來源：意法半導(dǎo)體

2023 年 1 月 16日，中國——意法半導(dǎo)體推出了各種常用橋式拓?fù)涞?a target="_blank">ACEPACK? SMIT 封裝功率半導(dǎo)體器件。與傳統(tǒng) TO 型封裝相比，意法半導(dǎo)體先進(jìn)的ACEPACK? SMIT 封裝能夠簡化組裝工序，提高模塊的功率密度。

工程師有五款產(chǎn)品可選：兩個 STPOWER 650V MOSFET半橋模塊、一個 600V超快二極管整流橋、一個 1200V 半橋全波整流模塊和一個1200V晶閘管半橋整流模塊。所有器件均符合汽車行業(yè)要求，適用于電動汽車車載充電機(jī)(OBC) 和 DC/DC變換器,以及工業(yè)電源變換。

意法半導(dǎo)體的 ACEPACK SMIT貼裝封裝，頂部絕緣散熱，使用直接鍵合銅 (DBC)貼片技術(shù)，實現(xiàn)高效的封裝頂部冷卻。在ACEPACK SMIT 封裝頂面有4.6 cm2 裸露金屬表面，可以輕松地貼裝平面散熱器，從而節(jié)省空間，實現(xiàn)扁平化設(shè)計，最大限度地提高散熱效率，在高功率下實現(xiàn)更高的可靠性?？梢允褂米詣踊a(chǎn)線設(shè)備安裝模塊和散熱器，從而節(jié)省人工生產(chǎn)流程并提高生產(chǎn)率。

此封裝極大的提高了功率密度，頂面絕緣散熱面的面積是32.7mm x 22.5mm，引腳間的爬電距離達(dá)到6.6mm，能耐受絕緣電壓為 4500Vrms，且封裝的寄生電感電容也極低。

采用ACEPACK SMIT封裝的650V-MDmesh DM6 MOSFET半橋模塊SH68N65DM6AG和 SH32N65DM6AG現(xiàn)已上市，符合 AQG-324 標(biāo)準(zhǔn)。SH68N65DM6AG和SH32N65DM6AG 的最大導(dǎo)通電阻 Rds(on) 分別為41mΩ和97mΩ。兩款器件適用于電動汽車車載充電機(jī)和直流DC/DC 轉(zhuǎn)換器，表貼在水道散熱器上，極大的提高了熱耗散功率，提升整機(jī)效率。多用途靈活性有助于設(shè)備廠商簡化庫存管理和采購選型。

STTH60RQ06-M2Y是一個600V、60A 全波整流橋車規(guī)模塊，由軟恢復(fù)超快二極管組成，可提供PPAP文檔。

STTD6050H-12M2Y是一個1200V、60A 單相半橋AC/DC整流模塊，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，抗噪能力優(yōu)異，dV/dt 達(dá)到1000V/μs。

STTN6050H-12M1Y 是一款1200V、60A的SCR半橋整流模塊，由兩個內(nèi)部連接的晶閘管(可控硅整流器 – SCR)組成，符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，目標(biāo)應(yīng)用包括電動汽車的車載充電機(jī)和充電樁，以及工業(yè)應(yīng)用，如電機(jī)驅(qū)動機(jī)構(gòu)和電源的 AC/DC 轉(zhuǎn)換器、單相和三相可控整流橋、圖騰柱功率因數(shù)校正、固態(tài)繼電器。

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審核編輯黃宇