國際電子商情

在過去一年里，由于受地緣沖突、通貨膨脹、經(jīng)濟下行等因素的影響，“庫存調(diào)整”成為了存儲供應鏈共同面對的難題。在波譎云詭的市場變化之下，存儲企業(yè)依然積極應對市場的挑戰(zhàn)，同時也在持續(xù)更新存儲技術(shù)和產(chǎn)品。

到2023年第一季度，全球存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展有了一些新動態(tài)：

在存儲密度方面，隨著3D NAND閃存層數(shù)堆疊，3D NAND已經(jīng)突破200層，存儲密度比176層提升了40%以上。與此同時，市面上也出現(xiàn)了更多QLC NAND產(chǎn)品，廠商也開始在規(guī)劃PLC NAND。

在連接架構(gòu)方面，新發(fā)布的CXL 3.0標準將數(shù)據(jù)中心內(nèi)存系統(tǒng)的帶寬提高一倍，有望突破內(nèi)存密度和帶寬瓶頸的限制，目前CXL聯(lián)盟成員數(shù)已經(jīng)超過160個，參與者包括CPU、內(nèi)存、IP、加速器等廠商。另外，打造芯片內(nèi)部架構(gòu)的UCIe聯(lián)盟也在發(fā)展，未來CXL和UCIe有望通過Chiplet的方式互聯(lián)。

在市場應用方面，數(shù)據(jù)中心、汽車存儲需求的激增，企業(yè)級存儲和車規(guī)級存儲有了更大的市場空間，隨之產(chǎn)生的數(shù)據(jù)安全需求及低功耗等趨勢，也決定著存儲器件的未來發(fā)展方向，存儲將持續(xù)往大容量、低功耗、高密度、高性能方向發(fā)展。

在全球數(shù)據(jù)基礎(chǔ)架構(gòu)提供者西部數(shù)據(jù)看來，人類在未來五年內(nèi)創(chuàng)建的數(shù)據(jù)，將超過以往總數(shù)據(jù)量的2倍。其中，無論是個人移動設備、智能穿戴設備的增長，還是人工智能(AI)、自動駕駛、5G等趨勢的普及，都意味著存儲密集型應用會不斷增多。同時，傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)和中小企業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型，對數(shù)據(jù)中心IT存儲架構(gòu)的容量、性能、TCO(總擁有成本)和能耗提出了更多要求。

而西部數(shù)據(jù)的業(yè)務布局，正好順應存儲市場的趨勢。無論是針對3D NAND閃存技術(shù)的研發(fā)，企業(yè)級固態(tài)硬盤的縱向集成，還是針對NAND、SSD、HDD和平臺的垂直整合，這些舉措都在順應存儲市場的發(fā)展。

不斷提升存儲密度

在前文中我們也有談到，當前業(yè)內(nèi)存儲廠商提升存儲容量，主要通過堆疊3D NAND的層數(shù)和提升閃存Cell單元比特(bit)位元，來實現(xiàn)存儲密度的增加和成本的進一步降低。目前, 3D NAND已經(jīng)進化到了第六代。2021年，西部數(shù)據(jù)與合作伙伴鎧俠共同研發(fā)了第六代162層3D NAND閃存技術(shù)。與上一代產(chǎn)品相比，第六代3D閃存降低了單位成本，并讓每個晶圓的制造位增加了70%。西部數(shù)據(jù)曾強調(diào)，NAND的先進程度不是層數(shù)的堆疊競賽，每一層的效率也是影響閃存密度的關(guān)鍵。西部數(shù)據(jù)的第六代閃存除了層數(shù)的堆疊，也將橫向密度提高了約10%，使晶圓尺寸減小約40%，提高性能的同時極大地降低了成本。

2022年全球存儲市場遭遇了下行，存儲現(xiàn)貨價格嚴重下跌，原廠和渠道商出現(xiàn)了庫存積壓。在這一年里，存儲大廠減緩了產(chǎn)品迭代的速度，把重心調(diào)整到去庫存上，到今年Q1存儲行業(yè)的下行趨勢仍未觸底。所幸的是，在近日的2023 CFMS閃存峰會上，中國閃存市場和國內(nèi)外存儲原廠均表示，預計存儲行業(yè)的這輪下行期在今年Q2或Q3出現(xiàn)拐點。

除了在堆疊層數(shù)上發(fā)力之外，西部數(shù)據(jù)還在閃存Cell單元bit位元方面做創(chuàng)新。在2018年市場上開始出現(xiàn)QLC NAND產(chǎn)品，到2019年包括西部數(shù)據(jù)在內(nèi)的存儲廠商跟進，相繼量產(chǎn)90+層TLC3D NAND，并紛紛推出90+層QLC產(chǎn)品。到2023年，新一代3D NAND技術(shù)推出之后，在后續(xù)的量產(chǎn)中更新TLC和QLC版本的產(chǎn)品已成產(chǎn)業(yè)共識。

