡明了Na+/空位有序性與擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)的潛在關(guān)系。P2和P3-Na2/3Ni1/3Mn2/3O2結(jié)構(gòu)中存在鈉離子的不同占據(jù)方式,但LZZ有序性的存在使Na+遷移率更高,其中P2結(jié)構(gòu)比P3結(jié)構(gòu)具有更高的擴(kuò)散系數(shù)和更低的活化能。在層狀P2型結(jié)構(gòu)中建立Na+LZZ有序性與快速離子動(dòng)力學(xué)之間關(guān)系的嘗試,為設(shè)計(jì)高倍率電極材料提供了有益的指導(dǎo)。






審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:中山大學(xué)盧俠Nat. Commun.:層狀過(guò)渡金屬氧化物的快速儲(chǔ)鈉性能

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    TDK SIOV-S07K系列金屬氧化物壓敏電阻:高性能與可靠性的完美結(jié)合 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,過(guò)壓保護(hù)是一個(gè)至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。金屬氧化物壓敏
    的頭像 發(fā)表于 12-26 14:35 ?459次閱讀

    MOSFET深度指南:一文帶您了解現(xiàn)代電子工業(yè)的基石——金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管

    前言MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)是電子學(xué)中最為基礎(chǔ)和重要的器件之一,具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)等電性能優(yōu)勢(shì),以及兼有體積小、重量輕、功耗低、壽命長(zhǎng)等工程特性。從
    的頭像 發(fā)表于 09-26 10:08 ?2993次閱讀
    MOSFET深度指南:一文帶您了解現(xiàn)代電子工業(yè)的基石——<b class='flag-5'>金屬</b>-<b class='flag-5'>氧化物</b>-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管

    雙電層超級(jí)電容器電極材料有哪些?全面解析高性能儲(chǔ)能解決方案

    文章總結(jié):雙電層超級(jí)電容器電極材料涵蓋碳基、金屬氧化物、導(dǎo)電聚合,各具優(yōu)勢(shì),推動(dòng)儲(chǔ)能技術(shù)發(fā)展。
    的頭像 發(fā)表于 08-18 09:39 ?1846次閱讀
    雙電層超級(jí)電容器電極材料有哪些?全面解析高<b class='flag-5'>性能</b><b class='flag-5'>儲(chǔ)</b>能解決方案

    ROBOT之鼻金屬氧化物半導(dǎo)體氣體傳感器靜電浪涌防護(hù)技術(shù)

    講解一、解密“電子鼻”1電子鼻的工作原理金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)氣體傳感器構(gòu)成的“電子鼻”,核心原理是利用金屬氧化物(如SnO?、ZnO等)表面對(duì)氣體的吸附-脫附特性。當(dāng)目標(biāo)氣體與
    的頭像 發(fā)表于 07-31 18:26 ?1329次閱讀
    ROBOT之鼻<b class='flag-5'>金屬</b><b class='flag-5'>氧化物</b>半導(dǎo)體氣體傳感器靜電浪涌防護(hù)技術(shù)
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