今年是AspenCore連續(xù)第21年舉辦IC設計調(diào)查及獎項評選，中國IC設計成就獎作為中國電子業(yè)界最具專業(yè)性和影響力的技術(shù)獎項之一是中國半導體行業(yè)1C 設計領(lǐng)域極具公信力的社會品牌，旨在表彰業(yè)內(nèi)優(yōu)秀的中國IC 設計公司、上游服務供應商和熱門IC產(chǎn)品。

每一屆的年度頒獎盛典也已成為了業(yè)內(nèi)最值得期待的標桿活動之一。2023年中國IC設計成就獎獎項投票現(xiàn)已全面開啟，誠邀您參與中國電子業(yè)界最具專業(yè)性和影響力的中國IC設計成就獎獎項投票，助力東芯半導體“C位”出道。

網(wǎng)上投票&分析師評審

2023年1月10日-2月10日

東芯半導體入選兩項大獎，點此投票！

年度技術(shù)突破IC設計公司

存儲器--48nm 1.8V 256Mb SPI NOR Flash

東芯，為日益發(fā)展的存儲需求提供高效可靠的解決方案。

關(guān)于東芯

東芯半導體以卓越的MEMORY設計技術(shù)，專業(yè)的技術(shù)服務實力，通過國內(nèi)外技術(shù)引進和合作，致力打造成為中國本土優(yōu)秀的具有自主知識產(chǎn)權(quán)的存儲芯片設計公司。