當然，消費者在購買存儲產(chǎn)品時，不僅會關(guān)注存儲容量，也會關(guān)注壽命和運行速度。QLC雖然容量大、成本低，但壽命和緩外寫入速度不如TLC、SLC。比如，QLC的單位成本雖然有下降、存儲密度有提升，但產(chǎn)品的讀寫性能卻也會下降，這也導致QLC產(chǎn)品在人工智能、深度學習等領(lǐng)域的應用面臨限制。存儲廠家為了解決這些問題，一般會通過添加SLC 緩存、虛擬緩存、DRAM緩存來提升QLC的緩外寫入速度。

日益豐富的產(chǎn)品組合

隨著固態(tài)硬盤性能和容量的不斷提升，固態(tài)硬盤在消費類應用中的表現(xiàn)突出。雖然全球消費電子市場正在疲軟期，消費類存儲產(chǎn)能也出現(xiàn)了過剩。但從長遠來看，消費類SSD的市場潛力巨大。從2023年到2026年，消費類SSD復合年增長率將超過45%；預計到2026年，消費類存儲產(chǎn)品市場份額中，約有7成是SSD。

西部數(shù)據(jù)的業(yè)務板塊包括閃存和HDD，擁有西部數(shù)據(jù)(Western Digital)、閃迪(SanDisk)、西數(shù)(WD)、閃迪大師(SanDisk Professional)和WD_BLACK在內(nèi)的多個品牌，能夠提供從云數(shù)據(jù)中心、智慧視頻、汽車、手機移動端、IoT到消費者個人PC等領(lǐng)域豐富的產(chǎn)品組合。

個人PC和游戲主機

西部數(shù)據(jù)的WD_BLACK、WD Blue和WD Green等系列的內(nèi)置SSD，可滿足個人PC或游戲主機設備擴容的需求。

WD_BLACK SN850X NVMe SSD是WD_BLACK系列的旗艦產(chǎn)品，它搭載了西部數(shù)據(jù)自研主控及PCle Gen4技術(shù)，可提供7,300 MB/s的順序讀取速度和6,600MB/s的順序?qū)懭胨俣?2TB和4TB容量版本)，隨機讀取和寫入IOPS達1,200K(2TB和4TB容量版本)和1,100K，并提供從1TB至4TB多個容量版本。

WD_BLACK SN770 NVMe SSD搭載了西部數(shù)據(jù)第四代DRAM-less SSD(自研主控和NAND閃存顆粒)，采用了PCIe Gen4接口，可提供高達5,150MB/s的讀取速度(1TB和2TB容量版本)和4,900MB/s的寫入速度(1TB容量版本)。

手機和移動設備

西部數(shù)據(jù)的UFS 3.1 iNAND MC EU551針對手機和移動設備存儲應用，該產(chǎn)品采用基于西部數(shù)據(jù)第七代Smart SLC的Write Booster技術(shù)，滿足JEDEC UFS 3.1規(guī)范要求，支持Host Performance Booster 2.0版本，還進一步融合了JEDEC標準的全新進展；性能方面，與上一代產(chǎn)品相比，其隨機讀取性能提升了一倍，隨機寫入性能提升約40%，順序?qū)懭胄阅芴嵘s90%，順序讀取性能提升約30%；在容量方面，提供從128GB至512GB等多個規(guī)格，工作溫度范圍為-25℃到85℃。

<西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件>

自動駕駛汽車和智能網(wǎng)聯(lián)汽車

iNAND AT EM132嵌入式閃存盤和iNAND AT EU312 UFS嵌入式閃存盤針對自動駕駛汽車和智能網(wǎng)聯(lián)汽車存儲應用。

iNAND AT EM132是首款應用在汽車領(lǐng)域、采用64層3D NANDTLC技術(shù)的存儲設備，其工作溫度區(qū)間為-40°C-105°C，容量選擇在32GB-256GB之間。該產(chǎn)品還囊括專為密集型汽車工作負載而設計的豐富汽車功能，包括先進的運行狀況監(jiān)控、熱管理、數(shù)據(jù)保存性超過JEDEC標準、采用先進的數(shù)據(jù)保護和糾錯技術(shù)等等。

< 西部數(shù)據(jù) iNAND AT EM132 嵌入式閃存盤 >

iNAND AT EU312 UFS嵌入式閃存盤采用UFS 2.1接口，為汽車OEM廠商和Tier 1提供存儲容量、性能和可靠性存儲，比之前基于e.MMC產(chǎn)品有更強的性能。該閃存盤可提供16GB至256GB的容量選擇，并擁有550/800MB/s的寫入/讀取速度，其具備先進的內(nèi)存管理固件和硬件，符合JEDEC47, ISO26262和AEC-Q100二級三級標準。

< 西部數(shù)據(jù)iNAND AT EU312 UFS 嵌入式閃存盤 >

工業(yè)自動化與物聯(lián)網(wǎng)

