相信電子行業(yè)的伙伴們都知道三星和SK海力士，在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域中也是其中的佼佼者，在行業(yè)內(nèi)排名前兩位。據(jù)媒體報(bào)道，這兩家巨頭正在加速3D DRAM的商業(yè)化，以改變內(nèi)存行業(yè)的游戲規(guī)則。事實(shí)上，在DRAM行業(yè)排名第三的美光公司從2019年就開(kāi)始了3D DRAM的研究，并獲得了三星和SK海力士的兩到三倍的專(zhuān)利。

據(jù)《韓國(guó)商業(yè)報(bào)》報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，三星和SK海力士高管在最近的一些官方活動(dòng)中使用了3D DRAM，以此來(lái)克服DRAM的物理限制。三星表示，3D DRAM是未來(lái)半導(dǎo)體行業(yè)的增長(zhǎng)動(dòng)力。SK海力士認(rèn)為，大約在明年，3D DRAM的電氣特性細(xì)節(jié)將被公開(kāi)，從而確定其發(fā)展方向。

3D DRAM是一種具有新結(jié)構(gòu)的內(nèi)存芯片，它打破了原有的模型。目前，DRAM產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的重點(diǎn)是通過(guò)減小電路的行寬來(lái)提高密度。然而，當(dāng)行寬進(jìn)入10nm的范圍內(nèi)，物理約束，如電容泄漏和干涉顯著增加。為此，業(yè)界推出了高k材料和極紫外線（EUV）設(shè)備等新材料和新設(shè)備。但是，對(duì)于各個(gè)DRAM廠商來(lái)說(shuō)，要做出10nm或者更先進(jìn)的小芯片，仍然是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。

與目前的DRAM市場(chǎng)不同，3D DRAM領(lǐng)域暫時(shí)沒(méi)有絕對(duì)的領(lǐng)導(dǎo)者。美光在3D DRAM技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)中起步較早，擁有更多的專(zhuān)利。三星和SK海力士可能會(huì)加快3D DRAM的商業(yè)化進(jìn)程，盡快進(jìn)入量產(chǎn)階段，從而更早搶占市場(chǎng)。

目前，三星和SK海力士生產(chǎn)的最先進(jìn)的DRAM都采用了12nm左右的工藝。考慮到距離10nm越來(lái)越近，在未來(lái)三到四年內(nèi)，采用新結(jié)構(gòu)的DRAM芯片的商業(yè)化幾乎是必然的。而不是選擇。那么日后三星和SK海力士會(huì)不會(huì)成為DRAM芯片的主導(dǎo)者呢？讓我們拭目以待！

審核編輯黃宇