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單觸發(fā)時(shí)序改進(jìn)了微處理器復(fù)位電路

星星科技指導(dǎo)員 ? 來(lái)源:ADI ? 作者:ADI ? 2023-01-13 16:18 ? 次閱讀
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以下應(yīng)用筆記描述了一種電路,該電路通過(guò)手動(dòng)復(fù)位為微處理器監(jiān)控器增加了一次性手動(dòng)復(fù)位功能。

許多基于微處理器的產(chǎn)品需要手動(dòng)復(fù)位功能,允許用戶、測(cè)試技術(shù)人員或外部電路重新啟動(dòng)系統(tǒng),而無(wú)需完全掉電/上電周期。為了簡(jiǎn)化必要的時(shí)序和系統(tǒng)接口,許多微處理器監(jiān)控電路都包括一個(gè)手動(dòng)復(fù)位輸入,允許您通過(guò)按鈕開(kāi)關(guān)或其他數(shù)字電路輸出重新啟動(dòng)。標(biāo)準(zhǔn)手動(dòng)復(fù)位功能使處理器保持復(fù)位狀態(tài),只要/MR輸入保持低電平(t/磁共振),外加一個(gè)額外的超時(shí)期限 (tRP),在/MR釋放或驅(qū)動(dòng)高電平后開(kāi)始(圖1)。

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圖1.標(biāo)準(zhǔn)手動(dòng)復(fù)位具有這些時(shí)序特性。

但某些應(yīng)用不允許微處理器長(zhǎng)時(shí)間處于復(fù)位模式,例如當(dāng)按鈕保持關(guān)閉或驅(qū)動(dòng)器邏輯鎖定為低電平時(shí)。由于處理器在重置時(shí)無(wú)法執(zhí)行例行系統(tǒng)維護(hù),因此長(zhǎng)時(shí)間重置可能會(huì)導(dǎo)致操作不當(dāng)或數(shù)據(jù)丟失。對(duì)于此類(lèi)應(yīng)用,系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須提供外部輸入,僅將處理器復(fù)位固定的有限間隔。

基于單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器(單次)的手動(dòng)復(fù)位功能可以很容易地添加到多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)微處理器監(jiān)控電路中(圖 2)。

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圖2.該單觸發(fā)手動(dòng)復(fù)位電路采用/MR下拉電容實(shí)現(xiàn)。

每次關(guān)閉按鈕時(shí),單次觸發(fā)都會(huì)產(chǎn)生一個(gè)固定周期超時(shí)脈沖,與閉合持續(xù)時(shí)間無(wú)關(guān)(圖 3)。

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圖3.使用單觸發(fā)電路可產(chǎn)生單個(gè)固定周期手動(dòng)復(fù)位。

對(duì)于許多應(yīng)用,電路只需要在按鈕開(kāi)關(guān)和手動(dòng)復(fù)位輸入之間連接一個(gè)外部電容(C1),再加上一個(gè)作為上拉連接即可將初始電容電壓歸零的外部電阻(R1)。微處理器監(jiān)控器的內(nèi)部復(fù)位超時(shí)周期提供一次性定時(shí)。

要啟動(dòng)手動(dòng)復(fù)位,請(qǐng)關(guān)閉按鈕開(kāi)關(guān),將 C1 的負(fù)側(cè)接地。由于電容器兩端的電壓(0V)不能立即改變,因此C1的正側(cè)也被拉向地。由此產(chǎn)生的低V伊利諾伊州MR在/時(shí)強(qiáng)制手動(dòng)復(fù)位,使MAX6384/MAX6386置位為低電平/復(fù)位輸出。

當(dāng)按鈕保持關(guān)閉狀態(tài)時(shí),C1的負(fù)側(cè)保持接地,正側(cè)充電至V抄送(通過(guò)大多數(shù)μp復(fù)位電路內(nèi)部的/MR上拉電阻)。僅當(dāng)/MR電壓超過(guò)V時(shí),監(jiān)控器才會(huì)解除其復(fù)位輸出IH并且主管的內(nèi)部重置期已過(guò)。該超時(shí)期限還會(huì)過(guò)濾開(kāi)關(guān)關(guān)閉期間的任何短反彈。

當(dāng)按鈕開(kāi)關(guān)打開(kāi)時(shí),C1負(fù)側(cè)的電壓充電至V抄送通過(guò)外部上拉電阻R1。此操作將電容電壓歸零,并為下一次手動(dòng)復(fù)位做準(zhǔn)備(C1- = C1+ = V抄送).防止/MR相對(duì)于V的過(guò)壓抄送,C1+應(yīng)箝位至V抄送通過(guò)二極管。(無(wú)鉗位,C1+電壓可能接近2V抄送.)二極管可以是監(jiān)控器的內(nèi)部,作為/MR輸入端的保護(hù)電路,也可以是外部的,如圖2中的D1所示。

為確保微處理器復(fù)位電路識(shí)別/MR事件,C1的值相對(duì)于內(nèi)部/MR上拉電阻應(yīng)足夠大,以保持/MR輸入電壓低于V伊利諾伊州至少1μs。R1值應(yīng)足夠小,以便及時(shí)將電容歸零,以便下次手動(dòng)復(fù)位,并將開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)的反彈影響降至最低。單觸發(fā)電路可由外部邏輯驅(qū)動(dòng),而不是按鈕開(kāi)關(guān)。在這種情況下,微處理器將在短暫的復(fù)位超時(shí)后重新啟動(dòng),即使外部邏輯輸出保持低電平。

審核編輯:郭婷

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