工業(yè)自動化與物聯(lián)網(wǎng)使用的存儲產(chǎn)品，主要有嵌入式和可插拔式兩種形式。常見的可插拔式的存儲產(chǎn)品有PCle協(xié)議SSD、SATA協(xié)議SSD，以及SD存儲卡和Micro SD存儲卡等類型，嵌入式存儲產(chǎn)品主要有e.MMC和UFS兩種類型。

iNAND IX EM132嵌入式閃存盤是專為工業(yè)及物聯(lián)網(wǎng)設備設計的3D NAND e.MMC，它搭載了西部數(shù)據(jù)64層3D NAND閃存。該產(chǎn)品有兩種版本的寬溫范圍，分別是-25℃至+ 85℃及-40°C至85℃，可為基于高級操作系統(tǒng)、傳感器融合和機器學習技術(shù)的工業(yè)和消費應用提供更高的容量選擇。

< 西部數(shù)據(jù)iNAND IX EM132嵌入式閃存盤 >

iNAND IX EU312 UFS EFD基于3D NAND閃存，將UFS的高性能及工業(yè)級的高耐久性和大容量，用于終端攝像頭和智慧視頻應用，支持A1視頻攝像機和邊緣設備的高頻讀寫使用，設備支持最高可達768TBW (256GB版本)，耐久性強大，可滿足密集的讀寫要求。

< 西部數(shù)據(jù)iNAND IX EU312 UFS EFD>

數(shù)據(jù)中心

Ultrastar DC SN650 NVMe SSD是西部數(shù)據(jù)2022年針對企業(yè)級數(shù)據(jù)中心推出的SSD。它可提供最高達15.36TB的容量，采用BiCS 5 3DTLCNAND和PCle 4.0接口，通過增加單位SSD的虛擬化主機數(shù)量，以及整合更大的數(shù)據(jù)集來提高存儲資源利用率，該產(chǎn)品可用于大數(shù)據(jù)分析和AI/ML的數(shù)據(jù)集，還可通過采用Ultrastar DC SN650 NVMe SSD來縮短時延并提高數(shù)據(jù)吞吐量。

Ultrastar DC SN650 NVMe SSD

西部數(shù)據(jù)公司副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理 蔡耀祥

西部數(shù)據(jù)公司副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理蔡耀祥表示：“在人工智能、自動駕駛、云計算、5G和物聯(lián)網(wǎng)等新型技術(shù)的推動下，海量的數(shù)據(jù)，復雜的用例和IT架構(gòu)對NAND閃存技術(shù)的創(chuàng)新及應用提出了更高的要求。作為全球數(shù)據(jù)基礎(chǔ)架構(gòu)的提供者，西部數(shù)據(jù)在NAND閃存領(lǐng)域擁有領(lǐng)先的產(chǎn)能優(yōu)勢，核心的創(chuàng)新技術(shù)和強大的縱向集成能力。同時，基于對市場的敏銳洞察和用戶訴求的深刻理解，我們提供覆蓋云數(shù)據(jù)中心、汽車、IoT到消費者個人PC、手機移動端等各領(lǐng)域的閃存產(chǎn)品和解決方案，滿足用戶的多樣化存儲需求。此外，西部數(shù)據(jù)在上海擁有自己的半導體工廠和解決方案賦能中心，可以更好地支持本土客戶。西部數(shù)據(jù)長期投入中國市場，我們也計劃不斷深化與行業(yè)伙伴的交流合作，積極探索未來的發(fā)展道路，攜手共創(chuàng)數(shù)字時代的輝煌?！?/p>

聚焦行業(yè)標準趨勢

除了產(chǎn)品組合之外，我們還看到行業(yè)標準有趨于統(tǒng)一的趨勢。

2021年11月，CXL合并Gen-Z，將其所有規(guī)范和資產(chǎn)轉(zhuǎn)移給CXL，并且雙方聯(lián)盟成員日后將專注于CXL這唯一標準。其實，西部數(shù)據(jù)是Gen-Z聯(lián)盟的參與者。合并后的CXL聯(lián)盟更加壯大，不僅包括內(nèi)存廠商、IP廠商、加速器廠商等，還包括CPU廠商。

如果說CXL打造的是CPU和外部的連接架構(gòu)，UCIe則可打造芯片內(nèi)部的架構(gòu)?，F(xiàn)在行業(yè)內(nèi)已經(jīng)有一些廠商在推CXL+UCIe的概念。根據(jù)設想，通過Chiplet(芯粒)之間的互連接口標準，打造一個開放性的Chiplet生態(tài)系統(tǒng)，CXL+UCIe可組合成計算+互聯(lián)的芯片，同時CXL可以更換，更換IP非常便捷，從而可快速更換應用場景。

西部數(shù)據(jù)作為行業(yè)生態(tài)中的一員，相信在未來的產(chǎn)品規(guī)劃上也會考慮行業(yè)的各種趨勢，以持續(xù)的技術(shù)和存儲產(chǎn)品創(chuàng)新賦能行業(yè)生態(tài)的可持續(xù)發(fā)展，迎接數(shù)字時代的到來。

審核編輯黃宇